微波工程 (Pozar: Microwave Engineering 4/E) (4版)
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原文書資訊
書名:Microwave Engineering 4/e, International Adaptation
作者: POZAR
ISBN: 9781119770619
出版社: John Wiley
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書名: 微波工程 (Pozar: Microwave Engineering 4/E)4/E 2016
作者: 郭仁財 編譯 (原著:Pozar)
ISBN: 9789863780809
出版社: 高立
出版年: 2016年
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COMMUNICATIONS RECEIVERS DSP,SOFTWARE RADUOS AND DESIGN (3版)
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射頻技術在行動通訊的應用2/e (2版)
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書名：射頻技術在行動通訊的應用(第2版)
作者：高曜煌
出版社：全華
出版日期：2017/09/21
ISBN：9789864636570
商品簡介
1.作者將過去幾年所收集的各大積體電路中，有很多深入的設計資訊作有系統整理呈現，特別是在系統設計的考量方面。
2.本書在射頻模組的撰寫方式上，採用行為模型表示，省略詳細電路設計，特別著重參數的大小及非線性根由，這對使用軟體模擬很有幫助。
3.本書在第一章特別介紹蜂巢式頻率重覆使用概念及無線行動通訊的特點。
4.本書在第四章特別介紹被動元件與寄生效應，且探討寄生效應對組成的LC電路影響。
5.本章再第六章介紹信號產生器、頻譜儀、網路分析儀及雜訊指數儀等構成基本原理，使學者能正確使用量測設備。
■ 內容簡介
射頻電路的設計及性能表現與通訊理論及製程息息相關，然而傳統的射頻電路設計書籍較少考量數位通訊的需求，造成初學者門檻加大，因此本書的目的是彌補傳統的高頻電路設計與行動通訊需求的落差，使有志於從事射頻技術的讀者能很輕易的進入這個領域。從學生就業觀點而言，學習射頻技術有兩方向，一是射頻積體電路設計工程師，另一是射頻系統工程師，本書目標是針對後者希望培養解決問題的能力所以在書中較強調系統概念。對工程師而言，當然希望將每個規格都做到最好，然而射頻電路的設計常受到多個參數互相影響，射頻元件的寄生對電路性能的影響常需要做折衷，本書著重參數之間設計最佳化的折衷，亦強調傅利葉分析的重要性。各大積體電路有很多深入的設計資訊會發表在IEEE科學文獻中，作者將過去幾年所收集的資料作有系統整理呈現，特別是在射頻系統設計的考量方面。
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【中文書】
書名：射頻鎖相迴路IC設計(第二版)
作者：高曜煌
出版社：滄海
出版日期：2017/07/00
ISBN：9789865647766
內容簡介
頻率合成器是各種通信IC的心臟，是近代無線通信系統必備電路，本書系統應用面及積體電路設計兩者兼顧，同時類比與數位積體電路兼顧，提供多種CMOS製程的電路，並詳細闡述各種電路的由來，使讀者瞭解電路演進過程，包含MATLAB程式例提供快速的模擬學習。
目錄
第一部分 基礎部分
第1章 緒論
第2章 鎖相迴路基本原理
第3章 相位雜訊
第4章 頻率合成器
第二部分 積體電路設計部分
第5章 CMOS壓控振盪器
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無線通訊射頻晶片模組設計 ~ 射頻晶片篇2/e (2版)
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書名 : 無線通訊射頻晶片模組設計－射頻晶片篇(第二版)
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內容簡介
本書內容包含微波半導體元件與模型、射頻放大器、功率放大器與線性化技術、振盪器及混頻器。且特別注重文獻參考資料，以彰顯射頻知識的傳承。另外為增加思考廣度，列舉了不同的電路分析方法。本書適用於私立大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程。
本書特色
1.針對無線通訊產品中之射頻晶片(含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片)作詳盡之介紹。
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3.重視文獻回顧，以彰顯射頻知識的沿革。
4.提供模擬和實作例題，以便使讀者更加了解射頻晶片。
目錄
第7章 半導體元件與模型
7.1 半導體物理概述 2
7.2 二極體元件 17
7.3 雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor , BJT) 26
7.4 異質接面雙極性電晶體(Hetrojunction Bipolar Transistor, HBT) 32
7.5 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET) 35
7.6 金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) 37
7.7 金半場效電晶體(Metal- Semiconductor Field Effect Transistor , MESFET) 42
7.8 高速電子移動電晶體(High Electron Mobility Transistor , HEMT) 43
7.9 半導體參數測試及元件特性分析 47
7.10 微波元件特性及模型 49
第8章 射頻放大器
8.1 混成射頻放大器與單晶射頻放大器 66
8.2 輸出與輸入功率的比值-增益 69
8.3 訊號波流理論(Signal Flow Theory) 73
8.4 穩定度分析 83
8.5 消除不穩定的方法 91
8.6 直流偏壓電路 103
8.7 單向增益匹配 108
8.8 雙向增益匹配 111
8.9 功率匹配 115
8.10 雜訊匹配 119
8.11 設計實例 125
第9章 功率放大器與線性化技術
9.1 功率放大器特性之概述 148
9.2 功率放大器之類別 150
9.3 克里普斯(Cripps)負載線法 166
9.4 負載拉挽方法(Load-Pulling Method) 175
9.5 回饋線性化技術 177
9.6 前饋線性化(Feedforward Linearization)技術 184
9.7 前置失真技術(Pre-Distortion) 186
9.8 封包消弭與回復技術(Envelope Elimination and Restoration) 188
9.9 功率放大器設計實例 189
第10章 振盪器
10.1 簡介 200
10.2 形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法 202
10.3 形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法 206
10.4 形成振盪的必要條件-小訊號S參數分析法 211
10.5 形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法 215
10.6 形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法 219
10.7 穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法 226
10.8 穩定振盪功率-大訊號S參數分析法 230
10.9 負載拉挽效應 233
10.10 注入鎖定效應 236
10.11 評估振盪器效能之各項參數 238
10.12 設計實例 241
第11章 混頻器
11.1 混頻器之發展與效能參數 260
11.2 單端二極體混頻器 264
11.3 單平衡二極體混頻器 275
11.4 雙平衡二極體混頻器 294
11.5 單閘極MESFET混頻器 302
11.6 雙閘極MESFET混頻器 306
11.7 平衡型MESFET混頻器 308
11.8 電阻型MESFET混頻器 312
11.9 單端MOSFET混頻器 316
11.10 平衡型MOSFET混頻器 318
11.11 電阻型MOSFET混頻器 330
11.12 平衡型BJT混頻器 332
11.13 次諧波驅動混頻器 333
11.14 鏡像拒斥降頻器 336
11.15 單邊帶升頻器 339
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