公職考試2023試題大補帖【半導體工程】(99~111年試題)(申論題型)[適用三等/高考、鐵特、地方特考] (1版)

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公職考試2023試題大補帖【半導體工程】(99~111年試題)(申論題型)[適用三等/高考、鐵特、地方特考](CK2210) 作者 : 百官網公職師資群 ISBN : 9786263275218 版本 : 初版 出版日期 : 2023-03-20 規格 : 平裝 / 184頁 / 17.0 x 23.0 x 0.7 cm / 單色印刷 書本內容【試題大補帖系列熱賣中！】  不容錯過的上榜必備好書在這裡！  精選多年度公職考試歷屆試題，讓你省去到處尋找考古題的煩惱！  試題按照年度排列，迅速掌握出題方向  每道題目提供完整解析，測驗、複習一把罩 本書收錄公職考試【半導體工程】99~111年共十三年的申論試題詳解，幫助您一次準備全面應戰、熟悉題型順利上榜。 本書收錄科目包含：半導體工程 本書收錄考試包含：高考、地方特考、鐵特高員 本書特色： 1.補班名師解題，不用三顧茅廬立即獲得大師精準考題解析。 2.多年度試題一次收錄，輕鬆練習歷屆試題。 3.一題搭配一詳解，演練有錯立即修正，加深印象。 目錄三等 【半導體工程】 ◎鐵特高員三級 111年 110年 109年 108年 107年 106年 105年 104年 103年 102年 101年 99年 ◎高考三級 111年 110年 109年 108年 107年 106年 105年 104年 103年 101年 100年 99年 ◎地方三等 111年 110年 109年 108年 107年 104年 103年 101年 100年

公職考試2022試題大補帖【半導體工程】(99~110年試題)(申論題型) (1版)

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公職考試2022試題大補帖【半導體工程】(99～110年試題)(申論題型)[適用三等/高考、地方特考、鐵特] ISBN13：9786263270695 出版社：大碩 作者：百官網公職師資群 裝訂／頁數：平裝／176頁 規格：23cm*17cm*0.7cm (高/寬/厚) 重量：278克 出版日：2022/03/11 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 【試題大補帖系列熱賣中！】 不容錯過的上榜必備好書在這裡！ 精選多年度公職考試歷屆試題，讓你省去到處尋找考古題的煩惱！ 試題按照年度排列，迅速掌握出題方向 每道題目提供完整解析，測驗、複習一把罩 　　本書收錄公職考試【半導體工程】99~110年共十二年的申論試題詳解，幫助您一次準備全面應戰、熟悉題型順利上榜。 　　本書收錄科目包含：半導體工程 　　本書收錄考試包含：高考、地方特考、鐵特高員三級 本書特色 　　1.補班名師解題，不用三顧茅廬立即獲得大師精準考題解析。 　　2.多年度試題一次收錄，輕鬆練習歷屆試題。 　　3.一題搭配一詳解，演練有錯立即修正，加深印象。 目錄 三等 【半導體工程】 ◎鐵特高員三級 110年 109年 108年 107年 106年 105年 104年 103年 102年 101年 100年 99年 ◎高考三級 110年 109年 108年 107年 106年 105年 104年 103年 101年 100年 99年 ◎地方三等 110年 109年 108年 107年 104年 103年 101年 100年

公職考試講重點【半導體工程】 (1版)

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公職考試講重點【半導體工程】 ISBN13：9789863457404 出版社：大碩 作者：劉強 裝訂／頁數：平裝／321頁 規格：17cm*23cm*1.3cm (高/寬/厚) 版次：1 出版日：2021/05/14 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 　　本書專為公職考試考生出版的講重點系列書籍，書中內容詳細，在每章最後皆附有歷屆試題提供演練，讓考生解題技巧與觀念合一，加深同學學習印象，並且善於以簡易之觀念，引導學生進入半導體工程的世界，搭配數百題最新之考古題演練，讓學生進而駕馭半導體工程。 　　本書適用考試：高考三級、地方特考、鐵特高員三級 　　本書適用考試類科：電子工程 目錄 第1章 半導體簡介與晶體性質 1-1 半導體架構分類 1-2 半導體理論架構 1-3 半導體晶體晶格 1-4 Miller指標 1-5 固體之缺陷與雜質 1-6 解鑽石結構 歷屆試題 第2章 固態量子理論導讀 2-1 量子力學概念 2-2 Schrodinger波動方程式 2-3 Schrodinger波動方程式應用 2-4 Schrodinger波動方程式與原子模型 2-5 能帶的形成 2-6 狀態密度函數(Density of states) 歷屆試題 第3章 平衡半導體 3-1 熱平衡時電子和電洞濃度 3-2 本質半導體的形成 3-3 雜質半導體的形成 3-4 載子濃度與溫度的關係 歷屆試題 第４章 載子傳輸現象 4-1 漂移電流原理 4-2 漂移率(mobility) 4-3 高電場效應 4-4 擴散電流原理 4-5 霍爾效應(Hall Effect) 歷屆試題 第5章 半導體的不平衡過量載子 5-1 漂移電流原理 5-2 雙極性傳輸方程式 5-3 過量載子生命週期 5-4 準費米能階 5-5 Haynes-shockly實驗 歷屆試題 第6章 PN接面 6-1 PN接面結構與熱平衡 6-2 順向偏壓與逆向偏壓 6-3 不均勻參雜PN接面 6-4 接面電壓與電流定性分析 6-5 小訊號模型與暫態響應 6-6 PN接面崩潰 6-7 穿隧二極體 6-8 異質二極體(Heterogeneous diode) 歷屆試題 第7章 BJT之基本結構與操作模式 7-1 BJT的結構與操作原理 7-2 少數載子分佈與能階圖 7-3 順向主動區之數學分析 7-4 BJT等效電路模型 7-5 BJT頻率響應與暫態分析 7-6 BJT非理想效應 7-7 異質接面雙極性電晶體 歷屆試題 第8章 金氧半場效應電晶體(MOSFET) 8-1 理想MOS電容器 8-2 考慮功函數差 8-3 MOS電容與電壓特性 8-4 MOS電晶體等效電路與頻率特性 8-5 MOSFET之非理想效應 8-6 CMOS技術 8-7 Latch up現象分析 歷屆試題 第9章 金半接半與接面半導體 9-1 金屬－半導體接面 9-2 歐姆接觸 9-3 接面場效應電晶體 歷屆試題 第10章 光電元件 10-1 太陽能電池 10-2 光檢測器 10-3 發光二極體 10-4 雷射二極體 歷屆試題 第11章 半導體製程技術 11-1 晶體成長 11-2 矽氧化 11-3 微影(Lithography) 11-4 蝕刻 11-5 擴散 11-6 薄膜沉積 11-7 製程整合 歷屆試題 附錄 附錄一 半導體公式 附錄二 常用符號之定義 附錄三 物理常數及常用因數 附錄四 半導體材料之性質

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