【中文翻譯書】
書名 :半導體製造技術
原文書名:Semiconductor Manufacturing Technology
原文作者:Michael Quirk
中文譯者:羅文雄
初版日期:2016
出版社:滄海
ISBN:9789867727701
本書特色
●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面
皆做完整詳盡的介紹。
●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。
●對大專在學學生及實際線上工程師而言,皆是一本優良的課程
教材及技術入門手冊。
校閱者簡介
劉文超
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
許渭州
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長
國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
譯者簡介
羅文雄
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授
蔡榮輝
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立高雄師範大學物理系副教授
鄭岫盈
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 亞東技術學院電機工程系助理教授
本書目錄
第1章
半導體工業簡介
第2章
半導體材料特性
第3章
元件技術
第4章
矽與晶圓準備
第5章
半導體製造之化學特性
第6章
半導體製造廠之污染控制
第7章
量測與缺陷
第8章
製程反應室之氣體控制
第9章
IC製造概述
第10章
氧化
第11章
沈積
第12章
金屬化
第13章
微影:氣相塗底至軟烤
第14章
微影:對準與曝光
第15章
微影:光阻顯影與先進雕像
第16章
蝕刻
第17章
離子植入
第18章
化學機械平坦化
第19章
晶圓測試
第20章
裝配與封裝
附錄A
化學品及其安全性
附錄B
無塵室中的污染控制
附錄C
單位
附錄D
以氧化物厚度為函數的顏色
附錄E
光阻化學品概論
附錄F
蝕刻化學品
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【簡介】
本書內容涵蓋基礎半導體知識到產業應用,幫助讀者了解最新知識與技術,全書共七章,第一章將回顧半導體的發展歷程與產業概況。第二章至第五章則依序探討半導體的核心領域,包括IC設計、製程技術、半導體記憶體與封裝技術。在第六章中,將介紹當前最受矚目的第三類半導體材料與新興技術,例如氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)。最後,第七章將分析半導體產業的未來發展趨勢,並探討臺灣在全球半導體供應鏈中的角色與競爭優勢。作為全球半導體產業的重要樞紐,臺灣憑藉先進製程技術與完整供應鏈,在全球市場占據關鍵地位。
本書特色
1.深入探討半導體製程技術:詳細介紹半導體晶圓製造流程,包括氧化、擴散、薄膜、微影及蝕刻製程,讓讀者深入理解製程技術的核心概念。
2.涵蓋先進材料與元件技術:專章介紹第三類半導體寬能隙材料與元件,以及功率半導體元件的應用,提供新興技術的最新資訊。
3.展望產業未來發展趨勢:分析半導體產業的未來展望,探討新興技術的發展方向,幫助讀者掌握產業脈動,預測未來趨勢。
【目錄】
CH1 簡介及概述
1-1 積體電路技術導論
1-2 半導體產業概述
CH2 IC設計
2-1 IC設計歷史背景
2-2 IC設計方法介紹(methodology)
2-3 IC設計與元件模型
2-4 各類IC積體電路應用
CH3 晶圓代工
3-1 作業環境
3-2 半導體製程
CH4 記憶體
4-1 半導體記憶體介紹
4-2 動態隨機存取記憶體(DRAM)
4-3 快閃記憶體(Flash memory)
4-4 前瞻式非揮發性記憶體(Emergy memory)
CH5 封裝測試
5-1 封裝前言
5-2 封裝製程
5-3 IC封裝技術
5-4 IC封裝的未來與挑戰
CH6 第三類半導體及新興技術
6-1 第三類寬能隙半導體概論
6-2 功率半導體元件介紹
6-3 氮化鎵功率半導體元件
6-4 碳化矽功率半導體元件
6-5 第三類半導體產業未來發展趨勢
CH7 結語與展望
習題演練
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半導體元件物理-觀念解析與實務應用 2版 (2版)
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【簡介】
本書內容可以作為一學期或一學年兩學期之半導體元件物理的課程教材使用,也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念,強調觀念與實務兼顧,因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學,但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋,並盡可能以共通的基本原理原則,貫通前後章節的知識概念,使讀者輕易掌握其中條理脈絡,以內化成自己紮實的知識。因此,對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識,可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題,會是很好的切入點。
相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍,本書的特色至少包括:
涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。
以直觀的「物理現象」與「電機概念」,用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。
各章節中對於基礎、重要的內容,屬於讀者必須瞭解的觀念或公式,均提供作者特別設計之經典題型的「範例」,其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。
各章節中對於容易混淆的觀念或公式,均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說,讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果,而能吸收內化成為自己的知識,歷久不忘。
各章節中基礎、重要的內容,均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型,然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 ),作者均設計補足。
【目錄】
1 導 論
2 半導體材料與晶體結構
3 半導體能帶觀念
4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度
5 導電載子的傳輸
6 非平衡狀態時的過量載子
7 PN接面
8 PN接面二極體
9 理想MOS結構
10 實際MOS元件
11 MOSFET元件
附錄A 物理常數
附錄B 轉換因數
附錄C 溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質
附錄D 溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質
附錄E Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係
中英文索引
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