華通書坊
詳細資訊
【簡介】 【目錄】 第 1 章 元件應用基礎觀念 第 2 章 半導體基礎觀念 第 3 章 半導體載子傳導基礎觀念 第 4 章 pn接面基礎觀念 第 5 章 雙極性接面電晶體(BJT)基礎觀念 第 6 章 金半(MS)接觸基礎觀念 第 7 章 金氧半(MOS)結構基礎觀念 第 8 章 金氧半場效電晶體(MOSFET)基礎觀念
| 書名: | 半導體元件物理 (1版) | |||
| 作者: | 王水進 | |||
| 版次: | 1 | |||
| ISBN: | 9786269786183 | |||
| 出版社: | 滄海 | |||
| 出版日期: | 2024/09 | |||
| 頁數: | 520 | |||
|
#工程
#電子與電機 #電子材料/元件與製造技術 #半導體 |
||||
| 定價: | ||||
| 售價: | 577元 | |||
| 庫存: | 庫存: 4 | |||
| LINE US! | 詢問這本書 團購優惠、書籍資訊 等 | |||
半導體元件物理 (1版)
定價:
620
售價:
577
現省:
43
| 付款方式: | 超商取貨付款 |
|
|
| 信用卡 |
|
||
| 線上轉帳 |
|
||
| 物流方式: | 超商取貨 | ||
| 宅配 | |||
| 門市自取 |
詳細資訊
【簡介】 【目錄】 第 1 章 元件應用基礎觀念 第 2 章 半導體基礎觀念 第 3 章 半導體載子傳導基礎觀念 第 4 章 pn接面基礎觀念 第 5 章 雙極性接面電晶體(BJT)基礎觀念 第 6 章 金半(MS)接觸基礎觀念 第 7 章 金氧半(MOS)結構基礎觀念 第 8 章 金氧半場效電晶體(MOSFET)基礎觀念
為您推薦
其他會員也一起購買
【簡介】 書內容足以作為一學期之半導體元件物理的課程教科書使用外，也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念，強調觀念與實務兼顧，因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學，但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋，並盡可能以共通的基本原理原則，貫通前後章節的知識概念，使讀者輕易掌握其中條理脈絡，以內化成自己紮實的知識。因此，對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識，可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題，會是很好的切入點。 相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍，本書的特色至少包括： 涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。 以直觀的「物理現象」與「電機概念」，用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。 各章節中對於基礎、重要的內容，屬於讀者必須瞭解的觀念或公式，均提供作者特別設計之經典題型的「範例」，其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。 各章節中對於容易混淆的觀念或公式，均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說，讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果，而能吸收內化成為自己的知識，歷久不忘。 各章節中基礎、重要的內容，均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型，然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 )，作者均設計補足。 【目錄】 1 導 論 2 半導體材料與晶體結構 3 半導體能帶觀念 4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度 5 導電載子的傳輸 6 非平衡狀態時的過量載子 7 PN接面 8 PN接面二極體 9 理想MOS結構 10 實際MOS元件 11 MOSFET元件 附錄A：物理常數 附錄B：轉換因數 附錄C：溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質 附錄D：溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質 附錄E：Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係 中英文索引
其他會員也一起購買
【簡介】 本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。 1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。 【目錄】 第一章 導論 1.1 簡史 1.2 概述 1.3 本章總結 習題 參考文獻 第二章 積體電路製程介紹 2.1 IC製程簡介 2.2 IC的良率 2.3 無塵室技術 2.4 IC晶圓廠的基本結構 2.5 IC測試與封裝 2.6 近期的發展 2.7 本章總結 習題 參考文獻 第三章 半導體基礎 3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 IC晶片 3.4 IC基本製程 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 3.7 本章總結 習題 參考文獻 第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷 4.4 從矽砂到晶圓 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 未來趨勢 4.8 本章總結 習題 參考文獻 第五章 加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備 5.3 氧化製程 5.4 擴散 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程近年發展 5.9 本章總結 習題 參考文獻 第六章 微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻 6.3 微影製程 6.4 微影技術的發展趨勢 6.5 其他微影製程方法 6.6 極紫外光(EUV)微影技術 6.7 安全性 6.8 本章總結 習題 參考文獻 第七章 電漿製程 7.1 簡介 7.2 電漿基本概念 7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.9 遠距電漿製程 7.10 高密度電漿(HDP)製程 7.11 本章總結 習題 參考文獻 第八章 離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備 8.4 離子佈植製程 8.5 安全性 8.6 近年發展及應用 8.7 本章總結 習題 參考文獻 第九章 蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎 9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量 9.8 最新進展 9.9 本章總結 習題 參考文獻 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG) 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔 10.9 新千禧年的介電質材料 10.10 本章總結 習題 參考文獻 第十一章 金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜 11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程 11.7 最新進展 11.8 安全性 11.9 本章總結 習題 參考文獻 第十二章 化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程 12.6 CMP製程近年發展 12.7 本章總結 習題 參考文獻 第十三章 半導體製程整合 13.1 簡介 13.2 晶圓準備 13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 高k金屬閘極MOSFET 13.7 連線技術 13.8 鈍化 13.9 本章總結 習題 參考文獻 第十四章 IC製程技術 14.1 簡介 14.2 1980年代CMOS製程流程 14.3 1990年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程 14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結 習題 參考文獻 第十五章 3D IC元件的製造過程 15.1 引言 15.2 埋入式閘極字元線DRAM 15.3 3D-NAND 快閃記憶體 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造 15.5 本章總結 習題 參考文獻 第十六章 總結與未來趨勢 參考文獻
其他會員也一起購買
【中文翻譯書】 書名：CMOS數位積體電路分析與設計 第四版 原文書名：CMOS Digital Integrated Circuits:Analysis and Design, 4e 作者：Kang, Leblebici, Kim 翻譯：黃崇禧、陳右罡 出版社：東華 出版日期：2015/12/28 ISBN：9789863411949 內容簡介 本書涵蓋層面甚廣，包含半導體製程、元件模型、電路設計、製造測試等相關議題。前段內容可供一般學生建立有關超大型積體電路設計的基礎入門知識，而全書不僅可以使從事數位系統設計工程師了解底層標準元件電路知識，也能作為混合訊號/類比電路設計工程師建立高速積體電路設計之參考。 有關第四版的內容，作者除改寫當代半導體製程演進介紹外，亦採用短通道電晶體模型來推導相關電路特性，並刪除原有空乏型反相器電路範例，以虛擬nMOS反相器替代，以符合現今主流的次微米／奈米製程電路設計。記憶體章節亦部分改寫，增加低電壓SRAM介紹；BiCMOS章節則改為算術運算單元電路介紹；時脈產生章節也增加鎖相迴路與延遲鎖定迴路簡介。此次內容的更新，使得本書得更趨於完整且符合時代之潮流。 本書改版特色 ‧本書內容旨在強化學生對數值方法的認知，除了維持前版優點，盡可能讓內容適合大學部學生使用。 ‧透過問題導向方法引起學習動機，促進良好的學習效果。 ‧Visual Basic、Fortran 90與C/語言引導學生自行開發結構化且簡單的程式，以彌補現有軟體的不足。 ‧更新更具挑戰的題組、題材及案例探討。 目錄 第 1 章 簡介 第 2 章 MOSFET的製造 第 3 章 MOS電晶體 第 4 章 使用SPICE的MOS電晶體模型化 第 5 章 MOS 反相器：靜態特性 第 6 章 MOS 反相器：切換特性與連接線效應 第 7 章 組合MOS邏輯電路 第 8 章 循序MOS邏輯電路 第 9 章 動態邏輯電路 第 10 章 半導體記憶體 第 11 章 低功率CMOS邏輯電路 第 12 章 算術建構區塊 第 13 章 時脈與/IO電路 第 14 章 可製造性設計 第 15 章 可測試性設計
其他會員也一起購買
【中文翻譯書】 書名：類比CMOS積體電路設計 第二版 原文書名：Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2/E 作者：Razavi 翻譯：翁展翔 出版社：東華 出版日期：2017/06/00 ISBN：9789863413196
其他會員也一起購買
原文書資訊 書名:SOLID STATE ELECTRONIC DEVICES 7/E 2015<Pearson Education, Inc.> 作者: STREETMAN ISBN: 9781292060552 出版社: Pearson Education, Inc. 出版年: 2015年 中文書資訊 書名: 半導體元件(Streetman 7/e) 7/E 2017 <滄海書局> 作者: Streetman/ 龔正 鄭岫盈 ISBN: 9789862803646 出版社: 鼎隆 出版年: 2017年
其他會員也一起購買
【中文翻譯書】 書名：CMOS VLSI 設計原理 電路與系統探討 第三版 原文書名：CMOS VLSI Design:A Circuits and Systems Perspective 原文作者：Weste 中文譯者： 周世傑 出版社：偉明 出版日期：2010/05/20 ISBN：9789861548272
其他會員也一起購買
積體電路製程技術 作者：葉文冠 ISBN：9789865522742 版次：1 年份：2021 出版商：東華書局 頁數/規格：320頁/平裝單色 自 序 台灣半導體產業由於高品質的人力資源與產官學研究的良性合作等因素，已具備完整的產業供應鏈與群聚效應，發展其獨特的優越性為台灣經濟史上創造不少奇蹟，除了帶動電子資訊業的蓬勃發展外，也讓台灣在世界舞台上擔任舉足輕重的角色。正因為半導體技術突飛猛進，也讓國內呈現許多半導體相關資訊與參考書籍。然而，觀察坊間半導體相關書籍資訊難易不一，並非完全針對欲進入半導體製造領域之人士所設計。另一方面，針對其他行業背景但對半導體製造有興趣的人員以及相關在校學生，並無合適的入門參考書籍可參考，因此激發本人撰寫一本結合半導體元件設計與相關積體電路製造之參考書的願景。 本書以元件設計及製程工程師之觀點來寫作，編排章節與一般市面半導體相關書籍不同，共近三百多頁，主要以半導體元件設計理念與相關半導體工程觀點為內容。適合讀者包括半導體等相關高科技產業的新進人員，以及對半導體產業有興趣的學生和社會人士使用。本書的產生，有些是我在半導體產業界累積的觀察心得，有些是我教學與學生討論激盪所產生的結論，有些則是我閱讀國內外書籍的心得，我希望這些觀點能夠帶給讀者一些幫助。 本書內文共含十章，將半導體積體電路的製造技術分為前段製程與後段製程，以製造理想元件作為論述之重點，運用模組製程來敘述如何整合成積體電路為架構，並詳述各製程相關模組所扮演的角色以及如何做好所需之相關設備與製程需求。本書儘量以半導體製造實務上面臨之困難與可能解決方法來說明，讓學員能夠充分了解目前半導體積體電路製造技術之發展趨勢，提升讀者閱讀的興趣，也可提供相關工程師作為一參考手冊。本書內容涵蓋元件設計與相關模組製程技術，並以製程整合來說明關鍵模組技術之重要性，半導體產業是發展快速的產業，本書疏漏之處在所難免，謹在此期盼諸位先進，不吝指教，廣為建言。 目錄 第1 章 導論 第2 章 半導體材料 第3 章 半導體元件 第4 章 元件隔離技術 第5 章 薄膜製程技術 第6 章 摻雜製程技術 第7 章 微影製程技術 第8 章 蝕刻製程技術 第9 章 元件製程設計 第10 章 IC 後段製程
其他會員也一起購買
【簡介】 本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。 先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。 材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。 半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。 本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。 【目錄】 第一章 半導體積體電路發展 第二章 基礎半導體材料 第三章 基礎半導體元件 第四章 氧化與加熱製程 第五章 微影製程 第六章 擴散與離子佈植製程 第七章 蝕刻製程 第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積 第九章 半導體金屬化製程 第十章 CMOSFET製程整合 第十一章 先進元件製程 第十二章 FinFET製程整合 第十三章 半導體材料分析技術 第十四章 半導體元件製程發展趨勢
其他會員也一起購買
第一篇 程式語法 CH1. 認識Excel巨集 CH2. 使用Excel VBA CH3. 變數型別與變數 CH4. 選擇結構 CH5. 重複結構 CH6. 陣列 CH7. 副程式 第二篇 常用物件 CH8. Range物件介紹 CH9. Workbook物件 CH10. Application物件 第三篇 綜合活用實例 CH11. VBA活用實例一控制項 CH12. VBA活用實例一資料整理 CH13. VBA活用實例一圖表、樞紐分析 CH14. VBA活用實例一初階爬蟲 CH15. VBA活用實例一進階爬蟲 第四篇 結合ChatGPT與Bing Chat CH16. ChatGPT在Excel的應用-建立Excel表格、產生公式與VBA程式碼 CH17. Bing Chat在Excel的應用-自動生成Excel VBA爬蟲程式 附錄A VBA內建函式(PDF格式電子書，請線上下載) 附錄B Excel的規格與限制(PDF格式電子書，請線上下載) 附錄C ASCII與KeyCode碼(PDF格式電子書，請線上下載)
其他會員也一起購買
原文書資訊 書名:Callister's Materials Science and Engineering 10/E 2020 <JW> 作者: CALLISTER ISBN: 9781119453918 出版社: John Wiley 出版年: 2020年 中文書資訊 書名: 材料科學與工程導論 Materials Science and Engineering 作者: Callister/ 林景崎 林貞君 譯 ISBN: 9789863782810 出版社: 高立 出版年: 2021年
相關熱銷的書籍推薦給您
【中文翻譯書】 書名 ：半導體製造技術 原文書名：Semiconductor Manufacturing Technology 原文作者：Michael Quirk 中文譯者：羅文雄 初版日期：2016 出版社：滄海 ISBN：9789867727701 本書特色 ●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面 皆做完整詳盡的介紹。 ●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。 ●對大專在學學生及實際線上工程師而言，皆是一本優良的課程 教材及技術入門手冊。 校閱者簡介 劉文超 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 許渭州 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 譯者簡介 羅文雄 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授 蔡榮輝 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立高雄師範大學物理系副教授 鄭岫盈 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 亞東技術學院電機工程系助理教授 本書目錄 第1章 半導體工業簡介 第2章 半導體材料特性 第3章 元件技術 第4章 矽與晶圓準備 第5章 半導體製造之化學特性 第6章 半導體製造廠之污染控制 第7章 量測與缺陷 第8章 製程反應室之氣體控制 第9章 IC製造概述 第10章 氧化 第11章 沈積 第12章 金屬化 第13章 微影：氣相塗底至軟烤 第14章 微影：對準與曝光 第15章 微影：光阻顯影與先進雕像 第16章 蝕刻 第17章 離子植入 第18章 化學機械平坦化 第19章 晶圓測試 第20章 裝配與封裝 附錄A 化學品及其安全性 附錄B 無塵室中的污染控制 附錄C 單位 附錄D 以氧化物厚度為函數的顏色 附錄E 光阻化學品概論 附錄F 蝕刻化學品
類似書籍推薦給您
【簡介】 本書內容可以作為一學期或一學年兩學期之半導體元件物理的課程教材使用，也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念，強調觀念與實務兼顧，因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學，但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋，並盡可能以共通的基本原理原則，貫通前後章節的知識概念，使讀者輕易掌握其中條理脈絡，以內化成自己紮實的知識。因此，對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識，可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題，會是很好的切入點。 相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍，本書的特色至少包括： 涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。 以直觀的「物理現象」與「電機概念」，用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。 各章節中對於基礎、重要的內容，屬於讀者必須瞭解的觀念或公式，均提供作者特別設計之經典題型的「範例」，其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。 各章節中對於容易混淆的觀念或公式，均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說，讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果，而能吸收內化成為自己的知識，歷久不忘。 各章節中基礎、重要的內容，均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型，然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 )，作者均設計補足。 【目錄】 1 導 論 2 半導體材料與晶體結構 3 半導體能帶觀念 4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度 5 導電載子的傳輸 6 非平衡狀態時的過量載子 7 PN接面 8 PN接面二極體 9 理想MOS結構 10 實際MOS元件 11 MOSFET元件 附錄A 物理常數 附錄B 轉換因數 附錄C 溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質 附錄D 溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質 附錄E Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係 中英文索引
類似書籍推薦給您
半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 上冊目錄 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇 1.1 簡介 1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度 1.5 載子傳輸現象 1.6 聲子、光和熱特性 1.7 異質接面與奈米結構 1.8 基本方程式與範例 【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰 2.5 暫態行為與雜訊 2.6 終端功能 2.7 異質接面 第三章 金屬—半導體接觸 3.1 簡介 3.2 位障的形成 3.3 電流傳輸過程 3.4 位障高度的量測 3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸 第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸 【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性 5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應 第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體 第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units) C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性 K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引 半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／592頁 規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初 出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程 下冊目錄 序言 譯者序一 譯者序二 導論 第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體 第四部分 負電阻以及功率元件 第九章 穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體 第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件 第十一章 閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件 第五部分 光子元件和感應器 第十二章 發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射 第十三章 光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池 第十四章 感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引
類似書籍推薦給您
半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍 《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。 Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。 全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版） 第四版特色 1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。 2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。 3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。 4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇 1.1 簡介 1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度 1.5 載子傳輸現象 1.6 聲子、光和熱特性 1.7 異質接面與奈米結構 1.8 基本方程式與範例 【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰 2.5 暫態行為與雜訊 2.6 終端功能 2.7 異質接面 第三章 金屬—半導體接觸 3.1 簡介 3.2 位障的形成 3.3 電流傳輸過程 3.4 位障高度的量測 3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸 第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸 【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性 5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應 第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體 第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units) C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性 K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引
