書名: 長期照護概論 (1版)
作者: 張宏哲 等
版次: 1
ISBN: 9786263664999
出版社: 五南
出版日期: 2023/09
書籍開數、尺寸: 17x23x1.9
重量: 0.63 Kg
頁數: 244
內文印刷顏色: 單色
#長期照顧
#健康科學
#護理
定價: 500
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本書為作者群累積多年的教學和實務經驗,可作為大學系所「長期照顧」領域的學習用書,亦可提供長照實務機構及社會工作人員專業技術的參考資料。全書共分十二章,分別探討臺灣長期照護政策、日德荷保險和臺灣的辯論、長期照護個案管理、社區照顧、家庭工作、團體工作、倫理議題、跨專業整合、住宿型機構照護、日間照顧服務、居家式照顧服務、相關理論。

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LED工程師基礎概念與應用 Fundamental and Applications of LED Engineers 作 者:中華民國光電學會 出版社別:五南 出版日期:2022/03/01(1版6刷) ISBN:978-957-11-6659-9 書 號:5DF2 頁 數:340 開 數:20K 內容簡介   節能與環保已是全人類的共識,這使得LED逐漸的在取代鎢絲燈泡及各類螢光燈,成為新照明的光源。因此LED燈源及其相關產品已成為一項新興產業,預期產業界將需要大量與LED照明相關的工程師。有鑑於此,經濟部工業局委託工研院產業學院與中華民國光電學會,擬定LED工程師能力鑑定制度,並辦理LED工程師基礎能力鑑定及LED照明工程師能力鑑定,期望我國的LED產業能領先全世界。 本書特色:附贈LED專業人才能力鑑定試題 目錄 序 第一章 發光二極體產業概論  洪瑞華 1. 發光二極體(Light-Emitting Diode, LED)發展歷史 2 1.1 碳化矽(SiC)發光二極體發展歷史 2 1.2 砷化鎵(GaAs)和砷化鋁鎵(AlGaAs)紅外光和紅光發光二極體的發展歷史 4 1.3 GaAsP 發光二極體的發展歷史 8 1.4 GaP 和 GaAsP 發光二極體摻雜具旋光性雜質的發展歷史 10 1.5 GaN 金屬半導體發光體發展歷史 14 1.6 GaN p-n junction 之藍、綠及白光發光二極體的發展歷史 16 1.7 AlGaInP 可見光發光二極體之發展歷史 18 2. 發光二極體基板的選擇 21 3. 雙氣流 MOCVD 磊晶成長 24 4. 側向磊晶成長技術 26 5. 有機金屬化學氣相沉積磊晶機台簡介 27 6. LED 元件製作 29 6.1 p-GaN 歐姆接觸 29 6.2 p-GaN 及 mesa 蝕刻 29 6.3 p-pad 及 n-pad 製作 30 6.4 晶片研磨、切割、固晶、打線及封裝 31 7. 參考資料 32 第二章 LED 照明應用  陳建宇 1. 前言 38 2. LED 光特性的標準與測試方法 38 2.1 全光通量 38 2.2 部分光通量 39 2.3 光分佈 40 2.4 發光強度 40 2.5 亮度 40 2.6 發光光譜 41 2.7 色度(Colorfulness) 41 2.7 照度 42 3. 色溫(Color Temperature) 42 3.1 演色指數(Color Rendering Index, CRI)系統 44 3.2 演色向量(Color Rendering Vectors, CRV)系統 44 3.3 照度與色溫對感知之影響 44 4. 照明量測規範 46 5. 光學設計篇 47 5.1 光學設計 47 5.2 LED 晶片元件設置 47 5.3 LED 安全性設計 48 5.4 安全性設計與安全規範 48 6. 應用篇 49 6.1 室內照明應用領域 49 6.2 居家(客廳、書房、臥室等) 49 6.3 辦公室 50 6.4 工廠 51 6.5 學校 52 6.6 公共建築(運輸系統、商店、博物館等) 54 6.7 醫療空間(手術室) 55 7. 室外照明應用領域 57 7.1 LED 路燈 57 7.2 LED 車燈 61 7.3 LED 指示燈、景觀燈 64 8. 參考資料 65 第三章 LED 國際照明規範常識  賴芳儀 1. 前言 68 2. 各國照明規範制定概況 68 2.1 台灣 LED 照明規範發展概況 68 2.2 美國 LED 照明規範發展概況 74 2.3 日本 LED 照明規範發展概況 75 2.4 韓國 LED 照明規範發展概況 75 2.5 中國 LED 照明規範發展概況 77 3. 規範制訂組織、LOGO、組織名稱縮寫(表列) 78 第四章 LED 產品發展趨勢  呂紹旭 1. LED 元件產品發展歷程 86 2. LED 封裝元件產品類別定義 89 3. 白光 LED 元件產品技術發展 90 4. LED 應用產品發展 93 5. 參考資料 100 第五章 光電半導體元件  吳孟奇 黃麒甄 1. 基本原理 102 2. 電子轉移機制 103 3. 注入機制 107 4. 發光效率與量子效率 108 5. 輻射光譜 109 6. PN 接面原理 111 7. 發光二極體 112 8. 半導體的材料與種類 114 9. 半導體的鍵結與晶體結構 115 10. 半導體的產生與複合 117 11. 導體、半導體、絕緣體的能帶 118 12. 發光二極體元件結構 119 12.1 典型平面表面出光型 LED 元件結構 119 12.2 基板(砷化鎵、藍寶石、矽、氮化鎵)晶格常數、晶格結構(晶向)價格 123 12.3 同質結構元件能帶圖 123 12.4 異質結構元件能帶圖 124 12.5 封裝後成品 125 13. 參考資料 127 第六章 LED 基本驅動電路  梁從至 1. LED 的電氣特性 130 2. 直流電壓源之 LED 驅動電路之設計 132 3. 電源為市電交流電壓之 LED 驅動電路設計 135 第七章 系統模組設計  歐崇仁 林俊良 1. 前言 144 2. 基礎幾何光學原理的介紹:費馬原理到 SNELL 定律 144 3. 何謂一次光學 149 4. 整體效率之計算 150 5. LED 二次光學原理 152 6. 折射定律於二次光學的應用 154 7. LED 二次光學的設計觀念 155 8. 光形與色座標的關係 156 9. 軟體的校正 157 10. 光源的設定 159 11. 二次光學的模擬程序簡介 160 12. LED 二次光學設計範例:非球面凹透鏡設計理論與模型 162 12.1 基本觀念 163 12.2 建立模型 164 12.3 光源設定 165 12.4 封裝設計 168 12.5 模擬結果與實驗的比對 170 12.6 未來的建議 173 13. 系統模組效率 174 13.1 驅動電路效率 176 13.2 功率因數(Power Factor,簡稱 PF) 176 13.3 諧波失真 THD- total harmonic distortion 176 14. LED 效率 177 14.1 內部量子效率 177 14.2 光取出效率 179 14.3 螢光粉轉換效率 179 14.4 燈具與光學效率 179 15. 封裝材料特性 180 16. 導線架(lead frame) 181 16.1 金屬導線架 182 16.2 陶瓷 (Ceramic)導線架 184 16.3 矽(silicon)導線架 185 16.4 固晶材料 185 16.5 環氧樹脂固晶 186 16.6 共晶(eutetic)固晶 186 16.7 金屬焊線(wire bonding) 187 16.8 封膠材料(encapsulate) 188 17. 參考文獻 188 ...

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簡介 垂直共振腔面射型雷射的發展與量產將近40年,在光通訊與光資訊領域已經成為不可或缺的主動光源最佳解決方案,並在近10年陸續應用在各式各樣的感測器相關用途,因此相關產業也開始進入高速成長期。 本書主要針對大專院校及研究所具備物理、電子電機、材料、半導體與光電科技相關背景的學生以及相關產業研發人員,提供一個進階課程所需的參考書。全書共分為七章,第一章將介紹面射型雷射發展歷程,第二章主要說明半導體雷射操作原理接續第三章針對面射型雷射結構設計考量與第四章動態操作等特性分析,第五章介紹目前最廣泛應用的砷化鎵系列材料面射型雷射製程技術,第六章探討長波長面射型雷射製作技術以及在光通訊、光資訊以及感測技術上的應用,第七章介紹採用氮化鎵系列材料製作短波長面射型雷射之最新進展以及相關應用及發展趨勢。 臺灣在面射型雷射技術研發已經形成涵蓋上中下游的磊晶成長、晶粒製程與封裝模組的完整產業鏈,希望讀者能藉由本書了解相關產業發展概況並激發深入研究的動機與興趣。 目錄 第一章 垂直共振腔面射型雷射的發展 1.1 雷射發展歷史 1.2 面射型雷射發展歷程 1.3 面射型雷射之優點 1.4 面射型雷射初期研發進展 1.5 可見光面射型雷射 1.6 長波長面射型雷射 1.7 多波長與可調波長面射型雷射 1.8 短波長面射型雷射 參考資料 第二章 半導體雷射基本操作原理與結構 2.1 雙異質接面 2.2 半導體光增益與放大特性 2.3 半導體雷射震盪條件 2.3.1 振幅條件 2.3.2 相位條件 2.4 速率方程式與雷射輸出特性 本章習題 參考資料 第三章 VCSEL基本操作原理 3.1 VCSEL與EEL的比較 3.2 布拉格反射鏡 3.2.1 傳遞矩陣 3.2.2 穿透深度 3.2.3 布拉格反射鏡結構設計 3.3 垂直共振腔面射型雷射之特性 3.4 溫度效應 3.5 微共振腔效應 3.6 載子與光學侷限結構 本章習題 參考資料 第四章 高速VCSEL操作動態特性 4.1 小信號響應 4.1.1 弛豫頻率與截止頻率 4.1.2 非線性增益飽和效應 4.1.3 高速雷射調制之設計 4.1.4 小信號速率方程式之暫態解 4.2 大信號響應 4.2.1 導通延遲時間 4.2.2 大信號調制之數值解 4.3 線寬增強因子與啁啾 4.3.1 頻率啁啾與頻率調制 4.3.2 半導體雷射之發光線寬 4.4 相對強度雜訊 本章習題 參考資料 第五章 GaAs-based VCSEL製作技術 5.1 電流侷限方法 5.1.1 增益波導 5.1.2 折射率波導 5.1.3 離子佈植法 5.1.4 氧化侷限法 5.2 面射型雷射製程技術 5.2.1 蝕刻 5.2.2 選擇性氧化 5.2.3 金屬電極製作 本章習題 參考資料 第六章 紅外光VCSEL技術與應用 6.1 紅外光VCSEL元件 6.1.1 InP異質接面/量子井面射型雷射 6.1.2 InGaAs量子井面射型雷射 6.1.3 InGaAsN量子井面射型雷射 6.1.4 InAs量子點面射型雷射 6.2 紅外光VCSEL應用 6.2.1 光通訊應用與高頻操作 6.2.2 光資訊應用與單模操作 6.2.3 感測器應用 6.3 紅外光VCSEL的近期發展 6.3.1 面射型雷射陣列 6.3.2 多接面面射型雷射 6.3.3 下發光面射型雷射 6.3.4 可定址面射型雷射陣列 本章習題 參考資料 第七章 藍紫光VCSEL技術與應用 7.1 藍紫光VCSEL用之反射鏡 7.2 光激發式藍紫光VCSEL 7.3 電激發式藍紫光VCSEL 7.4 藍紫光VCSEL的近期發展 7.4.1 混合式氮化鎵VCSEL 7.4.2 介電質氮化鎵VCSEL 7.4.3 HCG氮化鎵VCSEL 參考資料

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