半導體元件物理與製程：理論與實務 (4版)

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半導體元件物理與製程─理論與實務 Semiconductor Device Physics and Process Integration：Theory & Practice 作 者：劉傳璽 、陳進來 出版社別：五南 出版日期：2022/09/01(4版2刷) ＩＳＢＮ：978-626-317-514-3 E I S B N：9786263175280 書 號：5D75 頁 數：560 開 數：20K 內容簡介 　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。 目錄 第一章 半導體元件物理的基礎 1.1 半導體能帶觀念與載子濃度 1.2 載子的傳輸現象 1.3 支配元件運作的基本方程式 第二章 P-N 接面 2.1 P-N接面的基本結構與特性 2.2 零偏壓 2.3 逆向偏壓 2.4 空乏層電容 2.5 單側陡接面 2.6 理想的電流－電壓特性 2.7 實際的電流－電壓特性 2.8 接面崩潰現象與機制 第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎 3.1 MOS電容的結構與特性 3.2 理想的MOS(金氧半)元件 3.3 實際的MOS(金氧半)元件 第四章 長通道MOSFET元件 4.1 MOSFET的基本結構與類型 4.2 基本操作特性之觀念 4.3 電流－電壓特性之推導 4.4 其他重要元件參數與特性 第五章 短通道MOSFET元件 5.1 短通道元件的輸出特性 5.2 短通道元件的漏電流現象 第六章 CMOS製造技術與製程介紹 6.1 CMOS製造技術 6.2 CMOS製造流程介紹 第七章 製程整合 7.1 元件發展需求 7.2 基板工程(substrate engineering) 7.3 閘極工程 7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering) 7.5 內連線工程(inter-connection) 第八章 先進元件製程 8.1 先進元件製程需求 8.2 SOI 8.3 應變矽Strain Si 8.4 非平面元件 3D device 8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric) 8.6 金屬閘極Metal gate 第九章 邏輯元件 9.1 邏輯元件的要求—速度、功率 9.2 反向器(Inverter) 9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic) 9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF 9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA 第十章 邏輯/類比混合訊號 10.1 混合訊號特性 10.2 混合訊號電路 10.3 混合訊號的主動元件( Active device) 10.4 混合訊號被動元件(Passive device) 10.5 混合訊號電路特別需求 第十一章 記憶體 11.1 CMOS記憶體特性與分類 11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM 11.3 動態隨機存取記憶體DRAM 11.4 快閃記憶體Flash 11.5 發展中的先進記憶體 第十二章 分離元件 12.1 功率二極體 12.2 功率金氧半場效電晶體 12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體 12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET 12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor 12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC 12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體 第十三章 元件電性量測WAT 413 13.1 直流（DC）電性量測 13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測 13.3 RF 電性量測 13.4 元件模型 第十四章 SOC 與半導體應用 14.1 IC 功能分類 14.2 SOC 14.3 半導體應用 14.4 資訊電子Computer 14.5 通訊電子Communication 14.6 消費性電子Consumer 14.7 汽車電子Car 14.8 網際網路

半導體製程與整合（THC） (1版)

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【簡介】 本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。 先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。 材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。 半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。 本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。 【目錄】 第一章 半導體積體電路發展 第二章 基礎半導體材料 第三章 基礎半導體元件 第四章 氧化與加熱製程 第五章 微影製程 第六章 擴散與離子佈植製程 第七章 蝕刻製程 第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積 第九章 半導體金屬化製程 第十章 CMOSFET製程整合 第十一章 先進元件製程 第十二章 FinFET製程整合 第十三章 半導體材料分析技術 第十四章 半導體元件製程發展趨勢

先進微電子3D-IC構裝 (5版)

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【簡介】 先進3D-IC構裝設計在微電子領域展現出多項顯著優勢。透過垂直堆疊多層積體電路（IC），該技術實現在更小空間內達成更高的元件整合，優化空間利用，並打造更加緊湊與高效的電子構裝。此方法能有效縮短互連距離，提升訊號傳輸速度，同時降低能耗。此外，3D-IC構裝允許異質整合，使得各種功能晶片（如邏輯、記憶體及感測器）能夠在單一平台上結合，進一步提升系統性能與功能，尤其適用於高性能計算（HPC）、人工智慧（AI）、行動設備及物聯網（IoT）等領域的創新應用。總體而言，先進的3D-IC構裝為微電子構裝技術開闢了提升性能、提高能效及增加設計靈活性的全新途徑。鑑於近年來CoWoS技術、扇出型晶圓級構裝（FOWLP）等技術的快速發展，以及半導體構裝測試廠（OSATS）和晶圓代工廠（Foundry）廣泛採用3D-IC解決方案，本書將反映這些快速演變的趨勢及其對業界的影響。 【目錄】 目　錄 推薦序一 推薦序二 致　謝 序　文 第一章 微電子構裝技術概論 1. 前言 2. 電子構裝之基本步驟 3. 電子構裝之層級區分 4. 晶片構裝技術之演進 5. 參考資料 第二章 覆晶構裝技術 1. 前言 2. 覆晶構裝技術（Flip Chip Technology）介紹 3. 其他各種覆晶構裝技術 4. 結論 5. 參考資料 第三章 覆晶構裝之 UBM 結構及蝕刻技術 1. 前言 2. UBM 結構 3. UBM 濕式蝕刻製程及設備 4. 各種 UBM 金屬層之蝕刻方法及注意事項 5. 結論 6. 參考資料 第四章 微電子系統整合技術之演進 1. 前言 2. 系統整合技術之演進 3. 電子數位整合之五大系統技術 4. 結論 5. 參考文獻 第五章 3D-IC 技術之發展趨勢 1. 前言 2. 構裝技術之演進 3. TSV 製作 3D 晶片堆疊的關鍵技術 4. 結論 5. 參考文獻 第六章 TSV 製程技術整合分析 1. 前言 2. 導孔的形成（Via Formation） 3. 導孔的填充（Via Filling） 4. 晶圓接合（Wafer Bonding） 5. 晶圓薄化（Wafer Thinning） 6. 發展 3D 系統整合之各種 TSV 技術 7. 結論 8. 參考文獻 第七章 3D-IC 製程之晶圓銅接合應用 1. 前言 2. 晶圓銅接合方式 3. 銅接合的基本性質（Fundamental Properties of Cu Bonding） 4. 銅接合的發展（Cu Bond Development） 5. 結論 6. 參考資料 第八章 TSV 銅電鍍製程與設備之技術整合分析 1. 前言 2. TSV 銅電鍍設備（TSV Copper Electroplating Equipment） 3. TSV 銅電鍍製程（TSV Copper Electroplating Process） 4. 影響 TSV 導孔電鍍銅填充之因素（Factors Affecting Copper Plating） 5. 電鍍液之化學成分 6. TSV 電鍍銅製程之需求 7. 結論 8. 參考文獻 第九章 無電鍍鎳金在先進構裝技術上之發展 1. 前言 2. 無電鍍鎳金之應用介紹 3. 無電鍍鎳金製程問題探討 4. 無電鍍鎳製程 5. 無電鍍（化學鍍）金 6. 結論 7. 參考資料 第十章 環保性無電鍍金技術於電子產業上之發展 1. 前言 2. 非氰化物鍍液（Non-cyanide Bath）的發展狀況 3. 結論 4. 參考文獻 第十一章 無電鍍鈀（Electroless Plating Palladium）技術 1. 聯氨鍍液（Hydrazine-based Baths） 2. 次磷酸鹽鍍液（Hypophosphite Based Baths） 3. 使用其他還原劑之鍍液 4. 無電鍍鈀合金 5. 結論 6. 參考文獻 第十二章 3D-IC 晶圓接合技術 1. 前言 2. 晶圓對位製程（Wafer Alignment Process） 3. 晶圓接合製程（Wafer Bonding Process） 4. 結論 5. 參考文獻 第十三章 扇出型晶圓級構裝（Fan-out WLP）之基本製程與發展方向 1. 前言 2. Fan-out WLP 基本製造流程 3. Fan-out WLP 之 RCP 與 eWLP 技術 4. Fan-out WLP 所面臨的挑戰 5. 完全鑄模（Fully Molded）Fan-out WLP 技術 6. Fan-out WLP 的未來發展方向 7. 結論 8. 參考資料 第十四章 嵌入式扇出型晶圓級或面版級構裝技術 1. 嵌入式晶片（Embedded Chips） 2. FOWLP 的形成（Formation of FOWLP） 3. RDL 製作方法（RDL Process） 4. 圓形或方形重新配置之載具的選擇 5. 介電材料 6. 膠體材料 7. 結論 8. 參考資料 第十五章 3D-IC 構裝導線連接技術 1. 前言 2. 3D-IC 構裝堆疊技術比較：C2C、C2W 和 W2W 3. 晶片對晶片（C2C）與晶片對晶圓（C2W）堆疊技術 4. 晶圓對晶圓（W2W）堆疊技術 5. 暫時性鍵合與解鍵合技術應用於薄化晶圓持取與製程（Temporary Bonding and De-bonding for Thin-Wafer Handling and Processing） 6. 結論 7. 參考資料 第十六章 扇出型面版級構裝技術的演進 1. 前言 2. J-Devices的WFOP技術 3. Fraunhofer的FOPLP技術 4. SPIL的P-FO技術 5. FOPLP技術必須克服的挑戰 6. 結論 7. 參考文獻 第十七章 3D-IC異質整合構裝技術 1. 介紹 2. 3D-IC 異質整合技術 3. 結論 4. 參考資料 索引

實用IC封裝 (2版)

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實用IC封裝 ISBN13：9786263437548 出版社：五南圖書出版 作者：蕭献賦 裝訂／頁數：平裝／336頁 規格：23cm*17cm*1.6cm (高/寬/厚) 重量：560克 版次：2 出版日：2023/02/25 中文圖書分類：電子工程 內容簡介 本書係針對入門者編寫的IC封裝專業書籍，目的在於推廣基礎IC封裝知識。書中除收錄和IC封裝相關的基本概念和理論外，也包括作者在職場上累積的實用經驗及心得。        書中討論的IC封裝以塑膠封裝為主，主要包含常見IC封裝的材料、製程和相關的認證方式，除介紹各類封裝產品的構造和製造程序之外，也對其背後隱藏的原理加以說明。此外，本書也簡單介紹IC封裝的演變及部分封裝產品之設計概念，讓讀者能知其然，也知其所以然。本書適合作為半導體製程相關課程或是IC封裝相關訓練之參考書籍。由於書中收納常用認證程序，也同時將許多常用數據整理於附表中，對於在工作中需具備基本IC封裝知識的IC設計工程師、外包工程師、QA工程師、及可靠度工程師來說，也適合作為工具書使用。 目錄 第一章 簡介：IC封裝和半導體   1.　IC封裝在國內的產值 2.　電子產品與IC 3.　什麼是IC封裝 4.　IC封裝的目的和功能 5.　封裝的層次 6.　半導體和電晶體 第二章 IC封裝的演變、種類和趨勢   7.　早期開發的IC封裝 8.　導線架封裝 9.　塑膠載板封裝 10.　覆晶封裝與凸塊 11.　WLP與WLCSP 12.　3DIC與SiP 第三章 封裝材料與製程   13.　封裝製程主要材料 14.　導線架封裝製程 15.　塑膠載板封裝製程 16.　覆晶封裝製程 17.　晶圓凸塊製程 18.　WLCSP 19.　密合封裝與氣腔封裝 第四章 封裝產品的可靠度和失效分析   20.　可靠度與常見名詞 21.　常見產品壽命分布模型 22.　浴缸曲線 23.　韋柏分布 24.　IC封裝的可靠度 25.　上板前環境條件 26.　熱應力 27.　溫度循環試驗 28.　壓力鍋測試 29.　高溫儲存試驗 30.　濕度耐受試驗 31.　高速濕度耐受試驗 32.　IC封裝可靠度驗證計畫 33.　失效分析誤判的可能 第五章 熱和應力與IC封裝設計   34.　溫度對IC的影響 35.　熱阻和散熱設計的基礎概念 36.　實用封裝熱阻定義與應用 37.　以數值方法模擬產品中的溫度和應力 38.　利用ANSYS模擬軟體進行BGA焊點失效位置預測 參考資料   索引  

半導體製程設備技術 (3版)

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【簡介】 　　半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。 　　在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。 【目錄】 序 致謝 第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇 0.1 設備維修該有的認知及態度 0.2 設備安全標示的認識 0.2.1 設備安全標示的認識 0.2.2 個人防護裝備的認識 0.3 設備機電系統的定義及分類 類比控制系統 數位控制系統 0.4 設備控制系統 0.5 常見電路圖圖示認識 0.6 半導體導論 參考資料 第一章 擴散設備（Diffusion）篇 1.1 爐管（Furnace） 1.1.1 爐管設備系統架構 1.1.2 爐管製程介紹 1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹 1.1.4 經驗分享 1.2 離子植入（Ion Implant） 1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介 1.2.4 離子植入製程後的監控與量測 1.2.5 離子植入機操作注意事項 1.2.6 離子植入製程問題討論與分析 參考文獻 101 第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法 2.1.1 濕式清洗的目的 2.1.2 濕式蝕刻的目的 2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響 2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術 2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨 2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除 2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術 2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術 2.3 化學品供應系統 2.3.1 化學品分類 2.3.2 化學品供應系統 2.4 wet bench結構與循環系統 2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構 2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統 2.4.3 循環系統與乾燥系統 參考文獻 第三章 薄膜設備（Thin Films）篇 3.1 電漿（Plasma） 3.1.1 電漿產生的原理 3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器 3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD） 3.2.0 簡介 3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD） 3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD） 3.3.1 熱蒸鍍 3.3.2 電子束蒸鍍 3.3.3 濺鍍 參考文獻 第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇 4.0 前言 4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher） 4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors） 4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹 4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE） 4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE） 4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE） 4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors） 4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC） 4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP） 4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR） 4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP） 4.2 晶圓固定與控溫設備 4.3 終點偵測裝置（End point detectors） 4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes） 4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較 4.4.2 乾式蝕刻機制 4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象 4.4.4 各式製程蝕刻說明 4.5 總結 參考文獻 第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇 5.1 前言 256 5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer） 5.2.1 光阻塗佈系統（Coater） 5.2.2 顯影系統（Developer） 5.3 曝光系統（Exposure System） 5.3.1 光學微影（Optical Lithography） 5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography） 5.4 現在與未來 5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography） 5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography） 5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography） 5.5 工作安全提醒 參考文獻 第六章 研磨設備（Polishing）篇 6.1 前言 6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP） 6.2.1 研磨頭 6.2.2 研磨平臺 6.2.3 研磨漿料控制系統 6.2.4 清洗／其他 6.3 研磨漿料 6.4 化學機械研磨製程中常見的現象 6.5 化學機械研磨常用的化學品 參考文獻 第七章 IC製造概述篇 7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow） 前段製程（FEOL） 後段製程（BEOL） 7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹 四種基本及重要的電荷 高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve） 7.3 鰭式電晶體元件製造流程（FinFET Device Process Flow） PMOS鰭式場效應電晶體（PMOS bulk FinFET）製造流程 7.4 碳化矽高功率元件（SiC Power Device）—接面位障蕭特基二極體（Junction Barrier Schottky Diode, JBSD）製造流程 7.5 氮化鎵功率元件製造流程（GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow） 參考文獻 第八章 控制元件檢測及維修篇 8.1 簡介 8.2 維修工具的使用 8.2.1 一般性維修工具組 8.2.2 三用電表的使用 8.2.3 示波器 （oscilloscope）的使用 8.2.4 數位邏輯筆的使用 8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器 8.3.1 電源供應器（Power Supply） 8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller） 8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping motor） 8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC） 8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve） 8.3.6 感測器（Sensor） 8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC） 參考文獻 索引

半導體製程概論(May：Fundamentals of Semiconductor Fabrication)

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書名：半導體製程概論(增訂版)(May：Fundamentals of Semiconductor ) 作者：施敏、 梅凱瑞 出版社：交大出版社 ISBN：9789866301896

數位積體電路設計─從IC Design的實務面介紹Verilog硬體描述語言（含DVD） (1版)

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數位積體電路設計─從IC Design的實務面介紹Verilog硬體描述語言(DVD Inside) +作者：夏大維著 +年份：2016 年1 版 +ISBN：9789865647339 +書號：EE0443 +規格：16開/平裝/單色 +頁數：448 +出版商：滄海 1.以作者20多年專業IC設計的經驗傳承為主軸，有別於一般傳統Verilog語法教學與撰寫程序為主，因此本書是以專業、實務的角度，以培育優秀的IC設計工程師、研發經理與帶領團隊為目標，介紹Verilog的語法和實務上的細節。 2.本書特別著重Verilog語法與實務的融會貫通，力求利用淺顯的文字及適當的釋例，解說Verilog觀念與IC設計的關聯性，以協助讀者掌握文中的重要概念，使讀者進一步了解Verilog與IC電子電路的關係。 3.每章章末的習題均與章前的學習目標搭配，幫助讀者對該章重要概念之掌握。另外，本書隨附光碟中涵括許多IC設計之相關專業論文與專業軟體，能幫助讀者快速與國際接軌，以提升IC設計的專業素質。 4.本書適時介紹台灣的半導體產業，與上、中、下游各公司的分工關係，提供讀者生涯規劃與職前面試的參考。 目錄 第1章 數位 IC 的設計觀念 第2章 Verilog 的演進與電子設計自動化 第3章 Verilog 的模組與架構 第4章 Verilog 的敘述與電路設計 第5章 組合邏輯電路與算術邏輯運算 第6章 循序邏輯電路 第7章 有限狀態機器 第8章 記憶體設計與應用 第9章 Verilog 2001 增強特色 第10章 重要的網站與免費 IP 資源 附錄A 關鍵字、系統任務與函式、編譯器指令的列表 附錄B 正式的語法定義

半導體量測理論與實務 (1版)

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書名：半導體量測理論與實務 作者：楊誌欽 出版社：滄海 出版日期：2013/08/00 ISBN：9789865937553

電子學（進階應用） (10版)

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書名：電子學(基礎理論)(第十版) 原文書名 : Electronic Devices (Conventional Current Version) 10/E 作者：Floyd 翻譯：楊棧雲 出版社：全華 出版日期：2019/06/01 ISBN：9789865030704 內容簡介 本書譯自Thomas L. Floyd原著「Electronic Devices」(第十版)，分為基礎理論、進階應用兩冊，本書內容豐富，大量例題的相關習題及每小節後的隨堂測驗，解答都可在隨書光碟中找到。本書適用於大學、科大電子、電機、機械及資工系，日、夜間部「電子學」課程使用。 ■ 本書特色 1.每一章前面都有本章大綱、本章學習目標、簡介、重要詞彙與可參訪教學專用 等項目，可迅速了解每章重點。 2.本書內容豐富，在每小節後附有隨堂測驗及大量的例題、特殊的解題方法，可加強基本概念。 3.全書採用全彩精美印刷，內容層次分明，條列清晰。 4.各章皆有基本習題，讓學生及自學者檢視學習之成果。 目錄 1電子學簡介 1-1原子 1-2用於電子學的材料 1-3半導體的電流 1-4N型與P型半導體 1-5PN 接面 2二極體及應用 2-1二極體的工作原理 2-2二極體的電壓-電流(V-I)特性 2-3二極體的各種模型 2-4半波整流器 2-5全波整流器 2-6電源濾波器與調整器 2-7二極體限位器與箝位器 2-8電壓倍增器 2-9二極體特性資料表 3特殊用途二極體 3-1齊納二極體 3-2齊納二極體的應用 3-3光學二極體 4雙極接面電晶體 4-1雙極接面電晶體(BJT)結構 4-2BJT的基本工作原理 4-3BJT的特性和參數 4-4BJT當作放大器 4-5BJT當作開關 4-6光電晶體 4-7電晶體的類別和封裝 5電晶體偏壓電路 5-1直流工作點 5-2分壓器偏壓 5-3其他的偏壓方法 6BJT 放大器 6-1放大器的工作原理 6-2電晶體交流模型 6-3共射極放大器 6-4共集極放大器 6-5共基極放大器 6-6多級放大器 6-7差動放大器 7場效電晶體 7-1接面場效電晶體 7-2接面場效電晶體的特性與參數 7-3JFET 偏壓 7-4歐姆區 7-5金屬氧化物半導體電晶體 7-6MOSFET 的特性與參數 7-7MOSFET偏壓 7-8絕緣閘雙極電晶體 8FET放大器及開關電路 8-1共源極放大器 8-2共汲極放大器 8-3共閘極放大器 8-4D類放大器 8-5MOSFET類比開關 8-6MOSFET 數位開關 9運算放大器 9-1運算放大器簡介 9-2運算放大器輸入模式與參數 9-3負回授 9-4具有負回授的運算放大器 9-5負回授對運算放大器阻抗的影響 9-6偏壓電流和抵補電壓 9-7開環路頻率與相位響應 9-8閉環路頻率響應 10基本運算放大器電路 10-1比較器 10-2加法放大器 10-3積分器和微分器 附 錄 習題解答 詞彙 書名：電子學(進階應用)(第十版) 作者：Floyd(楊棧雲) 出版社：全華圖書 出版日期：2019/12/00 ISBN：9789865032944 內容簡介 　　本書譯自Thomas L. Floyd原著「Electronic Devices」(第十版)，分為基礎理論、進階應用兩冊，本書內容豐富，大量例題的相關習題及每小節後的隨堂測驗。本書適用於大學、科大電子、電機系「電子學II」課程使用。 本書特色 　　1.每一章前面都有本章大綱、本章學習目標、簡介、重要詞彙與可參訪教學專用 等項目，可迅速了解每章重點。 　　2.本書內容豐富，在每小節後附有隨堂測驗及大量的例題、特殊的解題方法，可加強基本概念。 　　3.全書採用全彩精美印刷，內容層次分明，條列清晰。 　　4.各章皆有基本習題，讓學生及自學者檢視學習之成果。 目錄 11 BJT功率放大器 11-1 A類功率放大器 11-2 B類和AB類推挽式放大器 11-3 C類放大器 12 放大器頻率響應 12-1 基本概念 12-2 分貝 12-3 放大器低頻響應 12-4 放大器高頻響應 12-5 放大器總頻率響應 12-6 多級放大器的頻率響應 12-7 頻率響應的量測 13 閘流體 13-1 基本四層二極體 13-2 矽控整流器(SCR) 13-3 SCR的應用 13-4 雙向觸發二極體(Diac)和雙向交流觸發三極體(Triac) 13-5 矽控開關(SCS) 13-6 單接面電晶體(UJT) 13-7 可程式單接面電晶體(PUT) 14 特殊用途積體電路 14-1 儀表放大器 14-2 隔離放大器 14-3 運算跨導放大器(OTA) 14-4 對數與反對數放大器 14-5 轉換器與其他積體電路 15 主動濾波器 15-1 基本濾波器頻率響應 15-2 濾波器頻率響應的特性 15-3 主動低通濾波器 15-4 主動高通濾波器 15-5 主動帶通濾波器 15-6 主動帶止濾波器 15-7 濾波器頻率響應的量測 16 振盪器 16-1 振盪器 16-2 回授振盪器 16-3 RC回授電路振盪器 16-4 LC回授電路振盪器 16-5 弛緩振盪器 16-6 將555計時器當作振盪器使用 17 電壓調整器 17-1 電壓調整 17-2 基本線性串聯調整器 17-3 基本線性並聯調整器 17-4 基本交換式調整器 17-5 積體電路電壓調整器 17-6 積體電路電壓調整器的電路型態 附 錄 習題解答 詞彙

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