【簡介】 書內容足以作為一學期之半導體元件物理的課程教科書使用外，也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念，強調觀念與實務兼顧，因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學，但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋，並盡可能以共通的基本原理原則，貫通前後章節的知識概念，使讀者輕易掌握其中條理脈絡，以內化成自己紮實的知識。因此，對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識，可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題，會是很好的切入點。 　　相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍，本書的特色至少包括： 涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。 以直觀的「物理現象」與「電機概念」，用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。 各章節中對於基礎、重要的內容，屬於讀者必須瞭解的觀念或公式，均提供作者特別設計之經典題型的「範例」，其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。 各章節中對於容易混淆的觀念或公式，均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說，讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果，而能吸收內化成為自己的知識，歷久不忘。 各章節中基礎、重要的內容，均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型，然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 )，作者均設計補足。 【目錄】 1 導　論 2 半導體材料與晶體結構 3 半導體能帶觀念 4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度 5 導電載子的傳輸 6 非平衡狀態時的過量載子 7 PN接面 8 PN接面二極體 9 理想MOS結構 10 實際MOS元件 11 MOSFET元件 附錄A：物理常數 附錄B：轉換因數 附錄C：溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質 附錄D：溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質 附錄E：Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係 中英文索引