半導體物理與元件 (4版)
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原文書資訊
書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE)
作者: NEAMEN
ISBN: 9780071089029
出版社: Mc Graw Hill
出版年: 2012年
中文書資訊
書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles)
作者: NEAMEN/ 楊賜麟
ISBN: 9789861578255
出版社: 東華
出版年: 2012年
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半導體製程與整合(THC) (1版)
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【簡介】
本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術,首先介紹基礎半導體知識,以及基礎的模組製程。此外,本書更以四百張以上圖例,詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術,以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。
先進的半導體製程技術,如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程,都有詳細的說明與探討。
材料分析技術,如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等,都涵蓋實例應用說明。
半導體製程未來發展趨勢,包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC),皆有詳細說明。
本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書,適合大專院校相關理工科系,也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。
【目錄】
第一章 半導體積體電路發展
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
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半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)
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【中文翻譯書】
書名:半導體元件物理與製作技術第三版
原文書名:Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E
作者: 施敏、李明逵
譯者:曾俊元
出版社:國立交通大學
出版日期:2013/08
ISBN:9789866301568
內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年,以「非揮發性記憶體」的發明,奠定其半導體界的地位;李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材,也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為,我們修正並更新了35% 的教材,增加了許多章節討論近年來較重要的題目,如互補式金氧半影像感測器(CMOS image sensors)、鰭式場效電晶體(FinFET)、第三代太陽能電池(3rd generation solar cells)與原子層沉積(atomic layer deposition)。此外,我們刪除或減少了一些較不重要的章節,以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體(MOSFET)對於電子產品的應用愈來愈重要,因此,我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外,在通訊與能源材料方面,我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性,含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
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半導體元件(Streetman 7/e) (7版)
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原文書資訊
書名:SOLID STATE ELECTRONIC DEVICES 7/E 2015<Pearson Education, Inc.>
作者: STREETMAN
ISBN: 9781292060552
出版社: Pearson Education, Inc.
出版年: 2015年
中文書資訊
書名: 半導體元件(Streetman 7/e) 7/E 2017 <滄海書局>
作者: Streetman/ 龔正 鄭岫盈
ISBN: 9789862803646
出版社: 鼎隆
出版年: 2017年
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【簡介】
【目錄】
第 1 章 元件應用基礎觀念
第 2 章 半導體基礎觀念
第 3 章 半導體載子傳導基礎觀念
第 4 章 pn接面基礎觀念
第 5 章 雙極性接面電晶體(BJT)基礎觀念
第 6 章 金半(MS)接觸基礎觀念
第 7 章 金氧半(MOS)結構基礎觀念
第 8 章 金氧半場效電晶體(MOSFET)基礎觀念
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【簡介】
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料,大部分是應用於光電領域,如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域,主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體,也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。
在未來的日子,我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作,到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務,所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享,讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術,有一個全觀的認識,以提升職場的競爭力。
【目錄】
序
致謝
第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇
0.1 設備維修該有的認知及態度
0.2 設備安全標示的認識
0.2.1 設備安全標示的認識
0.2.2 個人防護裝備的認識
0.3 設備機電系統的定義及分類
類比控制系統
數位控制系統
0.4 設備控制系統
0.5 常見電路圖圖示認識
0.6 半導體導論
參考資料
第一章 擴散設備(Diffusion)篇
1.1 爐管(Furnace)
1.1.1 爐管設備系統架構
1.1.2 爐管製程介紹
1.1.3 製程程序步驟(Recipe)介紹
1.1.4 經驗分享
1.2 離子植入(Ion Implant)
1.2.1 離子植入製程基礎原理
1.2.2 離子植入機設備系統簡介
1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介
1.2.4 離子植入製程後的監控與量測
1.2.5 離子植入機操作注意事項
1.2.6 離子植入製程問題討論與分析
參考文獻 101
第二章 濕式蝕刻與清潔設備(wet bench)篇
2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法
2.1.1 濕式清洗的目的
2.1.2 濕式蝕刻的目的
2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響
2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術
2.2.1 晶圓表面有機汙染(organic contamination)洗淨
2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除
2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術
2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術
2.3 化學品供應系統
2.3.1 化學品分類
2.3.2 化學品供應系統
2.4 wet bench結構與循環系統
2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備(wet bench)結構
2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備(wet bench)傳動系統
2.4.3 循環系統與乾燥系統
參考文獻
第三章 薄膜設備(Thin Films)篇
3.1 電漿(Plasma)
3.1.1 電漿產生的原理
3.1.2 射頻電漿電源(RF Generator)的功率量測儀器
3.2 化學氣相沉積設備系統(Chemical Vapor Deposition, CVD)
3.2.0 簡介
3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積(PECVD)
3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統(ALD、MBE、MOCVD)
3.3 物理氣相沉積設備系統(Physical Vapor Deposition, PVD)
3.3.1 熱蒸鍍
3.3.2 電子束蒸鍍
3.3.3 濺鍍
參考文獻
第四章 乾式蝕刻設備(Dry Etcher)篇
4.0 前言
4.0.1 乾式蝕刻機(Dry Etcher)
4.0.2 蝕刻腔體設計概念(Design Factors)
4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹
4.1.1 反應式離子蝕刻機(Reactive Ion Etcher, RIE)
4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統(Triode RIE)
4.1.3 磁場增進式平行板電極(Magnetically Enhance RIE, MERIE)
4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體(High Density Plasma Reactors)
4.1.5 多極式磁場侷限式電漿(Magnetic Multipole Confinement, MMC)
4.1.6 電感應偶合電漿(Inductive Couple Plasma, ICP)
4.1.7 電子迴旋共振式電漿(Electron Cyclotron Resonance, ECR)
4.1.8 螺旋微波電漿源(Helicon Wave Plasma Source, HWP)
4.2 晶圓固定與控溫設備
4.3 終點偵測裝置(End point detectors)
4.4 乾式蝕刻製程(Dry Etching Processes)
4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較
4.4.2 乾式蝕刻機制
4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象
4.4.4 各式製程蝕刻說明
4.5 總結
參考文獻
第五章 黃光微影設備(Photolithography)篇
5.1 前言 256
5.2 光阻塗佈及顯影系統(Track system : Coater / Developer)
5.2.1 光阻塗佈系統(Coater)
5.2.2 顯影系統(Developer)
5.3 曝光系統(Exposure System)
5.3.1 光學微影(Optical Lithography)
5.3.2 電子束微影(E-beam Lithography)
5.4 現在與未來
5.4.1 浸潤式微影(Immersion Lithography)
5.4.2 極紫外光微影(Extreme Ultraviolet Lithography)
5.4.3 多電子束微影(Multi-Beam Lithography)
5.5 工作安全提醒
參考文獻
第六章 研磨設備(Polishing)篇
6.1 前言
6.2 化學機械研磨系統(Chemical Mechanical Polishing, CMP)
6.2.1 研磨頭
6.2.2 研磨平臺
6.2.3 研磨漿料控制系統
6.2.4 清洗/其他
6.3 研磨漿料
6.4 化學機械研磨製程中常見的現象
6.5 化學機械研磨常用的化學品
參考文獻
第七章 IC製造概述篇
7.1 互補式金氧半電晶體製造流程(CMOS Process Flow)
前段製程(FEOL)
後段製程(BEOL)
7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹
四種基本及重要的電荷
高頻的電容對電壓特性曲線(C-V curve)
7.3 鰭式電晶體元件製造流程(FinFET Device Process Flow)
PMOS鰭式場效應電晶體(PMOS bulk FinFET)製造流程
7.4 碳化矽高功率元件(SiC Power Device)—接面位障蕭特基二極體(Junction Barrier Schottky Diode, JBSD)製造流程
7.5 氮化鎵功率元件製造流程(GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow)
參考文獻
第八章 控制元件檢測及維修篇
8.1 簡介
8.2 維修工具的使用
8.2.1 一般性維修工具組
8.2.2 三用電表的使用
8.2.3 示波器 (oscilloscope)的使用
8.2.4 數位邏輯筆的使用
8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器
8.3.1 電源供應器(Power Supply)
8.3.2 溫度控制器(Temperature Controller)
8.3.3 伺服與步進馬達(Servo and Stepping motor)
8.3.4 質流控制器(Mass Flow Controller, MFC)
8.3.5 電磁閥(Solenoid Valve)
8.3.6 感測器(Sensor)
8.3.7 可程式邏輯控制器(PLC)
參考文獻
索引
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【中文翻譯書】
書名 :半導體製造技術
原文書名:Semiconductor Manufacturing Technology
原文作者:Michael Quirk
中文譯者:羅文雄
初版日期:2016
出版社:滄海
ISBN:9789867727701
本書特色
●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面
皆做完整詳盡的介紹。
●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。
●對大專在學學生及實際線上工程師而言,皆是一本優良的課程
教材及技術入門手冊。
校閱者簡介
劉文超
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
許渭州
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長
國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
譯者簡介
羅文雄
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授
蔡榮輝
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立高雄師範大學物理系副教授
鄭岫盈
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 亞東技術學院電機工程系助理教授
本書目錄
第1章
半導體工業簡介
第2章
半導體材料特性
第3章
元件技術
第4章
矽與晶圓準備
第5章
半導體製造之化學特性
第6章
半導體製造廠之污染控制
第7章
量測與缺陷
第8章
製程反應室之氣體控制
第9章
IC製造概述
第10章
氧化
第11章
沈積
第12章
金屬化
第13章
微影:氣相塗底至軟烤
第14章
微影:對準與曝光
第15章
微影:光阻顯影與先進雕像
第16章
蝕刻
第17章
離子植入
第18章
化學機械平坦化
第19章
晶圓測試
第20章
裝配與封裝
附錄A
化學品及其安全性
附錄B
無塵室中的污染控制
附錄C
單位
附錄D
以氧化物厚度為函數的顏色
附錄E
光阻化學品概論
附錄F
蝕刻化學品
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半導體元件物理學第四版(上冊) (4版)
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半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
內容簡介
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍
《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。
Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。
全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章,下冊預定於2022年12月出版)
第四版特色
1.超過50%的材料資訊被校正或更新,完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。
2.保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。
3.提供實務範例、表格、圖形和插圖,幫助整合主題的發展,每章附有大量問題集,可作為課堂教學範例。
4.每章皆有關鍵性的論文作為參考,以提供進一步的閱讀。
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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半導體元件物理學第四版(下冊) (4版)
其他會員也一起購買
半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
上冊目錄
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
半導體元件物理學第四版(下冊)
ISBN13:9789865470562
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/592頁
規格:23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚)
版次:初
出版日:2022/12/30
中文圖書分類:電子工程
下冊目錄
序言
譯者序一
譯者序二
導論
第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體
8.1 簡介
8.2 JFET 和MESFET
8.3 調變摻雜場效電晶體
第四部分 負電阻以及功率元件
第九章 穿隧元件
9.1 簡介
9.2 穿隧二極體
9.3 相關穿隧元件
9.4 共振穿隧二極體
第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件
10.1 簡介
10.2 衝擊離子化累增渡時二極體
10.3 電子轉移元件
10.4 實空間轉移元件
第十一章 閘流體和功率元件
11.1 簡介
11.2 閘流體基本特性
11.3 閘流體的種類
11.4 其他功率元件
第五部分 光子元件和感應器
第十二章 發光二極體和雷射
12.1 簡介
12.2 輻射躍遷
12.3 發光二極體
12.4 雷射物理
12.5 雷射操作特性
12.6 特殊雷射
第十三章 光偵測器和太陽能電池
13.1 簡介
13.2 光導體
13.3 光二極體
13.4 累增光二極體
13.5 光電晶體
13.6 電荷耦合元件
13.7 金屬-半導體-金屬光偵測器
13.8 量子井近紅外光光偵測器
13.9 太陽能電池
第十四章 感測器
14.1 簡介
14.2 熱感測器
14.3 機械感測器
14.4 磁感測器
14.5 化學感測器
14.6 生物感測器
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統 ( SI Units )
C. 國際單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量
H. Si 與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型
J. 氧化矽與氮化矽的特性
K. 雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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ISBN13:9786263284579
出版社:全華圖書
作者:李克駿;李克慧;李明逵
裝訂/頁數:平裝/408頁
規格:26cm*19cm*1.5cm (高/寬/厚)
重量:731克
版次:5
出版日:2023/06/09
內容簡介
全書分為五篇,第一篇(1~3章)探討半導體材料之基本特性,從矽半導體晶體結構開始,到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4~9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10~24章)說明積體電路的製程。第四篇(25~26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27~28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。
目錄
前言 半導體與積體電路之發展史
0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History)
0-2 電晶體 (Transistor)
0-3 積體電路 (Integrated Circuit)
0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes)
第一篇 半導體材料與物理
第1章 晶體結構與矽半導體物理特性
1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic)
1-2 晶體結構 (Crystal Structure)
1-3 物質導電性 (Material Conductivity)
1-4 本質矽,質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law)
1-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)
第2章 半導體能帶與載子傳輸
2-1 能帶 (Energy Band)
2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance)
2-3 載子傳輸 (Carrier Transport)
第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性
3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors)
3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide)
3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride)
3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide)
3-5 摻雜質,負型和正型 (Dopant, n-type and p-type)
3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si)
第二篇 半導體元件
第4章 半導體基礎元件
4-1 二極體 (Diode)
4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor)
4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)
4-4 互補型金氧半場效電晶體 (CMOS,Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory)
4-6 電阻 (Resistor)
4-7 電容 (Capacitor)
4-8 電感 (Inductor)
第5章 接面能帶圖與費米能階
5-1 半導體狀態密度 (Density of States)
5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor)
5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors)
5-4 接面能帶圖與費米能階 (Fermi Level and Junction Band Diagram)
第6章 積體電路製程與佈局
6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology)
6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology)
6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit)
6-4 設計原則 (Design Rules)
6-5 佈局 (Layout)
第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件
7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET)
7-2 短通道效應 (short-channel effects)
7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET)
7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET)
7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC)
第8章 高速與高功率電晶體
8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor)
8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor)
8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor)
8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)
第9章 半導體光電元件
9-1 發光二極體 (light emitting diode)
9-2 有機發光二極體
9-3 雷射二極體 (Laser Diode)
9-4 光感測器 (Photodetector)
9-5 太陽電池(Solar Cell)
第三篇 積體電路製程與設備
第10章 矽晶棒之生長
10-1 原料配製 (Starting Materials)
10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth)
10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth)
10-4 晶體缺陷(Crystal Defects)
第11章 矽晶圓之製作
11-1 晶體方向(Crystal Orientation)
11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing)
11-3 十二吋晶圓效益分析(Benefit Analysis of 12 Inch wafer)
第12章 化合物半導體晶棒生長
12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth)
12-2 氮化鎵晶棒生長 (Gallium Nitride Ingot Growth)
12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth)
第13章 矽磊晶生長
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