半導體元件物理學第四版(上冊) (4版)
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半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
內容簡介
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍
《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。
Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。
全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章,下冊預定於2022年12月出版)
第四版特色
1.超過50%的材料資訊被校正或更新,完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。
2.保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。
3.提供實務範例、表格、圖形和插圖,幫助整合主題的發展,每章附有大量問題集,可作為課堂教學範例。
4.每章皆有關鍵性的論文作為參考,以提供進一步的閱讀。
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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半導體元件物理學第四版(下冊) (4版)
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半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
上冊目錄
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
半導體元件物理學第四版(下冊)
ISBN13:9789865470562
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/592頁
規格:23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚)
版次:初
出版日:2022/12/30
中文圖書分類:電子工程
下冊目錄
序言
譯者序一
譯者序二
導論
第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體
8.1 簡介
8.2 JFET 和MESFET
8.3 調變摻雜場效電晶體
第四部分 負電阻以及功率元件
第九章 穿隧元件
9.1 簡介
9.2 穿隧二極體
9.3 相關穿隧元件
9.4 共振穿隧二極體
第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件
10.1 簡介
10.2 衝擊離子化累增渡時二極體
10.3 電子轉移元件
10.4 實空間轉移元件
第十一章 閘流體和功率元件
11.1 簡介
11.2 閘流體基本特性
11.3 閘流體的種類
11.4 其他功率元件
第五部分 光子元件和感應器
第十二章 發光二極體和雷射
12.1 簡介
12.2 輻射躍遷
12.3 發光二極體
12.4 雷射物理
12.5 雷射操作特性
12.6 特殊雷射
第十三章 光偵測器和太陽能電池
13.1 簡介
13.2 光導體
13.3 光二極體
13.4 累增光二極體
13.5 光電晶體
13.6 電荷耦合元件
13.7 金屬-半導體-金屬光偵測器
13.8 量子井近紅外光光偵測器
13.9 太陽能電池
第十四章 感測器
14.1 簡介
14.2 熱感測器
14.3 機械感測器
14.4 磁感測器
14.5 化學感測器
14.6 生物感測器
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統 ( SI Units )
C. 國際單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量
H. Si 與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型
J. 氧化矽與氮化矽的特性
K. 雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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半導體物理與元件 (4版)
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原文書資訊
書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE)
作者: NEAMEN
ISBN: 9780071089029
出版社: Mc Graw Hill
出版年: 2012年
中文書資訊
書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles)
作者: NEAMEN/ 楊賜麟
ISBN: 9789861578255
出版社: 東華
出版年: 2012年
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半導體製程技術導論 (4版)
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【簡介】
本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版),提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。
1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。
2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用,使學生熟悉各種加工原理及其應用領域,以作為投入電子工業之基礎訓練課程。
3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作,作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書,都是最適合的寶典。
【目錄】
第一章 導論
1.1 簡史
1.2 概述
1.3 本章總結
習題
參考文獻
第二章 積體電路製程介紹
2.1 IC製程簡介
2.2 IC的良率
2.3 無塵室技術
2.4 IC晶圓廠的基本結構
2.5 IC測試與封裝
2.6 近期的發展
2.7 本章總結
習題
參考文獻
第三章 半導體基礎
3.1 半導體基本概念
3.2 半導體基本元件
3.3 IC晶片
3.4 IC基本製程
3.5 互補式金屬氧化物電晶體
3.6 2000後半導體製程發展趨勢
3.7 本章總結
習題
參考文獻
第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程
4.1 簡介
4.2 為什麼使用矽材料
4.3 晶體結構與缺陷
4.4 從矽砂到晶圓
4.5 磊晶矽生長技術
4.6 基板工程
4.7 未來趨勢
4.8 本章總結
習題
參考文獻
第五章 加熱製程
5.1 簡介
5.2 加熱製程的硬體設備
5.3 氧化製程
5.4 擴散
5.5 退火過程
5.6 高溫化學氣相沉積
5.7 快速加熱製程(RTP)系統
5.8 加熱製程近年發展
5.9 本章總結
習題
參考文獻
第六章 微影製程
6.1 簡介
6.2 光阻
6.3 微影製程
6.4 微影技術的發展趨勢
6.5 其他微影製程方法
6.6 極紫外光(EUV)微影技術
6.7 安全性
6.8 本章總結
習題
參考文獻
第七章 電漿製程
7.1 簡介
7.2 電漿基本概念
7.3 電漿中的碰撞
7.4 電漿參數
7.5 離子轟擊
7.6 直流偏壓
7.7 電漿製程優點
7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器
7.9 遠距電漿製程
7.10 高密度電漿(HDP)製程
7.11 本章總結
習題
參考文獻
第八章 離子佈植製程
8.1 簡介
8.2 離子佈植技術簡介
8.3 離子佈植技術硬體設備
8.4 離子佈植製程
8.5 安全性
8.6 近年發展及應用
8.7 本章總結
習題
參考文獻
第九章 蝕刻製程
9.1 蝕刻製程簡介
9.2 蝕刻製程基礎
9.3 濕式蝕刻製程
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程
9.5 電漿蝕刻製程
9.6 蝕刻製程發展趨勢
9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量
9.8 最新進展
9.9 本章總結
習題
參考文獻
第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜
10.1 簡介
10.2 化學氣相沉積
10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC
10.4 介電質薄膜特性
10.5 介電質CVD製程
10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG)
10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD)
10.8 介電質CVD反應室清潔
10.9 新千禧年的介電質材料
10.10 本章總結
習題
參考文獻
第十一章 金屬化製程
11.1 簡介
11.2 導電薄膜
11.3 金屬薄膜特性
11.4 金屬化學氣相沉積
11.5 物理氣相沉積
11.6 銅金屬化製程
11.7 最新進展
11.8 安全性
11.9 本章總結
習題
參考文獻
第十二章 化學機械研磨製程
12.1 簡介
12.2 CMP硬體設備
12.3 CMP研磨漿
12.4 CMP基本理論
12.5 CMP製程
12.6 CMP製程近年發展
12.7 本章總結
習題
參考文獻
第十三章 半導體製程整合
13.1 簡介
13.2 晶圓準備
13.3 隔離技術
13.4 井區形成
13.5 電晶體製造
13.6 高k金屬閘極MOSFET
13.7 連線技術
13.8 鈍化
13.9 本章總結
習題
參考文獻
第十四章 IC製程技術
14.1 簡介
14.2 1980年代CMOS製程流程
14.3 1990年代CMOS製程流程
14.4 2000年代CMOS製程流程
14.5 2010年代CMOS製程流程
14.6 記憶體晶片製造製程
14.7 本章總結
習題
參考文獻
第十五章 3D IC元件的製造過程
15.1 引言
15.2 埋入式閘極字元線DRAM
15.3 3D-NAND 快閃記憶體
15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造
15.5 本章總結
習題
參考文獻
第十六章 總結與未來趨勢
參考文獻
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半導體製程概論(May:Fundamentals of Semiconductor Fabrication)
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書名:半導體製程概論(增訂版)(May:Fundamentals of Semiconductor )
作者:施敏、 梅凱瑞
出版社:交大出版社
ISBN:9789866301896
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VLSI製造技術
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VLSI製造技術 6版
作(編/譯)者 : 莊達人 出版年份 : 2021
ISBN : 9789864123735 類別 : 半導體
書號 : 1019 幾色 : 1
規格 : 18 發行公司 : 高立
版權日期 : 2021/04/01 版次 : 六版九刷
頁數 : 1040
目錄
第 1 章 導 論
第一篇 元件物理
第 2 章 半導體材料
第 3 章 元 件
第 4 章 應用元件
第二篇 單元製程
第 5 章 薄膜沉積 I ── 物理氣相沉積
第 6 章 薄膜沉積 II ── 化學氣相沉積
第 7 章 微 影
第 8 章 蝕 刻
第 9 章 摻 雜
第10章 氧化與熱處理
第11章 先進單元製程 ── CMP
第三篇 製程整合
第12章 MOS 製程
第13章 隔離製程
第14章 多重內連線製程 I ── 平坦化
第15章 多重內連線製程 II ── 金屬化
第16章 先進整合技術 I ── 電晶體
第17章 先進整合技術 II ──多重內連線
第四篇 製程設備
第18章 氣體輸送系統
第19章 真空系統
第20章 設備整合
附錄 A 電 漿
附錄 B DRAM
附錄 C Schrodinger 方程式與自由電子模型
附錄 D C-V 量測
附錄 E 半導體製程材料的安全性數據 (MSDS)
附錄 F 主要常數及矽和二氧化矽的物化特性
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半導體製程與整合(THC) (1版)
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【簡介】
本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術,首先介紹基礎半導體知識,以及基礎的模組製程。此外,本書更以四百張以上圖例,詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術,以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。
先進的半導體製程技術,如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程,都有詳細的說明與探討。
材料分析技術,如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等,都涵蓋實例應用說明。
半導體製程未來發展趨勢,包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC),皆有詳細說明。
本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書,適合大專院校相關理工科系,也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。
【目錄】
第一章 半導體積體電路發展
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
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半導體元件物理與製程:理論與實務 (4版)
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半導體元件物理與製程─理論與實務
Semiconductor Device Physics and Process Integration:Theory & Practice
作 者:劉傳璽 、陳進來
出版社別:五南
出版日期:2022/09/01(4版2刷)
ISBN:978-626-317-514-3
E I S B N:9786263175280
書 號:5D75
頁 數:560
開 數:20K
內容簡介
以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸:第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重,因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學;但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。
本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why;並在此基礎上,進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考
本書特色
●包含實務上極為重要,但在坊間書籍幾乎不提及的WAT,與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程,以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。
●大幅增修習題與內容,以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。
●以最直觀的物理現象與電機概念,清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。
●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
目錄
第一章 半導體元件物理的基礎
1.1 半導體能帶觀念與載子濃度
1.2 載子的傳輸現象
1.3 支配元件運作的基本方程式
第二章 P-N 接面
2.1 P-N接面的基本結構與特性
2.2 零偏壓
2.3 逆向偏壓
2.4 空乏層電容
2.5 單側陡接面
2.6 理想的電流-電壓特性
2.7 實際的電流-電壓特性
2.8 接面崩潰現象與機制
第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎
3.1 MOS電容的結構與特性
3.2 理想的MOS(金氧半)元件
3.3 實際的MOS(金氧半)元件
第四章 長通道MOSFET元件
4.1 MOSFET的基本結構與類型
4.2 基本操作特性之觀念
4.3 電流-電壓特性之推導
4.4 其他重要元件參數與特性
第五章 短通道MOSFET元件
5.1 短通道元件的輸出特性
5.2 短通道元件的漏電流現象
第六章 CMOS製造技術與製程介紹
6.1 CMOS製造技術
6.2 CMOS製造流程介紹
第七章 製程整合
7.1 元件發展需求
7.2 基板工程(substrate engineering)
7.3 閘極工程
7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering)
7.5 內連線工程(inter-connection)
第八章 先進元件製程
8.1 先進元件製程需求
8.2 SOI
8.3 應變矽Strain Si
8.4 非平面元件 3D device
8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric)
8.6 金屬閘極Metal gate
第九章 邏輯元件
9.1 邏輯元件的要求—速度、功率
9.2 反向器(Inverter)
9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic)
9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF
9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA
第十章 邏輯/類比混合訊號
10.1 混合訊號特性
10.2 混合訊號電路
10.3 混合訊號的主動元件( Active device)
10.4 混合訊號被動元件(Passive device)
10.5 混合訊號電路特別需求
第十一章 記憶體
11.1 CMOS記憶體特性與分類
11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM
11.3 動態隨機存取記憶體DRAM
11.4 快閃記憶體Flash
11.5 發展中的先進記憶體
第十二章 分離元件
12.1 功率二極體
12.2 功率金氧半場效電晶體
12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體
12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET
12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor
12.6 碳化矽(SiC)功率半導體SiC
12.7 氮化鎵(GaN) 功率半導體
第十三章 元件電性量測WAT 413
13.1 直流(DC)電性量測
13.2 C-V(capacitance-voltage)電性量測
13.3 RF 電性量測
13.4 元件模型
第十四章 SOC 與半導體應用
14.1 IC 功能分類
14.2 SOC
14.3 半導體應用
14.4 資訊電子Computer
14.5 通訊電子Communication
14.6 消費性電子Consumer
14.7 汽車電子Car
14.8 網際網路
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【中文翻譯書】
書名:半導體元件概論
原文書名:Fundamentals of semiconductor Devices
作者:B.L.Anderson、R.L.Anderson
翻譯:龔正
出版社:全威
出版日期:2008/06/01
ISBN:9789861575360
目錄
第一部份 材 料
第一章 電子能量和半導體中的狀態
第二章 同質半導體
第三章 同質半導體中的電流流動
第四章 非同質的半導體
第二部分 二極體
第五章 標準的 pn 同質接面
第六章 二極體的進一步探討
第三部分 場效電晶體
第七章 MOSFET
第八章 FFTs 的進一步考慮
第四部分 雙極性接面電晶體
第九章 雙極接面元件:靜態
第十章 雙極性電晶體 (BJTs) 的時域分析
第五部分 光電元件
第十一章 光電元件
附錄A 常 數
附錄B 符號列表
附錄C 製 造
附錄D 有用的方程式
英中文索引
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半導體元件物理與其在積體電路上的應用 第三版 <歐亞>
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【簡介】
本書內容可以作為一學期或一學年兩學期之半導體元件物理的課程教材使用,也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念,強調觀念與實務兼顧,因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學,但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋,並盡可能以共通的基本原理原則,貫通前後章節的知識概念,使讀者輕易掌握其中條理脈絡,以內化成自己紮實的知識。因此,對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識,可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題,會是很好的切入點。
相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍,本書的特色至少包括:
涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。
以直觀的「物理現象」與「電機概念」,用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。
各章節中對於基礎、重要的內容,屬於讀者必須瞭解的觀念或公式,均提供作者特別設計之經典題型的「範例」,其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。
各章節中對於容易混淆的觀念或公式,均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說,讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果,而能吸收內化成為自己的知識,歷久不忘。
各章節中基礎、重要的內容,均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型,然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 ),作者均設計補足。
【目錄】
1 導 論
2 半導體材料與晶體結構
3 半導體能帶觀念
4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度
5 導電載子的傳輸
6 非平衡狀態時的過量載子
7 PN接面
8 PN接面二極體
9 理想MOS結構
10 實際MOS元件
11 MOSFET元件
附錄A 物理常數
附錄B 轉換因數
附錄C 溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質
附錄D 溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質
附錄E Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係
中英文索引
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【簡介】
書內容足以作為一學期之半導體元件物理的課程教科書使用外,也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念,強調觀念與實務兼顧,因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學,但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋,並盡可能以共通的基本原理原則,貫通前後章節的知識概念,使讀者輕易掌握其中條理脈絡,以內化成自己紮實的知識。因此,對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識,可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題,會是很好的切入點。
相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍,本書的特色至少包括:
涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。
以直觀的「物理現象」與「電機概念」,用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。
各章節中對於基礎、重要的內容,屬於讀者必須瞭解的觀念或公式,均提供作者特別設計之經典題型的「範例」,其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。
各章節中對於容易混淆的觀念或公式,均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說,讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果,而能吸收內化成為自己的知識,歷久不忘。
各章節中基礎、重要的內容,均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型,然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 ),作者均設計補足。
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1 導 論
2 半導體材料與晶體結構
3 半導體能帶觀念
4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度
5 導電載子的傳輸
6 非平衡狀態時的過量載子
7 PN接面
8 PN接面二極體
9 理想MOS結構
10 實際MOS元件
11 MOSFET元件
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附錄C:溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質
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