半導體製程與整合(THC) (1版)
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【簡介】
本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。
先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。
材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。
半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。
本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。
【目錄】
第一章 半導體積體電路發展
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
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【簡介】
本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。
1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。
2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。
3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。
【目錄】
第一章 導論
1.1 簡史
1.2 概述
1.3 本章總結
習題
參考文獻
第二章 積體電路製程介紹
2.1 IC製程簡介
2.2 IC的良率
2.3 無塵室技術
2.4 IC晶圓廠的基本結構
2.5 IC測試與封裝
2.6 近期的發展
2.7 本章總結
習題
參考文獻
第三章 半導體基礎
3.1 半導體基本概念
3.2 半導體基本元件
3.3 IC晶片
3.4 IC基本製程
3.5 互補式金屬氧化物電晶體
3.6 2000後半導體製程發展趨勢
3.7 本章總結
習題
參考文獻
第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程
4.1 簡介
4.2 為什麼使用矽材料
4.3 晶體結構與缺陷
4.4 從矽砂到晶圓
4.5 磊晶矽生長技術
4.6 基板工程
4.7 未來趨勢
4.8 本章總結
習題
參考文獻
第五章 加熱製程
5.1 簡介
5.2 加熱製程的硬體設備
5.3 氧化製程
5.4 擴散
5.5 退火過程
5.6 高溫化學氣相沉積
5.7 快速加熱製程(RTP)系統
5.8 加熱製程近年發展
5.9 本章總結
習題
參考文獻
第六章 微影製程
6.1 簡介
6.2 光阻
6.3 微影製程
6.4 微影技術的發展趨勢
6.5 其他微影製程方法
6.6 極紫外光(EUV)微影技術
6.7 安全性
6.8 本章總結
習題
參考文獻
第七章 電漿製程
7.1 簡介
7.2 電漿基本概念
7.3 電漿中的碰撞
7.4 電漿參數
7.5 離子轟擊
7.6 直流偏壓
7.7 電漿製程優點
7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器
7.9 遠距電漿製程
7.10 高密度電漿(HDP)製程
7.11 本章總結
習題
參考文獻
第八章 離子佈植製程
8.1 簡介
8.2 離子佈植技術簡介
8.3 離子佈植技術硬體設備
8.4 離子佈植製程
8.5 安全性
8.6 近年發展及應用
8.7 本章總結
習題
參考文獻
第九章 蝕刻製程
9.1 蝕刻製程簡介
9.2 蝕刻製程基礎
9.3 濕式蝕刻製程
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程
9.5 電漿蝕刻製程
9.6 蝕刻製程發展趨勢
9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量
9.8 最新進展
9.9 本章總結
習題
參考文獻
第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜
10.1 簡介
10.2 化學氣相沉積
10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC
10.4 介電質薄膜特性
10.5 介電質CVD製程
10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG)
10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD)
10.8 介電質CVD反應室清潔
10.9 新千禧年的介電質材料
10.10 本章總結
習題
參考文獻
第十一章 金屬化製程
11.1 簡介
11.2 導電薄膜
11.3 金屬薄膜特性
11.4 金屬化學氣相沉積
11.5 物理氣相沉積
11.6 銅金屬化製程
11.7 最新進展
11.8 安全性
11.9 本章總結
習題
參考文獻
第十二章 化學機械研磨製程
12.1 簡介
12.2 CMP硬體設備
12.3 CMP研磨漿
12.4 CMP基本理論
12.5 CMP製程
12.6 CMP製程近年發展
12.7 本章總結
習題
參考文獻
第十三章 半導體製程整合
13.1 簡介
13.2 晶圓準備
13.3 隔離技術
13.4 井區形成
13.5 電晶體製造
13.6 高k金屬閘極MOSFET
13.7 連線技術
13.8 鈍化
13.9 本章總結
習題
參考文獻
第十四章 IC製程技術
14.1 簡介
14.2 1980年代CMOS製程流程
14.3 1990年代CMOS製程流程
14.4 2000年代CMOS製程流程
14.5 2010年代CMOS製程流程
14.6 記憶體晶片製造製程
14.7 本章總結
習題
參考文獻
第十五章 3D IC元件的製造過程
15.1 引言
15.2 埋入式閘極字元線DRAM
15.3 3D-NAND 快閃記憶體
15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造
15.5 本章總結
習題
參考文獻
第十六章 總結與未來趨勢
參考文獻
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物理：電磁學與光學篇(附部分內容光碟) (11版)
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【中文翻譯書】
書名：物理 力學與熱學篇/電磁學與光學篇(第十一版)
原文書名：Principles of Physics 11/E
編譯：葉泳蘭/林志郎
作者：David Halliday、Robert Resnick、Jearl Walker
出版社：全華
ISBN：9789865035136 / 9786263280366
簡介
本書取材包羅萬象，以生活化的例子，引導讀者進入物理的領域。解題除了有詳細的解說，並帶領讀者了解主要關鍵點為何。這是在其他相關書籍中不常見的。希望讀者在閱讀本書時，先了解理論再多利用練習題增加理解的深度。本書適合做為大學、科大理工相關科系「物理」課程經典級教科書。
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書名：電路板製造與應用問題改善指南
作者：林定皓
出版社：全華
出版日期：2018/09/00
ISBN：9789864638659
內容簡介
本書以前人解決問題的經驗編寫而成，內容涵蓋故障判讀、恰當切片、簡要製程介紹、常見缺點與解決方法解析，並針對不同技術可能發生的問題，適當編入相關議題，並盡量達到與實際作業相符，方便讀者閱讀比對，本書適用於電路板相關從業人員使用。
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書名：半導體製造裝置
作者：鄭正忠
出版社：普林斯頓
出版日期：2003/12/00
ISBN：9789867688309
內容簡介
本書共分為10章。第○章是解說半導體製造裝置的相關產業；第一章針對半導體元件之製造工程做介紹，之後第二章針對隨著半導體製造進步而一路發展而來的半導體製造裝置之歷史做一回顧。第三章至第五章則先對半導體製造裝置之角色、分類、構造、方式做說明，隨即說明各設備的內容。第六章則是從半導體工廠之現場的觀點來看半導體製造裝置。
第七章以後，將以更寬廣的觀點來看半導體製造裝置。第七章介紹的是半導體製造裝置的技術要素，第八章是半導體製造裝置技術的發展期程(Roadmap)，第九章則是介紹21世紀之半導體製造裝置。
目錄
第○章 半導體製造裝置的世界
第一章 半導體元件製造工程
第二章 半導體製造裝置的技術史
第三章 半導體製造裝置之種類及角色
第四章 半導體製造裝置之構成及方式
第五章 半導體製造裝置之實例及概要
第六章 半導體製造裝置之現場
第七章 半導體製造裝置之技術要素
第八章 半導體製造裝置技術之發展期望
第九章 21世紀之半導體製造裝置─半導體製造裝置進化論
進一步學習半導體製造裝置的參考書
引用文獻及資料
英中文索引
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SEMICONDUCTOR MANUFACTURING TECHNOLOGY
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書名：Semiconductor Manufacturing Technology IE
作者：Michael Quirk
出版社：PEARSON
ISBN：9789861541174
原價:
1080
售價:
1004
現省:
76元
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半導體製程概論(May：Fundamentals of Semiconductor Fabrication)
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書名：半導體製程概論(增訂版)(May：Fundamentals of Semiconductor )
作者：施敏、 梅凱瑞
出版社：交大出版社
ISBN：9789866301896
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半導體製程入門：從零開始了解晶片製造 (1版)
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書名：看圖讀懂半導體製造裝置
作者：菊地正典/譯者: 張萍
出版商：世茂出版有限公司
出版日期：2022-07-28
ISBN：9786267172001
內容簡介
DESCRIPTION
清華大學動力機械工程學系教授 羅丞曜 審訂
得半導體得天下？
要想站上世界的頂端，就一定要了解什麼是半導體！
半導體可謂現在電子產業的大腦，從電腦、手機、汽車到資料中心伺服器，其中具備的智慧型功能全都要靠半導體才得以完成，範圍廣布通信、醫療保健、運輸、教育等，因此半導體可說是資訊化社會不可或缺的核心要素！
半導體被稱為是「產業的米糧、原油」，可見其地位之重要
臺灣半導體產業掌握了全球的科技，不僅薪資傲人，產業搶才甚至擴及到了高中職！
但，到底什麼是半導體？半導體又是如何製造而成的呢？
本書詳盡解說了製造半導體的主要裝置，並介紹半導體所有製程及其與使用裝置的關係，從實踐觀點專業分析半導體製造的整體架構，輔以圖解進行細部解析，幫助讀者建立系統化知識，深入了解裝置的構造、動作原理及性能。
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【簡介】
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。
在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
【目錄】
序
致謝
第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇
0.1 設備維修該有的認知及態度
0.2 設備安全標示的認識
0.2.1 設備安全標示的認識
0.2.2 個人防護裝備的認識
0.3 設備機電系統的定義及分類
類比控制系統
數位控制系統
0.4 設備控制系統
0.5 常見電路圖圖示認識
0.6 半導體導論
參考資料
第一章 擴散設備（Diffusion）篇
1.1 爐管（Furnace）
1.1.1 爐管設備系統架構
1.1.2 爐管製程介紹
1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹
1.1.4 經驗分享
1.2 離子植入（Ion Implant）
1.2.1 離子植入製程基礎原理
1.2.2 離子植入機設備系統簡介
1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介
1.2.4 離子植入製程後的監控與量測
1.2.5 離子植入機操作注意事項
1.2.6 離子植入製程問題討論與分析
參考文獻 101
第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇
2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法
2.1.1 濕式清洗的目的
2.1.2 濕式蝕刻的目的
2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響
2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術
2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨
2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除
2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術
2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術
2.3 化學品供應系統
2.3.1 化學品分類
2.3.2 化學品供應系統
2.4 wet bench結構與循環系統
2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構
2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統
2.4.3 循環系統與乾燥系統
參考文獻
第三章 薄膜設備（Thin Films）篇
3.1 電漿（Plasma）
3.1.1 電漿產生的原理
3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器
3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD）
3.2.0 簡介
3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）
3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD）
3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD）
3.3.1 熱蒸鍍
3.3.2 電子束蒸鍍
3.3.3 濺鍍
參考文獻
第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇
4.0 前言
4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher）
4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors）
4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹
4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE）
4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE）
4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE）
4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors）
4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC）
4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP）
4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR）
4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP）
4.2 晶圓固定與控溫設備
4.3 終點偵測裝置（End point detectors）
4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes）
4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較
4.4.2 乾式蝕刻機制
4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象
4.4.4 各式製程蝕刻說明
4.5 總結
參考文獻
第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇
5.1 前言 256
5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer）
5.2.1 光阻塗佈系統（Coater）
5.2.2 顯影系統（Developer）
5.3 曝光系統（Exposure System）
5.3.1 光學微影（Optical Lithography）
5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography）
5.4 現在與未來
5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography）
5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography）
5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography）
5.5 工作安全提醒
參考文獻
第六章 研磨設備（Polishing）篇
6.1 前言
6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP）
6.2.1 研磨頭
6.2.2 研磨平臺
6.2.3 研磨漿料控制系統
6.2.4 清洗／其他
6.3 研磨漿料
6.4 化學機械研磨製程中常見的現象
6.5 化學機械研磨常用的化學品
參考文獻
第七章 IC製造概述篇
7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow）
前段製程（FEOL）
後段製程（BEOL）
7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹
四種基本及重要的電荷
高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve）
7.3 鰭式電晶體元件製造流程（FinFET Device Process Flow）
PMOS鰭式場效應電晶體（PMOS bulk FinFET）製造流程
7.4 碳化矽高功率元件（SiC Power Device）—接面位障蕭特基二極體（Junction Barrier Schottky Diode, JBSD）製造流程
7.5 氮化鎵功率元件製造流程（GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow）
參考文獻
第八章 控制元件檢測及維修篇
8.1 簡介
8.2 維修工具的使用
8.2.1 一般性維修工具組
8.2.2 三用電表的使用
8.2.3 示波器 （oscilloscope）的使用
8.2.4 數位邏輯筆的使用
8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器
8.3.1 電源供應器（Power Supply）
8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller）
8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping motor）
8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC）
8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve）
8.3.6 感測器（Sensor）
8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC）
參考文獻
索引
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