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【中文翻譯書】 書名：CMOS VLSI 設計原理 電路與系統探討 第三版 原文書名：CMOS VLSI Design:A Circuits and Systems Perspective 原文作者：Weste 中文譯者： 周世傑 出版社：偉明 出版日期：2010/05/20 ISBN：9789861548272
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CMOS VLSI 設計原理 (3版)
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【中文翻譯書】 書名：CMOS VLSI 設計原理 電路與系統探討 第三版 原文書名：CMOS VLSI Design:A Circuits and Systems Perspective 原文作者：Weste 中文譯者： 周世傑 出版社：偉明 出版日期：2010/05/20 ISBN：9789861548272
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【中文翻譯書】 書名：CMOS數位積體電路分析與設計 第四版 原文書名：CMOS Digital Integrated Circuits:Analysis and Design, 4e 作者：Kang, Leblebici, Kim 翻譯：黃崇禧、陳右罡 出版社：東華 出版日期：2015/12/28 ISBN：9789863411949 內容簡介 本書涵蓋層面甚廣，包含半導體製程、元件模型、電路設計、製造測試等相關議題。前段內容可供一般學生建立有關超大型積體電路設計的基礎入門知識，而全書不僅可以使從事數位系統設計工程師了解底層標準元件電路知識，也能作為混合訊號/類比電路設計工程師建立高速積體電路設計之參考。 有關第四版的內容，作者除改寫當代半導體製程演進介紹外，亦採用短通道電晶體模型來推導相關電路特性，並刪除原有空乏型反相器電路範例，以虛擬nMOS反相器替代，以符合現今主流的次微米／奈米製程電路設計。記憶體章節亦部分改寫，增加低電壓SRAM介紹；BiCMOS章節則改為算術運算單元電路介紹；時脈產生章節也增加鎖相迴路與延遲鎖定迴路簡介。此次內容的更新，使得本書得更趨於完整且符合時代之潮流。 本書改版特色 ‧本書內容旨在強化學生對數值方法的認知，除了維持前版優點，盡可能讓內容適合大學部學生使用。 ‧透過問題導向方法引起學習動機，促進良好的學習效果。 ‧Visual Basic、Fortran 90與C/語言引導學生自行開發結構化且簡單的程式，以彌補現有軟體的不足。 ‧更新更具挑戰的題組、題材及案例探討。 目錄 第 1 章 簡介 第 2 章 MOSFET的製造 第 3 章 MOS電晶體 第 4 章 使用SPICE的MOS電晶體模型化 第 5 章 MOS 反相器：靜態特性 第 6 章 MOS 反相器：切換特性與連接線效應 第 7 章 組合MOS邏輯電路 第 8 章 循序MOS邏輯電路 第 9 章 動態邏輯電路 第 10 章 半導體記憶體 第 11 章 低功率CMOS邏輯電路 第 12 章 算術建構區塊 第 13 章 時脈與/IO電路 第 14 章 可製造性設計 第 15 章 可測試性設計
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【中文翻譯書】 書名 : 離散時間訊號處理 原文作者 : Oppenheim 原文書名 : Discrete-Time Signal Processing 3/e 譯者 : 陳常侃、王鵬華、丁建鈞 出版社 : 全華 書號 : 18041 ISBN : 9789862800089 內容簡介 第1章「簡介」數位訊號處理的概述、歷史與未來發展。 第2章「離散時間訊號與系統」：介紹離散時間訊號與系統的基本類別，並定義一些基本的特性，如線性、非時變形、穩定性、因果律等。 第3章「z轉換」：建立z轉換的基本理論與特性，以及逆z轉換的一些方法。 第4章「連續時間訊號的取樣」：討論當離散時間訊號主要是由週期取樣連續時間訊號而來時，連續時間訊號與離散時間訊號會有什麼樣的關係性，其中也包含Nyquist取樣定理的建立。 第5章「線性非時變系統的轉換分析」：深入探討線性非時變系統的特性。 第6章「離散時間系統的結構」：重點放在如何使用常係數線性差分方程式來表示系統，並藉由區塊圖和線性訊號流程圖來建立他們的表示法。 第7章「濾波器設計技巧」：討論如何獲得線性差分方程式的係數來近似我們所要求的系統響應。 第8章「離散傅立葉轉換」：介紹離散傅利葉轉換的性質，並詳細討論其和離散時間傅利葉轉換的相關性。 第9章「計算離散傅利葉轉換」：討論用來計算與實現DFT的各種重要演算法，其中包含Goertzel演算法、快速傅利葉轉換演算法及啾聲轉換。 第10章「使用離散傅立葉轉換進行訊號的傅立葉分析」：著重於使用DFT來對訊號做傅利葉分析。 第11章「參數訊號模型」：主要探討參數訊號模型等議題。 第12章「離散希爾伯特轉換」：討論離散希爾伯特轉換及應用。 第13章「倒頻譜分析與同態解旋積」：深入討論倒頻譜。 目錄 第1章 簡介 第2章 離散時間訊號與系統 第3章 z轉換 第4章 連續時間訊號的取樣 第5章 線性非時變系統的轉換分析 第6章 離散時間系統的結構 第7章 濾波器設計技巧 第8章 離散傅立葉轉換 第9章 計算離散傅立葉轉換 第10章 使用離散傅立葉轉換進行訊號的傅立葉分析 第11章 參數訊號模型 第12章 離散希爾伯特轉換 第13章 倒頻譜分析與同態解旋積 附錄A 隨機訊號 附錄B 連續時間濾波器 附錄C 部份基本問題的解答
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【中文翻譯書】 書名：類比CMOS積體電路設計 第二版 原文書名：Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2/E 作者：Razavi 翻譯：翁展翔 出版社：東華 出版日期：2017/06/00 ISBN：9789863413196
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數位積體電路設計─從IC Design的實務面介紹Verilog硬體描述語言(DVD Inside) +作者：夏大維著 +年份：2016 年1 版 +ISBN：9789865647339 +書號：EE0443 +規格：16開/平裝/單色 +頁數：448 +出版商：滄海 1.以作者20多年專業IC設計的經驗傳承為主軸，有別於一般傳統Verilog語法教學與撰寫程序為主，因此本書是以專業、實務的角度，以培育優秀的IC設計工程師、研發經理與帶領團隊為目標，介紹Verilog的語法和實務上的細節。 2.本書特別著重Verilog語法與實務的融會貫通，力求利用淺顯的文字及適當的釋例，解說Verilog觀念與IC設計的關聯性，以協助讀者掌握文中的重要概念，使讀者進一步了解Verilog與IC電子電路的關係。 3.每章章末的習題均與章前的學習目標搭配，幫助讀者對該章重要概念之掌握。另外，本書隨附光碟中涵括許多IC設計之相關專業論文與專業軟體，能幫助讀者快速與國際接軌，以提升IC設計的專業素質。 4.本書適時介紹台灣的半導體產業，與上、中、下游各公司的分工關係，提供讀者生涯規劃與職前面試的參考。 目錄 第1章 數位 IC 的設計觀念 第2章 Verilog 的演進與電子設計自動化 第3章 Verilog 的模組與架構 第4章 Verilog 的敘述與電路設計 第5章 組合邏輯電路與算術邏輯運算 第6章 循序邏輯電路 第7章 有限狀態機器 第8章 記憶體設計與應用 第9章 Verilog 2001 增強特色 第10章 重要的網站與免費 IP 資源 附錄A 關鍵字、系統任務與函式、編譯器指令的列表 附錄B 正式的語法定義
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【中文書】 書名：射頻鎖相迴路IC設計(第二版) 作者：高曜煌 出版社：滄海 出版日期：2017/07/00 ISBN：9789865647766 內容簡介 頻率合成器是各種通信IC的心臟，是近代無線通信系統必備電路，本書系統應用面及積體電路設計兩者兼顧，同時類比與數位積體電路兼顧，提供多種CMOS製程的電路，並詳細闡述各種電路的由來，使讀者瞭解電路演進過程，包含MATLAB程式例提供快速的模擬學習。 目錄 第一部分 基礎部分 第1章 緒論 第2章 鎖相迴路基本原理 第3章 相位雜訊 第4章 頻率合成器 第二部分 積體電路設計部分 第5章 CMOS壓控振盪器 第6章 數位電路
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【中文翻譯書】 (附光碟) 書名：Verilog硬體描述語言 第二版 原文書名：Verilog HDL A Guide to Digital Design and Synthesis 2/e 原文作者：Samir Palnitkar 中文譯者：黃稚存 ISBN：9789861541044 1 . 本書涵蓋Verilog的廣泛內容，包含基礎Verilog語言到高階Verilog語言，都有詳盡的分析與討論。 2 . 本書對Verilog語言有充份的探討及實例說明，能幫助讀者了解Verilog的程式結構，進而學會完成設計IC的方法。 本書涵蓋Verilog HDL的廣泛內容，對邏輯合成部份有深入的探討並輔以實例說明。本書內容包含運用Verilog、階層模組的觀念、Verilog的基本概念、邏輯閘層次模型、資料處理模組、行為模型、任務與函數、有用的程式技巧及高階Verilog的邏輯設計、本書適合作為大學電子、資工「VHDL設計」、「VHDL晶片設計」等課程所使用。
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【簡介】 本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。 1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。 【目錄】 第一章 導論 1.1 簡史 1.2 概述 1.3 本章總結 習題 參考文獻 第二章 積體電路製程介紹 2.1 IC製程簡介 2.2 IC的良率 2.3 無塵室技術 2.4 IC晶圓廠的基本結構 2.5 IC測試與封裝 2.6 近期的發展 2.7 本章總結 習題 參考文獻 第三章 半導體基礎 3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 IC晶片 3.4 IC基本製程 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 3.7 本章總結 習題 參考文獻 第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷 4.4 從矽砂到晶圓 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 未來趨勢 4.8 本章總結 習題 參考文獻 第五章 加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備 5.3 氧化製程 5.4 擴散 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程近年發展 5.9 本章總結 習題 參考文獻 第六章 微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻 6.3 微影製程 6.4 微影技術的發展趨勢 6.5 其他微影製程方法 6.6 極紫外光(EUV)微影技術 6.7 安全性 6.8 本章總結 習題 參考文獻 第七章 電漿製程 7.1 簡介 7.2 電漿基本概念 7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.9 遠距電漿製程 7.10 高密度電漿(HDP)製程 7.11 本章總結 習題 參考文獻 第八章 離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備 8.4 離子佈植製程 8.5 安全性 8.6 近年發展及應用 8.7 本章總結 習題 參考文獻 第九章 蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎 9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量 9.8 最新進展 9.9 本章總結 習題 參考文獻 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG) 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔 10.9 新千禧年的介電質材料 10.10 本章總結 習題 參考文獻 第十一章 金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜 11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程 11.7 最新進展 11.8 安全性 11.9 本章總結 習題 參考文獻 第十二章 化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程 12.6 CMP製程近年發展 12.7 本章總結 習題 參考文獻 第十三章 半導體製程整合 13.1 簡介 13.2 晶圓準備 13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 高k金屬閘極MOSFET 13.7 連線技術 13.8 鈍化 13.9 本章總結 習題 參考文獻 第十四章 IC製程技術 14.1 簡介 14.2 1980年代CMOS製程流程 14.3 1990年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程 14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結 習題 參考文獻 第十五章 3D IC元件的製造過程 15.1 引言 15.2 埋入式閘極字元線DRAM 15.3 3D-NAND 快閃記憶體 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造 15.5 本章總結 習題 參考文獻 第十六章 總結與未來趨勢 參考文獻
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書名：微電子學 中譯本 第8版（上冊） 原文書名： Microelectronic Circuits 8/e 原文作者：Adel S. Sedra、Kenneth C. Smith 中文譯者：曹恆偉、林浩雄、呂學士、郭建宏 ISBN： 9786269505067 書名：微電子學 中譯本 第8版 （下冊） 原文書名：Microelectronic Circuits 8/e 作者：Adel S. Sedra、Kenneth C. Smith 翻譯：曹恆偉、林浩雄、呂學士、郭建宏 出版日期：2023/03/00 ISBN：9786269653676 書名：微電子學題解 第七版(上冊) 原文書名：Instructor's Solutions Manual for Microelectronic Circuits, 7th IE 作者：Adel S. Sedra 翻譯：江昭暟 出版社：滄海 出版日期：2017/01/00 ISBN：9789865647605 書名：微電子學題解 第七版(下冊) 原文書名：Instructor's Solutions Manual for Microelectronic Circuits, 7th IE 作者：Sedra Smith 翻譯：江昭暟 出版社：滄海 出版日期：2017/10/00 ISBN：9789865647872 上冊目錄 第一部分 元件及基本電路 第1章 電子學與半導體 第2章 運算放大器 第3章 二極體 第4章 雙載子接面電晶體(BJTs) 第5章 金氧半場效電晶體(MOSFETs) 第6章 電晶體放大器 第二部分 積體電路放大器 第7章 積體電路放大器的建構模塊 第8章 差動與多級放大器 下冊目錄 第9章 頻率響應 第10章 回授 第三部分 類比積體電路 第11章 輸出級與功率放大器 第12章 運算放大器電路 第13章 濾波器及調諧放大器 第14章 信號產生器和波形成形電路 第四部分 數位積體電路 第15章 CMOS數位邏輯電路 第16章 進階之數位積體電路設計 第17章 記憶體電路 附錄 G MOSFET與BJT的比較 附錄 J 標準電阻值以及單位前置因子 附錄 K CMOS及雙載子製程之IC元件典型參數表
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【中文書】 書名：無線通訊射頻晶片模組設計－射頻系統篇(修訂版) 作者：張盛富、張嘉展 出版社：全華 ISBN： 9789572165454 內容簡介 本書特別注重文獻參考資料，作者於內文每章中總會有一段敘述該章電路的發展歷史，以彰顯射頻知識的傳承。另外也列舉了不同分析電路的方法，來增加思考的廣度，且大部分例題都經由實作量測，以驗證其可行性。此書適用於大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程使用。 本書特色 1 . 針對無線通訊產品中之收發模組，進行詳細的介紹與分析。 2 . 列舉各種理論和方法，增加思考廣度。 3 . 重視文獻回顧，以彰顯射頻知識的沿革。 4 . 提供模擬和實作例題，以便使讀者更加了解射頻系統。 5 . 適用於大學、科大、技術學院電子、電訊系「射頻系統導論」、「射頻電路設計」課程使用。 目錄 第1章 射頻技術之發展 1.1 演變中的射頻與微波技術 2 1.2 射頻技術的新巔峰 4 1.3 射頻模組的設計循環 25 第2章 射頻收發架構分析 2.1 固定中頻超外差接收架構 32 2.2 正交超外差接收架構 42 2.3 直接降頻接收架構 45 2.4 精準的本地振盪訊號源鎖相迴路 52 2.5 低中頻接收架構 53 2.6 寬頻超外差接收架構 58 2.7 浮動中頻超外差接收機 59 2.8 次取樣接收架構 61 2.9 數位中頻接收架構 62 2.10 射頻接收效能的評估參數 63 2.11 射頻發射架構 74 2.12 射頻發射效能的評估參數 77 第3章 增 益 3.1 功率增益 84 3.2 輸入和輸出埠參考阻抗改變 91 3.3 模組間之連接線效應 96 3.4 串接模組之增益-已知各子電路散射參數的完整訊息 106 3.5 串接模組之增益-只有各子電路散射參數的大小訊息 110 第4章 雜 訊 4.1 熱雜訊 120 4.2 射彈雜訊 123 4.3 閃爍雜訊 124 4.4 背景雜訊 125 4.5 雜訊溫度之定義 126 4.6 雜訊指數之定義 129 4.7 雙埠電路之雜訊指數計算與量測 132 4.8 被動電路之雜訊指數 136 4.9 天線之雜訊指數 147 4.10 混頻電路之雜訊指數 147 4.11 串接模組之雜訊指數 152 4.12 相位雜訊 160 4.13 振盪器之相位雜訊指數 165 4.14 含本地振盪埠雜訊效應之串接模組雜訊指數 169 第5章 非線性效應與計算 5.1 射頻訊號之非線性效應 178 5.2 1-dB增益壓縮點之分析與量測 180 5.3 1-dB增益壓縮點之量測 185 5.4 二階截止點之分析 186 5.5 二階截止點之量測-單頻測試 189 5.6 二階截止點之量測-雙頻測試 192 5.7 三階截止點之分析 199 5.8 三階截止點之量測 207 5.9 串級電路之非線性效應計算 209 5.10 射頻多載波信號之非線性效應評量 214 5.11 射頻數位調變信號之非線性效應評量 218 第6章 射頻模組鏈路計算與模擬 6.1 射頻接收鏈路計算 226 6.2 射頻發射鏈路計算 236 6.3 數位調變訊號模擬 243 6.4 影響EVM效能的因素 257 6.5 子電路設計 263 6.6 射頻收發整合與測試 274 附錄一 284 附錄二 286
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【中文書】 書名 : 無線通訊射頻晶片模組設計－射頻晶片篇(第二版) 作者 : 張盛富、張嘉展 出版社 : 全華 ISBN : 9789572197790 內容簡介 本書內容包含微波半導體元件與模型、射頻放大器、功率放大器與線性化技術、振盪器及混頻器。且特別注重文獻參考資料，以彰顯射頻知識的傳承。另外為增加思考廣度，列舉了不同的電路分析方法。本書適用於私立大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程。 本書特色 1.針對無線通訊產品中之射頻晶片(含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片)作詳盡之介紹。 2.列舉各種設計理論和分析方法，以增加思考廣度。 3.重視文獻回顧，以彰顯射頻知識的沿革。 4.提供模擬和實作例題，以便使讀者更加了解射頻晶片。 目錄 第7章 半導體元件與模型 7.1 半導體物理概述 2 7.2 二極體元件 17 7.3 雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor , BJT) 26 7.4 異質接面雙極性電晶體(Hetrojunction Bipolar Transistor, HBT) 32 7.5 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET) 35 7.6 金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) 37 7.7 金半場效電晶體(Metal- Semiconductor Field Effect Transistor , MESFET) 42 7.8 高速電子移動電晶體(High Electron Mobility Transistor , HEMT) 43 7.9 半導體參數測試及元件特性分析 47 7.10 微波元件特性及模型 49 第8章 射頻放大器 8.1 混成射頻放大器與單晶射頻放大器 66 8.2 輸出與輸入功率的比值-增益 69 8.3 訊號波流理論(Signal Flow Theory) 73 8.4 穩定度分析 83 8.5 消除不穩定的方法 91 8.6 直流偏壓電路 103 8.7 單向增益匹配 108 8.8 雙向增益匹配 111 8.9 功率匹配 115 8.10 雜訊匹配 119 8.11 設計實例 125 第9章 功率放大器與線性化技術 9.1 功率放大器特性之概述 148 9.2 功率放大器之類別 150 9.3 克里普斯(Cripps)負載線法 166 9.4 負載拉挽方法(Load-Pulling Method) 175 9.5 回饋線性化技術 177 9.6 前饋線性化(Feedforward Linearization)技術 184 9.7 前置失真技術(Pre-Distortion) 186 9.8 封包消弭與回復技術(Envelope Elimination and Restoration) 188 9.9 功率放大器設計實例 189 第10章 振盪器 10.1 簡介 200 10.2 形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法 202 10.3 形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法 206 10.4 形成振盪的必要條件-小訊號S參數分析法 211 10.5 形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法 215 10.6 形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法 219 10.7 穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法 226 10.8 穩定振盪功率-大訊號S參數分析法 230 10.9 負載拉挽效應 233 10.10 注入鎖定效應 236 10.11 評估振盪器效能之各項參數 238 10.12 設計實例 241 第11章 混頻器 11.1 混頻器之發展與效能參數 260 11.2 單端二極體混頻器 264 11.3 單平衡二極體混頻器 275 11.4 雙平衡二極體混頻器 294 11.5 單閘極MESFET混頻器 302 11.6 雙閘極MESFET混頻器 306 11.7 平衡型MESFET混頻器 308 11.8 電阻型MESFET混頻器 312 11.9 單端MOSFET混頻器 316 11.10 平衡型MOSFET混頻器 318 11.11 電阻型MOSFET混頻器 330 11.12 平衡型BJT混頻器 332 11.13 次諧波驅動混頻器 333 11.14 鏡像拒斥降頻器 336 11.15 單邊帶升頻器 339 A 索引
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