半導體製程技術導論 (4版)
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【簡介】
本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。
1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。
2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。
3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。
【目錄】
第一章 導論
1.1 簡史
1.2 概述
1.3 本章總結
習題
參考文獻
第二章 積體電路製程介紹
2.1 IC製程簡介
2.2 IC的良率
2.3 無塵室技術
2.4 IC晶圓廠的基本結構
2.5 IC測試與封裝
2.6 近期的發展
2.7 本章總結
習題
參考文獻
第三章 半導體基礎
3.1 半導體基本概念
3.2 半導體基本元件
3.3 IC晶片
3.4 IC基本製程
3.5 互補式金屬氧化物電晶體
3.6 2000後半導體製程發展趨勢
3.7 本章總結
習題
參考文獻
第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程
4.1 簡介
4.2 為什麼使用矽材料
4.3 晶體結構與缺陷
4.4 從矽砂到晶圓
4.5 磊晶矽生長技術
4.6 基板工程
4.7 未來趨勢
4.8 本章總結
習題
參考文獻
第五章 加熱製程
5.1 簡介
5.2 加熱製程的硬體設備
5.3 氧化製程
5.4 擴散
5.5 退火過程
5.6 高溫化學氣相沉積
5.7 快速加熱製程(RTP)系統
5.8 加熱製程近年發展
5.9 本章總結
習題
參考文獻
第六章 微影製程
6.1 簡介
6.2 光阻
6.3 微影製程
6.4 微影技術的發展趨勢
6.5 其他微影製程方法
6.6 極紫外光(EUV)微影技術
6.7 安全性
6.8 本章總結
習題
參考文獻
第七章 電漿製程
7.1 簡介
7.2 電漿基本概念
7.3 電漿中的碰撞
7.4 電漿參數
7.5 離子轟擊
7.6 直流偏壓
7.7 電漿製程優點
7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器
7.9 遠距電漿製程
7.10 高密度電漿(HDP)製程
7.11 本章總結
習題
參考文獻
第八章 離子佈植製程
8.1 簡介
8.2 離子佈植技術簡介
8.3 離子佈植技術硬體設備
8.4 離子佈植製程
8.5 安全性
8.6 近年發展及應用
8.7 本章總結
習題
參考文獻
第九章 蝕刻製程
9.1 蝕刻製程簡介
9.2 蝕刻製程基礎
9.3 濕式蝕刻製程
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程
9.5 電漿蝕刻製程
9.6 蝕刻製程發展趨勢
9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量
9.8 最新進展
9.9 本章總結
習題
參考文獻
第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜
10.1 簡介
10.2 化學氣相沉積
10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC
10.4 介電質薄膜特性
10.5 介電質CVD製程
10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG)
10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD)
10.8 介電質CVD反應室清潔
10.9 新千禧年的介電質材料
10.10 本章總結
習題
參考文獻
第十一章 金屬化製程
11.1 簡介
11.2 導電薄膜
11.3 金屬薄膜特性
11.4 金屬化學氣相沉積
11.5 物理氣相沉積
11.6 銅金屬化製程
11.7 最新進展
11.8 安全性
11.9 本章總結
習題
參考文獻
第十二章 化學機械研磨製程
12.1 簡介
12.2 CMP硬體設備
12.3 CMP研磨漿
12.4 CMP基本理論
12.5 CMP製程
12.6 CMP製程近年發展
12.7 本章總結
習題
參考文獻
第十三章 半導體製程整合
13.1 簡介
13.2 晶圓準備
13.3 隔離技術
13.4 井區形成
13.5 電晶體製造
13.6 高k金屬閘極MOSFET
13.7 連線技術
13.8 鈍化
13.9 本章總結
習題
參考文獻
第十四章 IC製程技術
14.1 簡介
14.2 1980年代CMOS製程流程
14.3 1990年代CMOS製程流程
14.4 2000年代CMOS製程流程
14.5 2010年代CMOS製程流程
14.6 記憶體晶片製造製程
14.7 本章總結
習題
參考文獻
第十五章 3D IC元件的製造過程
15.1 引言
15.2 埋入式閘極字元線DRAM
15.3 3D-NAND 快閃記憶體
15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造
15.5 本章總結
習題
參考文獻
第十六章 總結與未來趨勢
參考文獻
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半導體物理與元件 (4版)
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原文書資訊
書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE)
作者: NEAMEN
ISBN: 9780071089029
出版社: Mc Graw Hill
出版年: 2012年
中文書資訊
書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles)
作者: NEAMEN/ 楊賜麟
ISBN: 9789861578255
出版社: 東華
出版年: 2012年
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半導體元件物理與製程：理論與實務 (4版)
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半導體元件物理與製程─理論與實務
Semiconductor Device Physics and Process Integration：Theory & Practice
作 者：劉傳璽 、陳進來
出版社別：五南
出版日期：2022/09/01(4版2刷)
ＩＳＢＮ：978-626-317-514-3
E I S B N：9786263175280
書 號：5D75
頁 數：560
開 數：20K
內容簡介
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。
本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考
本書特色
●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。
●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。
●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。
●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
目錄
第一章 半導體元件物理的基礎
1.1 半導體能帶觀念與載子濃度
1.2 載子的傳輸現象
1.3 支配元件運作的基本方程式
第二章 P-N 接面
2.1 P-N接面的基本結構與特性
2.2 零偏壓
2.3 逆向偏壓
2.4 空乏層電容
2.5 單側陡接面
2.6 理想的電流－電壓特性
2.7 實際的電流－電壓特性
2.8 接面崩潰現象與機制
第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎
3.1 MOS電容的結構與特性
3.2 理想的MOS(金氧半)元件
3.3 實際的MOS(金氧半)元件
第四章 長通道MOSFET元件
4.1 MOSFET的基本結構與類型
4.2 基本操作特性之觀念
4.3 電流－電壓特性之推導
4.4 其他重要元件參數與特性
第五章 短通道MOSFET元件
5.1 短通道元件的輸出特性
5.2 短通道元件的漏電流現象
第六章 CMOS製造技術與製程介紹
6.1 CMOS製造技術
6.2 CMOS製造流程介紹
第七章 製程整合
7.1 元件發展需求
7.2 基板工程(substrate engineering)
7.3 閘極工程
7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering)
7.5 內連線工程(inter-connection)
第八章 先進元件製程
8.1 先進元件製程需求
8.2 SOI
8.3 應變矽Strain Si
8.4 非平面元件 3D device
8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric)
8.6 金屬閘極Metal gate
第九章 邏輯元件
9.1 邏輯元件的要求—速度、功率
9.2 反向器(Inverter)
9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic)
9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF
9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA
第十章 邏輯/類比混合訊號
10.1 混合訊號特性
10.2 混合訊號電路
10.3 混合訊號的主動元件( Active device)
10.4 混合訊號被動元件(Passive device)
10.5 混合訊號電路特別需求
第十一章 記憶體
11.1 CMOS記憶體特性與分類
11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM
11.3 動態隨機存取記憶體DRAM
11.4 快閃記憶體Flash
11.5 發展中的先進記憶體
第十二章 分離元件
12.1 功率二極體
12.2 功率金氧半場效電晶體
12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體
12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET
12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor
12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC
12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體
第十三章 元件電性量測WAT 413
13.1 直流（DC）電性量測
13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測
13.3 RF 電性量測
13.4 元件模型
第十四章 SOC 與半導體應用
14.1 IC 功能分類
14.2 SOC
14.3 半導體應用
14.4 資訊電子Computer
14.5 通訊電子Communication
14.6 消費性電子Consumer
14.7 汽車電子Car
14.8 網際網路
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半導體IC產品可靠度 : 統計 物理與工程 (2版)
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半導體IC產品可靠度：統計、物理與工程
作 者：傅寬裕
出版社別：五南
出版日期：2020/07/01(2版5刷)
ＩＳＢＮ：978-957-11-6074-0
書 號：5DB5
頁 數：248
開 數：20K
1. 本書附有元素週期表、AQL選樣計劃表、半導體物理常數表，可供讀者翻閱參考。
2. 唯一一本貫穿半導體產業為題材的專業書籍。以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材。
本書的編寫以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材而開展。全書共分六章；開宗明義的第一章旨在介紹給讀者以半導體、IC產品製程、及基本可靠度的知識與觀念。第二章，則從統計與物理兩個面向，致力於幾個對IC產品可用的可靠度壽命分佈模型來解說。第三章，深入淺出地介紹與IC元件有關的幾個基本可靠度問題。第四章，介紹有關後段封裝所可能引起的其它可靠度問題。現今IC業界，為了保證產品的可靠度，從晶圓，到封裝的製程，都有一套公認的可靠度認證過程。特別將認證過程公認的主要規定闡述於第五章。最後，於第六章，介紹對失效品的故障分析。從分析儀器及技術、常見的故障原因，到如何減低故障發生率的未來方向都有精簡的敘述。
本書適合作為電子、電機工程及相關科系研究生教科書，半導體IC業界從業工程師參考書。相關理工科系的大學部學生，如有志於半導體IC一行為業，以本書作為進階的參考書，當亦有所牌益。
目錄
第１章 緒 論
1.1 半導體
1.2 半導體 IC 產品的製造流程
1.3 基本可靠度觀念
1.4 產品可用壽命
參考文獻
第２章 可靠度壽命分布模型
2.1 指數分布模型
2.2 常態與對數常態分布模型
2.2.1 常態分布模型
2.2.2 對數常態分布模型
2.3 韋伯分布（Weibull distribution）模型
2.4 浴缸曲線（bathtub curve）
2.4.1 早夭期（infant mortality period）
2.4.2 有用生命期（useful life period）
參考文獻
第３章 半導體 IC 元件的基本可靠度問題
3.1 介電質的崩潰（dieletric breakdown）
3.2 電晶體的不穩定度
3.2.1 離子污染
3.2.2 熱載子射入
3.2.3 負偏壓溫度不穩定度（NBTI）
3.3 金屬導體的電遷移（electromigra-tion，簡稱 EM）
3.4 靜電放電引起的潛藏性傷害
3.5 CMOS 寄生雙載子電晶體引起的電路閂鎖及其傷害
3.6 粒子造成的軟性錯誤（soft error）
參考文獻
第４章 半導體 IC 封裝的可靠度問題
4.1 封裝或晶粒的裂開
4.2 金屬導線的腐蝕
4.3 連接線的脫落
4.4 封裝主要可靠度問題的表列
4.5 封裝可靠度測試
參考文獻
第５章 半導體 IC 產品量產的認證過程
5.1 量產前可靠度認證的一般規格
5.2 晶粒可靠度認證測試
5.2.1 元件可靠度認證測試
5.2.2 產品可靠度認證測試
5.3 封裝可靠度認證測試
5.4 比較嚴格的車規認證
參考文獻
第６章 故障分析
6.1 故障分析的工具／技術
6.2 電性與物性故障分析
6.3 常見的故障模態／機制
6.4 減少故障率的未來方向
參考文獻
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【簡介】
半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。
在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。
【目錄】
序
致謝
第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇
0.1 設備維修該有的認知及態度
0.2 設備安全標示的認識
0.2.1 設備安全標示的認識
0.2.2 個人防護裝備的認識
0.3 設備機電系統的定義及分類
類比控制系統
數位控制系統
0.4 設備控制系統
0.5 常見電路圖圖示認識
0.6 半導體導論
參考資料
第一章 擴散設備（Diffusion）篇
1.1 爐管（Furnace）
1.1.1 爐管設備系統架構
1.1.2 爐管製程介紹
1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹
1.1.4 經驗分享
1.2 離子植入（Ion Implant）
1.2.1 離子植入製程基礎原理
1.2.2 離子植入機設備系統簡介
1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介
1.2.4 離子植入製程後的監控與量測
1.2.5 離子植入機操作注意事項
1.2.6 離子植入製程問題討論與分析
參考文獻 101
第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇
2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法
2.1.1 濕式清洗的目的
2.1.2 濕式蝕刻的目的
2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響
2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術
2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨
2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除
2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術
2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術
2.3 化學品供應系統
2.3.1 化學品分類
2.3.2 化學品供應系統
2.4 wet bench結構與循環系統
2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構
2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統
2.4.3 循環系統與乾燥系統
參考文獻
第三章 薄膜設備（Thin Films）篇
3.1 電漿（Plasma）
3.1.1 電漿產生的原理
3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器
3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD）
3.2.0 簡介
3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD）
3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD）
3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD）
3.3.1 熱蒸鍍
3.3.2 電子束蒸鍍
3.3.3 濺鍍
參考文獻
第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇
4.0 前言
4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher）
4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors）
4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹
4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE）
4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE）
4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE）
4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors）
4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC）
4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP）
4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR）
4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP）
4.2 晶圓固定與控溫設備
4.3 終點偵測裝置（End point detectors）
4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes）
4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較
4.4.2 乾式蝕刻機制
4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象
4.4.4 各式製程蝕刻說明
4.5 總結
參考文獻
第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇
5.1 前言 256
5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer）
5.2.1 光阻塗佈系統（Coater）
5.2.2 顯影系統（Developer）
5.3 曝光系統（Exposure System）
5.3.1 光學微影（Optical Lithography）
5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography）
5.4 現在與未來
5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography）
5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography）
5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography）
5.5 工作安全提醒
參考文獻
第六章 研磨設備（Polishing）篇
6.1 前言
6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP）
6.2.1 研磨頭
6.2.2 研磨平臺
6.2.3 研磨漿料控制系統
6.2.4 清洗／其他
6.3 研磨漿料
6.4 化學機械研磨製程中常見的現象
6.5 化學機械研磨常用的化學品
參考文獻
第七章 IC製造概述篇
7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow）
前段製程（FEOL）
後段製程（BEOL）
7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹
四種基本及重要的電荷
高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve）
7.3 鰭式電晶體元件製造流程（FinFET Device Process Flow）
PMOS鰭式場效應電晶體（PMOS bulk FinFET）製造流程
7.4 碳化矽高功率元件（SiC Power Device）—接面位障蕭特基二極體（Junction Barrier Schottky Diode, JBSD）製造流程
7.5 氮化鎵功率元件製造流程（GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow）
參考文獻
第八章 控制元件檢測及維修篇
8.1 簡介
8.2 維修工具的使用
8.2.1 一般性維修工具組
8.2.2 三用電表的使用
8.2.3 示波器 （oscilloscope）的使用
8.2.4 數位邏輯筆的使用
8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器
8.3.1 電源供應器（Power Supply）
8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller）
8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping motor）
8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC）
8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve）
8.3.6 感測器（Sensor）
8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC）
參考文獻
索引
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【中文翻譯書】
書名 ：半導體製造技術
原文書名：Semiconductor Manufacturing Technology
原文作者：Michael Quirk
中文譯者：羅文雄
初版日期：2016
出版社：滄海
ISBN：9789867727701
本書特色
●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面
皆做完整詳盡的介紹。
●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。
●對大專在學學生及實際線上工程師而言，皆是一本優良的課程
教材及技術入門手冊。
校閱者簡介
劉文超
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
許渭州
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長
國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
譯者簡介
羅文雄
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授
蔡榮輝
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立高雄師範大學物理系副教授
鄭岫盈
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 亞東技術學院電機工程系助理教授
本書目錄
第1章
半導體工業簡介
第2章
半導體材料特性
第3章
元件技術
第4章
矽與晶圓準備
第5章
半導體製造之化學特性
第6章
半導體製造廠之污染控制
第7章
量測與缺陷
第8章
製程反應室之氣體控制
第9章
IC製造概述
第10章
氧化
第11章
沈積
第12章
金屬化
第13章
微影：氣相塗底至軟烤
第14章
微影：對準與曝光
第15章
微影：光阻顯影與先進雕像
第16章
蝕刻
第17章
離子植入
第18章
化學機械平坦化
第19章
晶圓測試
第20章
裝配與封裝
附錄A
化學品及其安全性
附錄B
無塵室中的污染控制
附錄C
單位
附錄D
以氧化物厚度為函數的顏色
附錄E
光阻化學品概論
附錄F
蝕刻化學品
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半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)
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【中文翻譯書】
書名：半導體元件物理與製作技術第三版
原文書名：Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E
作者: 施敏、李明逵
譯者：曾俊元
出版社：國立交通大學
出版日期：2013/08
ISBN：9789866301568
內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
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半導體元件(Streetman 7/e) (7版)
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原文書資訊
書名:SOLID STATE ELECTRONIC DEVICES 7/E 2015<Pearson Education, Inc.>
作者: STREETMAN
ISBN: 9781292060552
出版社: Pearson Education, Inc.
出版年: 2015年
中文書資訊
書名: 半導體元件(Streetman 7/e) 7/E 2017 <滄海書局>
作者: Streetman/ 龔正 鄭岫盈
ISBN: 9789862803646
出版社: 鼎隆
出版年: 2017年
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半導體元件物理學第四版（下冊） (4版)
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半導體元件物理學第四版（上冊）
ISBN13：9789865470289
替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社：國立陽明交通大學出版社
作者：施敏;李義明;伍國珏
譯者：顧鴻壽;陳密
裝訂／頁數：平裝／688頁
規格：23cm*17cm (高/寬)
版次：初
出版日：2022/06/29
中國圖書分類：電子工程
上冊目錄
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
半導體元件物理學第四版（下冊）
ISBN13：9789865470562
替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社：國立陽明交通大學出版社
作者：施敏;李義明;伍國珏
譯者：顧鴻壽;陳密
裝訂／頁數：平裝／592頁
規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚)
版次：初
出版日：2022/12/30
中文圖書分類：電子工程
下冊目錄
序言
譯者序一
譯者序二
導論
第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體
8.1 簡介
8.2 JFET 和MESFET
8.3 調變摻雜場效電晶體
第四部分 負電阻以及功率元件
第九章 穿隧元件
9.1 簡介
9.2 穿隧二極體
9.3 相關穿隧元件
9.4 共振穿隧二極體
第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件
10.1 簡介
10.2 衝擊離子化累增渡時二極體
10.3 電子轉移元件
10.4 實空間轉移元件
第十一章 閘流體和功率元件
11.1 簡介
11.2 閘流體基本特性
11.3 閘流體的種類
11.4 其他功率元件
第五部分 光子元件和感應器
第十二章 發光二極體和雷射
12.1 簡介
12.2 輻射躍遷
12.3 發光二極體
12.4 雷射物理
12.5 雷射操作特性
12.6 特殊雷射
第十三章 光偵測器和太陽能電池
13.1 簡介
13.2 光導體
13.3 光二極體
13.4 累增光二極體
13.5 光電晶體
13.6 電荷耦合元件
13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器
13.8 量子井近紅外光光偵測器
13.9 太陽能電池
第十四章 感測器
14.1 簡介
14.2 熱感測器
14.3 機械感測器
14.4 磁感測器
14.5 化學感測器
14.6 生物感測器
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統 ( SI Units )
C. 國際單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量
H. Si 與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型
J. 氧化矽與氮化矽的特性
K. 雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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【簡介】
生活中各種電子產品，都有半導體晶片的存在，舉凡手機、筆記型電腦、電腦螢幕、電視、機器人、智慧手錶等等，半導體技術已成為現代科技之石。本書從最基礎的電學知識介紹，進而針對半導體原理、半導體製程、半導體在生活中的應用有一番認識，接下來對電路設計、半導體產業現況及未來發展，有完整的介紹。本書適合高中職「半導體原理與製程概論」、「半導體概論與應用」課程及對半導體領域有興趣者使用。
1.本書作者為所屬領域專業人士。
2.內容簡潔，必備知識圖文並茂。
3.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹，對加工原理及其應用領域，有初步的認識。
4.半導體產業現況及未來發展，有完整的探討。
【目錄】
第1章 電的科學知識
1-1電學概論
1-2電子元件介紹
1-3常用儀器與設備介紹
第2章 半導體原理
2-1半導體種類
2-2二極體介紹與工作原理
2-3電晶體介紹與工作原理
2-4積體電路介紹
第3章 半導體製程
3-1半導體產業介紹
3-2無塵室與晶圓尺寸介紹
3-3重要製程介紹
3-4晶片製作流程
3-5研究發展介紹
第4章 半導體在生活中的應用
4-1生活中的晶片
4-2晶中片各種應用與功能
4-3晶片訊號的傳輸與處理
第5章 電路設計
5-1類比電路數位電路
5-2基本還輯閘
5-3布林代數與邏輯電路設計
5-4組合邏輯電路
5-5循序邏輯電路
第6章 半導體產業的社會面向議題
6-1半導體與臺灣
6-2 臺灣半導體產業生態系
6-3世界半導體產業的代表性廠商
6-4臺灣半導體面臨的各種議題
附錄
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半導體與光電製程及設備 (1版)
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【中文書】
書名：半導體與光電製程及設備
作者：李有璋
出版社：高立
出版日期：2018/02/01
ISBN：9789863780113
內容簡介
本書 總共分成四大篇，分別是第一篇半導體製程與設備、第二章液晶平面顯示器製程與設備、第三篇結晶矽太陽能光伏製程與設備、第四篇發光二極體製程與設備，每一篇都包含四個章節，全書共十六章。
薄膜電晶體液晶顯示器、太陽能電池與發光二極體是台灣三大重要的光電產品，然而業界的製程分工細密，就算是已在線上的從業人員，想要一窺產品的製造全貌也並非易事。因此，有志於了解整體製程或相關設備的工程師，熟讀本書後很多疑問就能迎刃而解。
本書除了可作為現職從事人員的參考書外，更是適用於計畫往這三方面發展學生的面試前必備教材。
目錄
第一篇 基礎半導體製程與設備
第1章 真空與電漿
第2章 薄膜沈積技術與設備
第3章 微影技術與設備
第4章 蝕刻技術與設備
第二篇 液晶顯示器原理與製程
第5章 液晶顯示器概論
第6章 TFT-LCD顯示模態及運作原理
第7章 TFT-LCD製程
第8章 TFT-LCD新技術
第三篇 結晶矽太陽能光伏製程與設備
第9章 太陽能光伏緒論
第10章 矽基板製備
第11章 結晶矽太陽能光伏製程技術
第12章 新型高轉換效率電池技術發展
第四篇 發光二極體製程與設備
第13章 發光二極體概論
第14章 藍寶石基板製備
第15章 發光二極體磊晶與製程技術
第16章 發光二極體新技術
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半導體製程入門：從零開始了解晶片製造 (1版)
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