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AI與機器學習賦能的晶片設計與製程協同優化 (1版)

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作者
陳世豪
出版社
五南
ISBN
9786264420389
版次
1
出版日期
2026/01
頁數
152
書籍開數、尺寸
18開

簡介

GenAI 重塑半導體的未來 面對摩爾定律(Moore's Law)趨緩的巨大挑戰,半導體產業迫切需要新的突破點。這本書正是為了解決這個每年耗費產業數百億美元的「效率黑洞」而生。 《AI與機器學習賦能的晶片設計與製程協同優化》旨在為讀者提供一套可實踐的DTCO.ML框架,展示如何運用 Machin Learning(ML)與 Generative AI(GenAI)技術,為晶片製程注入新的加速力。掌握製程變異性並優化晶片能效,徹底擺脫耗時、昂貴的實體試產(Tape-out)試錯循環。 您將學會:透過數據驅動,將良率(Yield)提升從依賴漫長試錯轉變為可預測、可控制的快速回報(Accelerated ROI);在每一次產品迭代中,實現顯著的能效(Energy Efficiency)飛躍;以及如何為您的團隊贏得數個月的產品上市時間(TTM)競爭優勢。 無論您是渴望提升效率的晶片設計工程師、製程研發專家,或是尋求產業「再加速」策略的管理者,本書都將為您提供經過驗證的AI 賦能策略與執行藍圖。掌握DTCO 的未來,從這裡開始。

目錄

推薦序 AI 驅動的半導體晶片設計能效與生產力革命 第一部分: 設計與製程協同優化(Design Technology Co-Optimization, DTCO) 第1 章 DTCO 概述與發展 1.1 為生產力而設計(Design for Productivity)的核心理念 1.2 極致能效設計方法論(Design for Ultimate Efficiency) 1.3 DTCO 的未來發展方向 第2 章 推動DTCO 的關鍵挑戰與策略 2.1 DTCO 實施面臨的主要挑戰 2.2 設計方法創新需求 2.3 生產力優化平台建置 第3 章 晶片能效與生產力優化實踐 3.1 項目啟動前的準備工作 3.2 客製化元件與時序策略(Timing Signoff Strategy) 3.3 製程優化分析技術 3.4 補償機制的設計與實施 3.5 近臨界電壓技術的需求與挑戰 第二部分:DTCO.ML ™:機器學習驅動的半導體流程優化 第4 章 機器學習與DTCO 的融合(DTCO.ML ™) 4.1 虛擬晶圓數據建模(Virtual Silicon) 4.2 迴歸模型的構建與推論 4.3 數據追蹤與產能優化的應用 第5 章 元件庫特徵萃取與分析系統(Library Metric Extraction, libMetric ™) 5.1 元件時序與功耗建模 5.2 標準元件特徵萃取(Cell Feature Extraction) 5.3 RO Simulation 5.4 標準元件庫批量PPA 基準評估 第6 章 晶片內感測器設計與整合(GRO Compiler) 6.1 目標導向的RO 設計 6.2 SPICE-Silicon 相關性分析 6.3 製程追蹤與調整 6.4 晶片內局域電壓分析 6.4.1 晶片內局域電壓分布監測 6.4.2 補償策略制定 6.4.3 動態時序餘量警示與布局 6.5 GRO 自動化工具與驗證流程 第7 章 數據分析與機器學習平台(Copernic ™) 7.1 數據標準化與可視化實踐 7.2 多維資料的跨域映射 7.3 設計流程整合策略 7.3.1 WAT-aware Timing Re-K 7.3.2 WAT-CP 映射與相關性分析 7.3.3 OCV Analysis 7.4 晶片內變異性(OCV)分析與設計餘量優化 7.5 後矽製程分析與優化(Post-Silicon Analysis and Optimization) 第8 章 晶片性能評等策略與優化(Binning-PG ™) 8.1 晶片評等與分箱策略對生產力的影響 8.2 晶片體質的分析與挑戰 8.3 分箱策略生成(Binning Policy Generation, Binning-PG ™) 8.4 策略生成自動化與優化 8.5 晶片內自分級應用(On-chip Self-binning) 第三部分:DTCO.GenAI ™:生成式AI 驅動的晶片設計創新 第9 章 生成式AI 與DTCO 融合(DTCO.GenAI ™) 9.1 傳統建模方法的局限性分析 9.2 按圖索驥:Multivariate Normal Distribution 9.3 虛擬晶片數據在DTCO 中的實際應用(DTCO.VS) 第10 章 DTCO.VS 虛擬晶圓數據生成技術(Virtual Silicon) 10.1 資料集準備 10.2 基於生成對抗網路的虛擬晶片數據(GAN-based Virtual Silicon, GAN-VS) 10.2.1 GAN 模型 10.2.2 GAN 模型性能評估 10.3 基於擴散模型的虛擬晶片數據(Diffusion Model-based Virtual Silicon, DM-VS) 10.3.1 去噪擴散概率模型(Denoising Diffusion Probabilitic Model) 10.3.2 Diffusion 模型性能評估 第11 章 Generative AI 驅動的晶片能效優化與建模 11.1 WAT 超分辨率(WAT Super Resolution, WATSR) 11.2 高效矽製程偏移建模(High-Efficiency SPICESilicon Bias Modeling, He-SSBM) 11.2.1 One-shot SPICE-Silicon N/P Correlation的設計原理 11.2.2 設計與防守策略優化 11.3 高效蒙地卡羅仿真近似(High-Fidelity Generative Monte Approximation, HΣ-GMA) 11.3.1 傳統Monte Carlo 方法的限制 11.3.2 生成式神經網路的創新應用 第12 章 結論與展望 12.1 機器學習與AI 賦能DTCO:革新晶片設計與製程優化(DTCO.ML ™) 12.2 生成式AI 驅動優化的未來趨勢(DTCO. GenAI ™) 12.3 創新EDA 開發與未來展望 附 錄 開源資源表列 參考文獻表列 專業術語表

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