【中文書】 書名：應用電子學 作者：葉文冠 出版社：五南 出版日期：2017/03/10 ISBN：9789571190648 目錄 第一章 電子電路定理與基本電路概念 1.1 電子電路定義 1.2 交流訊號 1.3 類比與數位訊號 1.4 放大器模型 1.5 基本電路概念 第二章 半導體材料與元件 2.1 原子結構與能帶 2.2 矽半導體材料 2.3 電荷傳輸 2.4 p-n接面二極體 2.5 n-p-n或p-n-p雙載子電晶體 2.6 MOSFET 第三章 運算放大器 3.1 運算放大器 3.2 反相組態與非反相組態放大器 3.3 非反相組態放大器 第四章 二極體 4.1 元件結構與物理操作 4.2 二極體電性特性 4.3 接面二極體之電容效應 4.4 理想二極體 4.5 矽半導體之pn接面二極體 4.6 順偏操作之二極體模型 4.7 崩潰時二極體模型 4.8 應用範例 ─ 整流線路 4.9 應用範例—限壓電路 第五章 雙載子接面電晶體 5.1 元件結構與物理操作 5.2 npn雙載子接面電晶體在主動的操作模式 5.3 npn BJT元件在主動區之直流模型 5.4 BJT飽和的操作模式 5.5 pnp元件在主動區之操作 5.6 BJT之電流—電壓特性 5.7 BJT線路在DC之操作行為 5.8 BJT當作放大器與開關 5.9 BJT小訊號分析與模型 5.10 單級BJT放大器 5.11 單級BJT放大器 5.12 BJT放大電路之偏壓方式 第六章 金氧半場效電晶體 6.1 MOSFET元件結構與物理操作 6.2 電流與電壓特性 6.3 MOSFET直流電路分析 6.4 MOSFET作放大器與開關大信號輸入—輸出轉移特性（Transfer Characteristic） 6.5 MOS放大器電路之偏壓 6.6 MOS小信號操作與模型（Small Signal Operation and Model） 6.7 單級MOSFET放大器（Single Stage MOS Amplifiers） 6.8 MOSFET內部電容以及高頻模型 6.10 CMOS數位邏輯反向器 6.11 空乏型MOSFET