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高分子流變學 (2版)
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高分子流變學(第二版) +作者：劉士榮編著 +年份：2005 年2 版 +ISBN：9867287061 +書號：ME0278 +規格：16開/平裝 +頁數：400 +出版商：滄海 本書主要介紹高分子材料的各種流變特性，內容深入淺出，涵蓋基礎之高分子流變性質，理論分析與模式導證及各種流變特性在實際高分子加工之應用，本書除適合大專院校教授基礎高分子流變學外，亦適合高分子產業人員了解基本材料特性與解決製程問題之方法，唯有熟知這些高分子流變特性，許多在塑膠加工過程中所遭遇的問題方可迎刃而解。 第1章 高分子科學簡介 第2章 工程塑膠及其應用 第3章 基本流體力學回顧 第4章 高分子的剪稀薄特性 第5章 剪黏度的量測 第6章 正向應力與拉伸黏度 第7章 高分子的黏彈性 第8章 材料鑑定與問題排除 第9章 剪切熱 第10章 押出膨脹 第11章 熔液破裂與鯊魚皮 第12章 分子結構與流變特性 第13章 聚氯乙烯
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書名：高分子流變學 作者：李迎龍/陳徹/芮祥鵬編著 出版社：滄海書局 出版日期：2018/05/00 ISBN：9789863630500 內容簡介 所謂的流變學主要是研究物體在外力作用下，物體的變形和流動的學科(0-01)，所以研究的對象包括有「流體」、還有「軟固體」、或者在某些條件下可以流動而不是彈性形變的固體。簡單的說就是研究流體及帶有流體性質的固體。根據這樣的認知，流變學可以應用的範圍可以說是非常的廣泛，包括了泥漿、污泥、懸浮液、聚合物、食品、體液和許多的生物材料。 目錄 第一章：歷史的回顧 第二章：高分子材料 第三章：動態黏彈學 第四章：高分子的黏彈性質 第五章：高分子溶液 第六章：共聚合高分子 第七章：橡膠彈性
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高分子加工 +作者：劉士榮編著 +年份：2010 年1 版 +ISBN：9789866184000 +書號：ME0322 +規格：16開/平裝/單色 +頁數：344 +出版商：滄海 ●由淺而深介紹不同高分子材料、結構及特性。 ●高分子流變簡介及在加工上之應用。 ●基礎流體力學與黏彈力學原理與模式之推導。 ●基本高分子加工原理(包括熱塑性及熱固性高分子加工)之深入解說。 ●各種高分子加工製程理論分析與製程設計。 ●各式加工機械、模具與製程條件之介紹。 ●詳細剖析加工製程可能產生問題及解決方法。 目錄 1 高分子科學簡介 2 基本流體力學回顧 3 高分子流變特性 4 高分子的黏彈性 5 押出機 6 押出成形 7 射出成形 8 流體輔助射出成形 9 微成形加工 10 熱壓、吹瓶與旋轉成形 11 熱固性高分子加工 12 發泡成形
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【簡介】 本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。 1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。 【目錄】 第一章 導論 1.1 簡史 1.2 概述 1.3 本章總結 習題 參考文獻 第二章 積體電路製程介紹 2.1 IC製程簡介 2.2 IC的良率 2.3 無塵室技術 2.4 IC晶圓廠的基本結構 2.5 IC測試與封裝 2.6 近期的發展 2.7 本章總結 習題 參考文獻 第三章 半導體基礎 3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 IC晶片 3.4 IC基本製程 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 3.7 本章總結 習題 參考文獻 第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷 4.4 從矽砂到晶圓 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 未來趨勢 4.8 本章總結 習題 參考文獻 第五章 加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備 5.3 氧化製程 5.4 擴散 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程近年發展 5.9 本章總結 習題 參考文獻 第六章 微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻 6.3 微影製程 6.4 微影技術的發展趨勢 6.5 其他微影製程方法 6.6 極紫外光(EUV)微影技術 6.7 安全性 6.8 本章總結 習題 參考文獻 第七章 電漿製程 7.1 簡介 7.2 電漿基本概念 7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.9 遠距電漿製程 7.10 高密度電漿(HDP)製程 7.11 本章總結 習題 參考文獻 第八章 離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備 8.4 離子佈植製程 8.5 安全性 8.6 近年發展及應用 8.7 本章總結 習題 參考文獻 第九章 蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎 9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量 9.8 最新進展 9.9 本章總結 習題 參考文獻 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG) 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔 10.9 新千禧年的介電質材料 10.10 本章總結 習題 參考文獻 第十一章 金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜 11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程 11.7 最新進展 11.8 安全性 11.9 本章總結 習題 參考文獻 第十二章 化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程 12.6 CMP製程近年發展 12.7 本章總結 習題 參考文獻 第十三章 半導體製程整合 13.1 簡介 13.2 晶圓準備 13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 高k金屬閘極MOSFET 13.7 連線技術 13.8 鈍化 13.9 本章總結 習題 參考文獻 第十四章 IC製程技術 14.1 簡介 14.2 1980年代CMOS製程流程 14.3 1990年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程 14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結 習題 參考文獻 第十五章 3D IC元件的製造過程 15.1 引言 15.2 埋入式閘極字元線DRAM 15.3 3D-NAND 快閃記憶體 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造 15.5 本章總結 習題 參考文獻 第十六章 總結與未來趨勢 參考文獻
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