半導體物理與元件 (4版)

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原文書資訊 書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE) 作者: NEAMEN ISBN: 9780071089029 出版社: Mc Graw Hill 出版年: 2012年 中文書資訊 書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles) 作者: NEAMEN/ 楊賜麟 ISBN: 9789861578255 出版社: 東華 出版年: 2012年

半導體製程與整合（THC） (1版)

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【簡介】 本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。 先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。 材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。 半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。 本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。 【目錄】 第一章 半導體積體電路發展 第二章 基礎半導體材料 第三章 基礎半導體元件 第四章 氧化與加熱製程 第五章 微影製程 第六章 擴散與離子佈植製程 第七章 蝕刻製程 第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積 第九章 半導體金屬化製程 第十章 CMOSFET製程整合 第十一章 先進元件製程 第十二章 FinFET製程整合 第十三章 半導體材料分析技術 第十四章 半導體元件製程發展趨勢

半導體IC產品可靠度 : 統計 物理與工程 (2版)

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半導體IC產品可靠度：統計、物理與工程 作 者：傅寬裕 出版社別：五南 出版日期：2020/07/01(2版5刷) ＩＳＢＮ：978-957-11-6074-0 書 號：5DB5 頁 數：248 開 數：20K 1. 本書附有元素週期表、AQL選樣計劃表、半導體物理常數表，可供讀者翻閱參考。 2. 唯一一本貫穿半導體產業為題材的專業書籍。以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材。 　　本書的編寫以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材而開展。全書共分六章；開宗明義的第一章旨在介紹給讀者以半導體、IC產品製程、及基本可靠度的知識與觀念。第二章，則從統計與物理兩個面向，致力於幾個對IC產品可用的可靠度壽命分佈模型來解說。第三章，深入淺出地介紹與IC元件有關的幾個基本可靠度問題。第四章，介紹有關後段封裝所可能引起的其它可靠度問題。現今IC業界，為了保證產品的可靠度，從晶圓，到封裝的製程，都有一套公認的可靠度認證過程。特別將認證過程公認的主要規定闡述於第五章。最後，於第六章，介紹對失效品的故障分析。從分析儀器及技術、常見的故障原因，到如何減低故障發生率的未來方向都有精簡的敘述。 　　本書適合作為電子、電機工程及相關科系研究生教科書，半導體IC業界從業工程師參考書。相關理工科系的大學部學生，如有志於半導體IC一行為業，以本書作為進階的參考書，當亦有所牌益。 目錄 第１章　緒　論 1.1　半導體 1.2　半導體 IC 產品的製造流程 1.3　基本可靠度觀念 1.4　產品可用壽命 參考文獻 第２章　可靠度壽命分布模型 2.1　指數分布模型 2.2　常態與對數常態分布模型 2.2.1　常態分布模型 2.2.2　對數常態分布模型 2.3　韋伯分布（Weibull distribution）模型 2.4　浴缸曲線（bathtub curve） 2.4.1　早夭期（infant mortality period） 2.4.2　有用生命期（useful life period） 參考文獻 第３章　半導體 IC 元件的基本可靠度問題 3.1　介電質的崩潰（dieletric breakdown） 3.2　電晶體的不穩定度 3.2.1　離子污染 3.2.2　熱載子射入 3.2.3　負偏壓溫度不穩定度（NBTI） 3.3　金屬導體的電遷移（electromigra-tion，簡稱 EM） 3.4　靜電放電引起的潛藏性傷害 3.5　CMOS 寄生雙載子電晶體引起的電路閂鎖及其傷害 3.6　粒子造成的軟性錯誤（soft error） 參考文獻 第４章　半導體 IC 封裝的可靠度問題 4.1　封裝或晶粒的裂開 4.2　金屬導線的腐蝕 4.3　連接線的脫落 4.4　封裝主要可靠度問題的表列 4.5　封裝可靠度測試 參考文獻 第５章　半導體 IC 產品量產的認證過程 5.1　量產前可靠度認證的一般規格 5.2　晶粒可靠度認證測試 5.2.1　元件可靠度認證測試 5.2.2　產品可靠度認證測試 5.3　封裝可靠度認證測試 5.4　比較嚴格的車規認證 參考文獻 第６章　故障分析 6.1　故障分析的工具／技術 6.2　電性與物性故障分析 6.3　常見的故障模態／機制 6.4　減少故障率的未來方向 參考文獻

半導體製程概論(May：Fundamentals of Semiconductor Fabrication)

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書名：半導體製程概論(增訂版)(May：Fundamentals of Semiconductor ) 作者：施敏、 梅凱瑞 出版社：交大出版社 ISBN：9789866301896

電子學Ⅰ (1版)

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【中文書】 書名：電子學 作者：陳以熙、林瑜惠 出版社：五南 出版日期：2015/03/01 ISBN：9789571180502 商品簡介 以精緻清晰的圖形、微觀細節 採獨特創意的表格、統整重點 用簡潔平易的解說、迅速理解 附精心編寫的詳解、輕鬆自學 第一章概論：介紹電子學發展歷史與基本波形的認識。 第二章二極體的物理性質及特性：二極體特性介紹與認識其他種 類二極體的基本功能。 第三章二極體的應用電路：分析整流、濾波、倍壓、截波與箝位 等各種應用電路的工作原理。 第四章雙極性接面電晶體：介紹電晶體的特性與架構及探究其三 種工作組態。 第五章電晶體的直流偏壓：解析各種偏壓電路對直流工作點的影響。 第六章電晶體之交流小信號分析：基本等效模型介紹與三種小信 號放大的解析。 目錄 第一章概論 本章提要 重點整理１ 電子學的過去與發展歷史 重點整理２ 電子學的未來發展趨勢 重點整理３ 電子學常用的10次方符號與級量 重點整理４ 儀器的介紹與使用 重點整理５ 基本波形的認識 重點整理６ 工業安全教育 實習專區 本章綜合評量 第二章二極體的物理性質及特性 本章提要 重點整理１ 半導體概論 重點整理２ PN接合 重點整理３ 二極體特性 重點整理４ 二極體效應 重點整理５ 二極體模型與電路 重點整理６ 稽納二極體(Zener Diode) 重點整理７ 發光二極體與特殊二極體 實習專區 本章綜合評量 第三章二極體的應用電路 本章提要 重點整理１ 電源電路概論 重點整理２ 半波整流(二極體理想化) 重點整理３ 全波整流(中心抽頭式) 重點整理４ 全波整流(橋式) 重點整理５ 漣波因數 重點整理６ 濾波電路 重點整理７ 倍壓整流電路 重點整理８ 串聯式截波電路 重點整理９ 並聯式截波電路 重點整理10 雙截波電路 重點整理11 Zener截波電路 重點整理12 箝位電路 實習專區 本章綜合評量 第四章雙極性接面電晶體 本章提要 重點整理１ 電晶體的符號與結構 重點整理２ 電晶體的工作原理(四種工作模式) 重點整理３ 電晶體的三種放大組態 重點整理４ 電晶體的識別 重點整理５ 電晶體的測量與V-I特性曲線 實習專區 本章綜合評量 第五章電晶體的直流偏壓 本章提要 重點整理１ 直流工作點 重點整理２ 直流偏壓電路 重點整理３ 開關電路 實習專區 本章綜合評量 第六章電晶體之交流小信號分析 本章提要 重點整理１ 電晶體的放大原理與等效模型 重點整理２ 共射極放大電路 重點整理３ 共集極與共基極放大電路 實習專區 本章綜合評量 解析篇

半導體元件物理學第四版（上冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引  

半導體元件物理學第四版（下冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 上冊目錄 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引   半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／592頁 規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初 出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程 下冊目錄 序言 譯者序一 譯者序二 導論 第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體 第四部分 負電阻以及功率元件 第九章 穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體 第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件 第十一章 閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件 第五部分 光子元件和感應器 第十二章 發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射 第十三章 光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池 第十四章 感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引

數位積體電路設計─從IC Design的實務面介紹Verilog硬體描述語言（含DVD） (1版)

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數位積體電路設計─從IC Design的實務面介紹Verilog硬體描述語言(DVD Inside) +作者：夏大維著 +年份：2016 年1 版 +ISBN：9789865647339 +書號：EE0443 +規格：16開/平裝/單色 +頁數：448 +出版商：滄海 1.以作者20多年專業IC設計的經驗傳承為主軸，有別於一般傳統Verilog語法教學與撰寫程序為主，因此本書是以專業、實務的角度，以培育優秀的IC設計工程師、研發經理與帶領團隊為目標，介紹Verilog的語法和實務上的細節。 2.本書特別著重Verilog語法與實務的融會貫通，力求利用淺顯的文字及適當的釋例，解說Verilog觀念與IC設計的關聯性，以協助讀者掌握文中的重要概念，使讀者進一步了解Verilog與IC電子電路的關係。 3.每章章末的習題均與章前的學習目標搭配，幫助讀者對該章重要概念之掌握。另外，本書隨附光碟中涵括許多IC設計之相關專業論文與專業軟體，能幫助讀者快速與國際接軌，以提升IC設計的專業素質。 4.本書適時介紹台灣的半導體產業，與上、中、下游各公司的分工關係，提供讀者生涯規劃與職前面試的參考。 目錄 第1章 數位 IC 的設計觀念 第2章 Verilog 的演進與電子設計自動化 第3章 Verilog 的模組與架構 第4章 Verilog 的敘述與電路設計 第5章 組合邏輯電路與算術邏輯運算 第6章 循序邏輯電路 第7章 有限狀態機器 第8章 記憶體設計與應用 第9章 Verilog 2001 增強特色 第10章 重要的網站與免費 IP 資源 附錄A 關鍵字、系統任務與函式、編譯器指令的列表 附錄B 正式的語法定義

半導體製造技術 (1版)

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半導體元件物理與製作技術 (3版)

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【中文翻譯書】 書名：半導體元件物理與製作技術第三版 原文書名：Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E 作者:　施敏、李明逵 譯者：曾俊元 出版社：國立交通大學 出版日期：2013/08 ISBN：9789866301568 內容簡介 　　施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。 　　本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。 　　由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。 　　為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。