半導體元件物理與製程:理論與實務 (4版)
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半導體元件物理與製程─理論與實務
Semiconductor Device Physics and Process Integration:Theory & Practice
作 者:劉傳璽 、陳進來
出版社別:五南
出版日期:2022/09/01(4版2刷)
ISBN:978-626-317-514-3
E I S B N:9786263175280
書 號:5D75
頁 數:560
開 數:20K
內容簡介
以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸:第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重,因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學;但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。
本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why;並在此基礎上,進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考
本書特色
●包含實務上極為重要,但在坊間書籍幾乎不提及的WAT,與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程,以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。
●大幅增修習題與內容,以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。
●以最直觀的物理現象與電機概念,清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。
●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
目錄
第一章 半導體元件物理的基礎
1.1 半導體能帶觀念與載子濃度
1.2 載子的傳輸現象
1.3 支配元件運作的基本方程式
第二章 P-N 接面
2.1 P-N接面的基本結構與特性
2.2 零偏壓
2.3 逆向偏壓
2.4 空乏層電容
2.5 單側陡接面
2.6 理想的電流-電壓特性
2.7 實際的電流-電壓特性
2.8 接面崩潰現象與機制
第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎
3.1 MOS電容的結構與特性
3.2 理想的MOS(金氧半)元件
3.3 實際的MOS(金氧半)元件
第四章 長通道MOSFET元件
4.1 MOSFET的基本結構與類型
4.2 基本操作特性之觀念
4.3 電流-電壓特性之推導
4.4 其他重要元件參數與特性
第五章 短通道MOSFET元件
5.1 短通道元件的輸出特性
5.2 短通道元件的漏電流現象
第六章 CMOS製造技術與製程介紹
6.1 CMOS製造技術
6.2 CMOS製造流程介紹
第七章 製程整合
7.1 元件發展需求
7.2 基板工程(substrate engineering)
7.3 閘極工程
7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering)
7.5 內連線工程(inter-connection)
第八章 先進元件製程
8.1 先進元件製程需求
8.2 SOI
8.3 應變矽Strain Si
8.4 非平面元件 3D device
8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric)
8.6 金屬閘極Metal gate
第九章 邏輯元件
9.1 邏輯元件的要求—速度、功率
9.2 反向器(Inverter)
9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic)
9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF
9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA
第十章 邏輯/類比混合訊號
10.1 混合訊號特性
10.2 混合訊號電路
10.3 混合訊號的主動元件( Active device)
10.4 混合訊號被動元件(Passive device)
10.5 混合訊號電路特別需求
第十一章 記憶體
11.1 CMOS記憶體特性與分類
11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM
11.3 動態隨機存取記憶體DRAM
11.4 快閃記憶體Flash
11.5 發展中的先進記憶體
第十二章 分離元件
12.1 功率二極體
12.2 功率金氧半場效電晶體
12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體
12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET
12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor
12.6 碳化矽(SiC)功率半導體SiC
12.7 氮化鎵(GaN) 功率半導體
第十三章 元件電性量測WAT 413
13.1 直流(DC)電性量測
13.2 C-V(capacitance-voltage)電性量測
13.3 RF 電性量測
13.4 元件模型
第十四章 SOC 與半導體應用
14.1 IC 功能分類
14.2 SOC
14.3 半導體應用
14.4 資訊電子Computer
14.5 通訊電子Communication
14.6 消費性電子Consumer
14.7 汽車電子Car
14.8 網際網路
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半導體製程與整合(THC) (1版)
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【簡介】
本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術,首先介紹基礎半導體知識,以及基礎的模組製程。此外,本書更以四百張以上圖例,詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術,以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。
先進的半導體製程技術,如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程,都有詳細的說明與探討。
材料分析技術,如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等,都涵蓋實例應用說明。
半導體製程未來發展趨勢,包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC),皆有詳細說明。
本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書,適合大專院校相關理工科系,也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。
【目錄】
第一章 半導體積體電路發展
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
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先進微電子3D-IC構裝 (5版)
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【簡介】
先進3D-IC構裝設計在微電子領域展現出多項顯著優勢。透過垂直堆疊多層積體電路(IC),該技術實現在更小空間內達成更高的元件整合,優化空間利用,並打造更加緊湊與高效的電子構裝。此方法能有效縮短互連距離,提升訊號傳輸速度,同時降低能耗。此外,3D-IC構裝允許異質整合,使得各種功能晶片(如邏輯、記憶體及感測器)能夠在單一平台上結合,進一步提升系統性能與功能,尤其適用於高性能計算(HPC)、人工智慧(AI)、行動設備及物聯網(IoT)等領域的創新應用。總體而言,先進的3D-IC構裝為微電子構裝技術開闢了提升性能、提高能效及增加設計靈活性的全新途徑。鑑於近年來CoWoS技術、扇出型晶圓級構裝(FOWLP)等技術的快速發展,以及半導體構裝測試廠(OSATS)和晶圓代工廠(Foundry)廣泛採用3D-IC解決方案,本書將反映這些快速演變的趨勢及其對業界的影響。
【目錄】
目 錄
推薦序一
推薦序二
致 謝
序 文
第一章 微電子構裝技術概論
1. 前言
2. 電子構裝之基本步驟
3. 電子構裝之層級區分
4. 晶片構裝技術之演進
5. 參考資料
第二章 覆晶構裝技術
1. 前言
2. 覆晶構裝技術(Flip Chip Technology)介紹
3. 其他各種覆晶構裝技術
4. 結論
5. 參考資料
第三章 覆晶構裝之 UBM 結構及蝕刻技術
1. 前言
2. UBM 結構
3. UBM 濕式蝕刻製程及設備
4. 各種 UBM 金屬層之蝕刻方法及注意事項
5. 結論
6. 參考資料
第四章 微電子系統整合技術之演進
1. 前言
2. 系統整合技術之演進
3. 電子數位整合之五大系統技術
4. 結論
5. 參考文獻
第五章 3D-IC 技術之發展趨勢
1. 前言
2. 構裝技術之演進
3. TSV 製作 3D 晶片堆疊的關鍵技術
4. 結論
5. 參考文獻
第六章 TSV 製程技術整合分析
1. 前言
2. 導孔的形成(Via Formation)
3. 導孔的填充(Via Filling)
4. 晶圓接合(Wafer Bonding)
5. 晶圓薄化(Wafer Thinning)
6. 發展 3D 系統整合之各種 TSV 技術
7. 結論
8. 參考文獻
第七章 3D-IC 製程之晶圓銅接合應用
1. 前言
2. 晶圓銅接合方式
3. 銅接合的基本性質(Fundamental Properties of Cu Bonding)
4. 銅接合的發展(Cu Bond Development)
5. 結論
6. 參考資料
第八章 TSV 銅電鍍製程與設備之技術整合分析
1. 前言
2. TSV 銅電鍍設備(TSV Copper Electroplating Equipment)
3. TSV 銅電鍍製程(TSV Copper Electroplating Process)
4. 影響 TSV 導孔電鍍銅填充之因素(Factors Affecting Copper Plating)
5. 電鍍液之化學成分
6. TSV 電鍍銅製程之需求
7. 結論
8. 參考文獻
第九章 無電鍍鎳金在先進構裝技術上之發展
1. 前言
2. 無電鍍鎳金之應用介紹
3. 無電鍍鎳金製程問題探討
4. 無電鍍鎳製程
5. 無電鍍(化學鍍)金
6. 結論
7. 參考資料
第十章 環保性無電鍍金技術於電子產業上之發展
1. 前言
2. 非氰化物鍍液(Non-cyanide Bath)的發展狀況
3. 結論
4. 參考文獻
第十一章 無電鍍鈀(Electroless Plating Palladium)技術
1. 聯氨鍍液(Hydrazine-based Baths)
2. 次磷酸鹽鍍液(Hypophosphite Based Baths)
3. 使用其他還原劑之鍍液
4. 無電鍍鈀合金
5. 結論
6. 參考文獻
第十二章 3D-IC 晶圓接合技術
1. 前言
2. 晶圓對位製程(Wafer Alignment Process)
3. 晶圓接合製程(Wafer Bonding Process)
4. 結論
5. 參考文獻
第十三章 扇出型晶圓級構裝(Fan-out WLP)之基本製程與發展方向
1. 前言
2. Fan-out WLP 基本製造流程
3. Fan-out WLP 之 RCP 與 eWLP 技術
4. Fan-out WLP 所面臨的挑戰
5. 完全鑄模(Fully Molded)Fan-out WLP 技術
6. Fan-out WLP 的未來發展方向
7. 結論
8. 參考資料
第十四章 嵌入式扇出型晶圓級或面版級構裝技術
1. 嵌入式晶片(Embedded Chips)
2. FOWLP 的形成(Formation of FOWLP)
3. RDL 製作方法(RDL Process)
4. 圓形或方形重新配置之載具的選擇
5. 介電材料
6. 膠體材料
7. 結論
8. 參考資料
第十五章 3D-IC 構裝導線連接技術
1. 前言
2. 3D-IC 構裝堆疊技術比較:C2C、C2W 和 W2W
3. 晶片對晶片(C2C)與晶片對晶圓(C2W)堆疊技術
4. 晶圓對晶圓(W2W)堆疊技術
5. 暫時性鍵合與解鍵合技術應用於薄化晶圓持取與製程(Temporary Bonding and De-bonding for Thin-Wafer Handling and Processing)
6. 結論
7. 參考資料
第十六章 扇出型面版級構裝技術的演進
1. 前言
2. J-Devices的WFOP技術
3. Fraunhofer的FOPLP技術
4. SPIL的P-FO技術
5. FOPLP技術必須克服的挑戰
6. 結論
7. 參考文獻
第十七章 3D-IC異質整合構裝技術
1. 介紹
2. 3D-IC 異質整合技術
3. 結論
4. 參考資料
索引
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數位積體電路設計─從IC Design的實務面介紹Verilog硬體描述語言(DVD Inside) (1版)
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數位積體電路設計─從IC Design的實務面介紹Verilog硬體描述語言(DVD Inside)
+作者:夏大維著
+年份:2016 年1 版
+ISBN:9789865647339
+書號:EE0443
+規格:16開/平裝/單色
+頁數:448
+出版商:滄海
1.以作者20多年專業IC設計的經驗傳承為主軸,有別於一般傳統Verilog語法教學與撰寫程序為主,因此本書是以專業、實務的角度,以培育優秀的IC設計工程師、研發經理與帶領團隊為目標,介紹Verilog的語法和實務上的細節。
2.本書特別著重Verilog語法與實務的融會貫通,力求利用淺顯的文字及適當的釋例,解說Verilog觀念與IC設計的關聯性,以協助讀者掌握文中的重要概念,使讀者進一步了解Verilog與IC電子電路的關係。
3.每章章末的習題均與章前的學習目標搭配,幫助讀者對該章重要概念之掌握。另外,本書隨附光碟中涵括許多IC設計之相關專業論文與專業軟體,能幫助讀者快速與國際接軌,以提升IC設計的專業素質。
4.本書適時介紹台灣的半導體產業,與上、中、下游各公司的分工關係,提供讀者生涯規劃與職前面試的參考。
目錄
第1章 數位 IC 的設計觀念
第2章 Verilog 的演進與電子設計自動化
第3章 Verilog 的模組與架構
第4章 Verilog 的敘述與電路設計
第5章 組合邏輯電路與算術邏輯運算
第6章 循序邏輯電路
第7章 有限狀態機器
第8章 記憶體設計與應用
第9章 Verilog 2001 增強特色
第10章 重要的網站與免費 IP 資源
附錄A 關鍵字、系統任務與函式、編譯器指令的列表
附錄B 正式的語法定義
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實用IC封裝
ISBN13:9786263437548
出版社:五南圖書出版
作者:蕭献賦
裝訂/頁數:平裝/336頁
規格:23cm*17cm*1.6cm (高/寬/厚)
重量:560克
版次:2
出版日:2023/02/25
中文圖書分類:電子工程
內容簡介
本書係針對入門者編寫的IC封裝專業書籍,目的在於推廣基礎IC封裝知識。書中除收錄和IC封裝相關的基本概念和理論外,也包括作者在職場上累積的實用經驗及心得。
書中討論的IC封裝以塑膠封裝為主,主要包含常見IC封裝的材料、製程和相關的認證方式,除介紹各類封裝產品的構造和製造程序之外,也對其背後隱藏的原理加以說明。此外,本書也簡單介紹IC封裝的演變及部分封裝產品之設計概念,讓讀者能知其然,也知其所以然。本書適合作為半導體製程相關課程或是IC封裝相關訓練之參考書籍。由於書中收納常用認證程序,也同時將許多常用數據整理於附表中,對於在工作中需具備基本IC封裝知識的IC設計工程師、外包工程師、QA工程師、及可靠度工程師來說,也適合作為工具書使用。
目錄
第一章 簡介:IC封裝和半導體
1. IC封裝在國內的產值
2. 電子產品與IC
3. 什麼是IC封裝
4. IC封裝的目的和功能
5. 封裝的層次
6. 半導體和電晶體
第二章 IC封裝的演變、種類和趨勢
7. 早期開發的IC封裝
8. 導線架封裝
9. 塑膠載板封裝
10. 覆晶封裝與凸塊
11. WLP與WLCSP
12. 3DIC與SiP
第三章 封裝材料與製程
13. 封裝製程主要材料
14. 導線架封裝製程
15. 塑膠載板封裝製程
16. 覆晶封裝製程
17. 晶圓凸塊製程
18. WLCSP
19. 密合封裝與氣腔封裝
第四章 封裝產品的可靠度和失效分析
20. 可靠度與常見名詞
21. 常見產品壽命分布模型
22. 浴缸曲線
23. 韋柏分布
24. IC封裝的可靠度
25. 上板前環境條件
26. 熱應力
27. 溫度循環試驗
28. 壓力鍋測試
29. 高溫儲存試驗
30. 濕度耐受試驗
31. 高速濕度耐受試驗
32. IC封裝可靠度驗證計畫
33. 失效分析誤判的可能
第五章 熱和應力與IC封裝設計
34. 溫度對IC的影響
35. 熱阻和散熱設計的基礎概念
36. 實用封裝熱阻定義與應用
37. 以數值方法模擬產品中的溫度和應力
38. 利用ANSYS模擬軟體進行BGA焊點失效位置預測
參考資料
索引
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半導體製程概論(May:Fundamentals of Semiconductor Fabrication)
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書名:半導體製程概論(增訂版)(May:Fundamentals of Semiconductor )
作者:施敏、 梅凱瑞
出版社:交大出版社
ISBN:9789866301896
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【中文翻譯書】
書名 :半導體製造技術
原文書名:Semiconductor Manufacturing Technology
原文作者:Michael Quirk
中文譯者:羅文雄
初版日期:2016
出版社:滄海
ISBN:9789867727701
本書特色
●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面
皆做完整詳盡的介紹。
●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。
●對大專在學學生及實際線上工程師而言,皆是一本優良的課程
教材及技術入門手冊。
校閱者簡介
劉文超
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
許渭州
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長
國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
譯者簡介
羅文雄
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授
蔡榮輝
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立高雄師範大學物理系副教授
鄭岫盈
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 亞東技術學院電機工程系助理教授
本書目錄
第1章
半導體工業簡介
第2章
半導體材料特性
第3章
元件技術
第4章
矽與晶圓準備
第5章
半導體製造之化學特性
第6章
半導體製造廠之污染控制
第7章
量測與缺陷
第8章
製程反應室之氣體控制
第9章
IC製造概述
第10章
氧化
第11章
沈積
第12章
金屬化
第13章
微影:氣相塗底至軟烤
第14章
微影:對準與曝光
第15章
微影:光阻顯影與先進雕像
第16章
蝕刻
第17章
離子植入
第18章
化學機械平坦化
第19章
晶圓測試
第20章
裝配與封裝
附錄A
化學品及其安全性
附錄B
無塵室中的污染控制
附錄C
單位
附錄D
以氧化物厚度為函數的顏色
附錄E
光阻化學品概論
附錄F
蝕刻化學品
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書名:電子學(基礎理論)(第十版)
原文書名 : Electronic Devices (Conventional Current Version) 10/E
作者:Floyd
翻譯:楊棧雲
出版社:全華
出版日期:2019/06/01
ISBN:9789865030704
內容簡介
本書譯自Thomas L. Floyd原著「Electronic Devices」(第十版),分為基礎理論、進階應用兩冊,本書內容豐富,大量例題的相關習題及每小節後的隨堂測驗,解答都可在隨書光碟中找到。本書適用於大學、科大電子、電機、機械及資工系,日、夜間部「電子學」課程使用。
■ 本書特色
1.每一章前面都有本章大綱、本章學習目標、簡介、重要詞彙與可參訪教學專用 等項目,可迅速了解每章重點。
2.本書內容豐富,在每小節後附有隨堂測驗及大量的例題、特殊的解題方法,可加強基本概念。
3.全書採用全彩精美印刷,內容層次分明,條列清晰。
4.各章皆有基本習題,讓學生及自學者檢視學習之成果。
目錄
1電子學簡介
1-1原子
1-2用於電子學的材料
1-3半導體的電流
1-4N型與P型半導體
1-5PN 接面
2二極體及應用
2-1二極體的工作原理
2-2二極體的電壓-電流(V-I)特性
2-3二極體的各種模型
2-4半波整流器
2-5全波整流器
2-6電源濾波器與調整器
2-7二極體限位器與箝位器
2-8電壓倍增器
2-9二極體特性資料表
3特殊用途二極體
3-1齊納二極體
3-2齊納二極體的應用
3-3光學二極體
4雙極接面電晶體
4-1雙極接面電晶體(BJT)結構
4-2BJT的基本工作原理
4-3BJT的特性和參數
4-4BJT當作放大器
4-5BJT當作開關
4-6光電晶體
4-7電晶體的類別和封裝
5電晶體偏壓電路
5-1直流工作點
5-2分壓器偏壓
5-3其他的偏壓方法
6BJT 放大器
6-1放大器的工作原理
6-2電晶體交流模型
6-3共射極放大器
6-4共集極放大器
6-5共基極放大器
6-6多級放大器
6-7差動放大器
7場效電晶體
7-1接面場效電晶體
7-2接面場效電晶體的特性與參數
7-3JFET 偏壓
7-4歐姆區
7-5金屬氧化物半導體電晶體
7-6MOSFET 的特性與參數
7-7MOSFET偏壓
7-8絕緣閘雙極電晶體
8FET放大器及開關電路
8-1共源極放大器
8-2共汲極放大器
8-3共閘極放大器
8-4D類放大器
8-5MOSFET類比開關
8-6MOSFET 數位開關
9運算放大器
9-1運算放大器簡介
9-2運算放大器輸入模式與參數
9-3負回授
9-4具有負回授的運算放大器
9-5負回授對運算放大器阻抗的影響
9-6偏壓電流和抵補電壓
9-7開環路頻率與相位響應
9-8閉環路頻率響應
10基本運算放大器電路
10-1比較器
10-2加法放大器
10-3積分器和微分器
附 錄
習題解答
詞彙
書名:電子學(進階應用)(第十版)
作者:Floyd(楊棧雲)
出版社:全華圖書
出版日期:2019/12/00
ISBN:9789865032944
內容簡介
本書譯自Thomas L. Floyd原著「Electronic Devices」(第十版),分為基礎理論、進階應用兩冊,本書內容豐富,大量例題的相關習題及每小節後的隨堂測驗。本書適用於大學、科大電子、電機系「電子學II」課程使用。
本書特色
1.每一章前面都有本章大綱、本章學習目標、簡介、重要詞彙與可參訪教學專用 等項目,可迅速了解每章重點。
2.本書內容豐富,在每小節後附有隨堂測驗及大量的例題、特殊的解題方法,可加強基本概念。
3.全書採用全彩精美印刷,內容層次分明,條列清晰。
4.各章皆有基本習題,讓學生及自學者檢視學習之成果。
目錄
11 BJT功率放大器
11-1 A類功率放大器
11-2 B類和AB類推挽式放大器
11-3 C類放大器
12 放大器頻率響應
12-1 基本概念
12-2 分貝
12-3 放大器低頻響應
12-4 放大器高頻響應
12-5 放大器總頻率響應
12-6 多級放大器的頻率響應
12-7 頻率響應的量測
13 閘流體
13-1 基本四層二極體
13-2 矽控整流器(SCR)
13-3 SCR的應用
13-4 雙向觸發二極體(Diac)和雙向交流觸發三極體(Triac)
13-5 矽控開關(SCS)
13-6 單接面電晶體(UJT)
13-7 可程式單接面電晶體(PUT)
14 特殊用途積體電路
14-1 儀表放大器
14-2 隔離放大器
14-3 運算跨導放大器(OTA)
14-4 對數與反對數放大器
14-5 轉換器與其他積體電路
15 主動濾波器
15-1 基本濾波器頻率響應
15-2 濾波器頻率響應的特性
15-3 主動低通濾波器
15-4 主動高通濾波器
15-5 主動帶通濾波器
15-6 主動帶止濾波器
15-7 濾波器頻率響應的量測
16 振盪器
16-1 振盪器
16-2 回授振盪器
16-3 RC回授電路振盪器
16-4 LC回授電路振盪器
16-5 弛緩振盪器
16-6 將555計時器當作振盪器使用
17 電壓調整器
17-1 電壓調整
17-2 基本線性串聯調整器
17-3 基本線性並聯調整器
17-4 基本交換式調整器
17-5 積體電路電壓調整器
17-6 積體電路電壓調整器的電路型態
附 錄
習題解答
詞彙
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電子學(進階應用)10/e (10版)
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書名:電子學(基礎理論)(第十版)
原文書名 : Electronic Devices (Conventional Current Version) 10/E
作者:Floyd
翻譯:楊棧雲
出版社:全華
出版日期:2019/06/01
ISBN:9789865030704
內容簡介
本書譯自Thomas L. Floyd原著「Electronic Devices」(第十版),分為基礎理論、進階應用兩冊,本書內容豐富,大量例題的相關習題及每小節後的隨堂測驗,解答都可在隨書光碟中找到。本書適用於大學、科大電子、電機、機械及資工系,日、夜間部「電子學」課程使用。
■ 本書特色
1.每一章前面都有本章大綱、本章學習目標、簡介、重要詞彙與可參訪教學專用 等項目,可迅速了解每章重點。
2.本書內容豐富,在每小節後附有隨堂測驗及大量的例題、特殊的解題方法,可加強基本概念。
3.全書採用全彩精美印刷,內容層次分明,條列清晰。
4.各章皆有基本習題,讓學生及自學者檢視學習之成果。
目錄
1電子學簡介
1-1原子
1-2用於電子學的材料
1-3半導體的電流
1-4N型與P型半導體
1-5PN 接面
2二極體及應用
2-1二極體的工作原理
2-2二極體的電壓-電流(V-I)特性
2-3二極體的各種模型
2-4半波整流器
2-5全波整流器
2-6電源濾波器與調整器
2-7二極體限位器與箝位器
2-8電壓倍增器
2-9二極體特性資料表
3特殊用途二極體
3-1齊納二極體
3-2齊納二極體的應用
3-3光學二極體
4雙極接面電晶體
4-1雙極接面電晶體(BJT)結構
4-2BJT的基本工作原理
4-3BJT的特性和參數
4-4BJT當作放大器
4-5BJT當作開關
4-6光電晶體
4-7電晶體的類別和封裝
5電晶體偏壓電路
5-1直流工作點
5-2分壓器偏壓
5-3其他的偏壓方法
6BJT 放大器
6-1放大器的工作原理
6-2電晶體交流模型
6-3共射極放大器
6-4共集極放大器
6-5共基極放大器
6-6多級放大器
6-7差動放大器
7場效電晶體
7-1接面場效電晶體
7-2接面場效電晶體的特性與參數
7-3JFET 偏壓
7-4歐姆區
7-5金屬氧化物半導體電晶體
7-6MOSFET 的特性與參數
7-7MOSFET偏壓
7-8絕緣閘雙極電晶體
8FET放大器及開關電路
8-1共源極放大器
8-2共汲極放大器
8-3共閘極放大器
8-4D類放大器
8-5MOSFET類比開關
8-6MOSFET 數位開關
9運算放大器
9-1運算放大器簡介
9-2運算放大器輸入模式與參數
9-3負回授
9-4具有負回授的運算放大器
9-5負回授對運算放大器阻抗的影響
9-6偏壓電流和抵補電壓
9-7開環路頻率與相位響應
9-8閉環路頻率響應
10基本運算放大器電路
10-1比較器
10-2加法放大器
10-3積分器和微分器
附 錄
習題解答
詞彙
書名:電子學(進階應用)(第十版)
作者:Floyd(楊棧雲)
出版社:全華圖書
出版日期:2019/12/00
ISBN:9789865032944
內容簡介
本書譯自Thomas L. Floyd原著「Electronic Devices」(第十版),分為基礎理論、進階應用兩冊,本書內容豐富,大量例題的相關習題及每小節後的隨堂測驗。本書適用於大學、科大電子、電機系「電子學II」課程使用。
本書特色
1.每一章前面都有本章大綱、本章學習目標、簡介、重要詞彙與可參訪教學專用 等項目,可迅速了解每章重點。
2.本書內容豐富,在每小節後附有隨堂測驗及大量的例題、特殊的解題方法,可加強基本概念。
3.全書採用全彩精美印刷,內容層次分明,條列清晰。
4.各章皆有基本習題,讓學生及自學者檢視學習之成果。
目錄
11 BJT功率放大器
11-1 A類功率放大器
11-2 B類和AB類推挽式放大器
11-3 C類放大器
12 放大器頻率響應
12-1 基本概念
12-2 分貝
12-3 放大器低頻響應
12-4 放大器高頻響應
12-5 放大器總頻率響應
12-6 多級放大器的頻率響應
12-7 頻率響應的量測
13 閘流體
13-1 基本四層二極體
13-2 矽控整流器(SCR)
13-3 SCR的應用
13-4 雙向觸發二極體(Diac)和雙向交流觸發三極體(Triac)
13-5 矽控開關(SCS)
13-6 單接面電晶體(UJT)
13-7 可程式單接面電晶體(PUT)
14 特殊用途積體電路
14-1 儀表放大器
14-2 隔離放大器
14-3 運算跨導放大器(OTA)
14-4 對數與反對數放大器
14-5 轉換器與其他積體電路
15 主動濾波器
15-1 基本濾波器頻率響應
15-2 濾波器頻率響應的特性
15-3 主動低通濾波器
15-4 主動高通濾波器
15-5 主動帶通濾波器
15-6 主動帶止濾波器
15-7 濾波器頻率響應的量測
16 振盪器
16-1 振盪器
16-2 回授振盪器
16-3 RC回授電路振盪器
16-4 LC回授電路振盪器
16-5 弛緩振盪器
16-6 將555計時器當作振盪器使用
17 電壓調整器
17-1 電壓調整
17-2 基本線性串聯調整器
17-3 基本線性並聯調整器
17-4 基本交換式調整器
17-5 積體電路電壓調整器
17-6 積體電路電壓調整器的電路型態
附 錄
習題解答
詞彙
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決勝矽紀元:新亞洲供應鏈崛起,半導體八強國際新賽局與臺灣的不對稱關鍵優勢 (1版)
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【簡介】
從貿易戰到晶片戰,半導體已成為國家未來發展戰略,2030年將是決勝時刻!
40年科技產業資歷最強分析——從去全球化x亞洲新鏈的制高點
解析在半導體八強在國際新賽局中,科技產業版圖的重構與挑戰
人工智慧、萬物聯網、量子技術⋯⋯
科技演化正以幾何級數的速度,將我們推向一個以半導體為基調的新時代,
全球半導體產值將會從目前的5,200億美元, 在2030年倍增到1兆美元。
但是,當破壞性創新的壓力與機會並存,
未來並不是一個雨露均霑的時代,贏家不一定能全拿!
從貿易戰到晶片戰,美中對峙已揭示「得半導體得天下」的國家發展戰略;
從全球化到去全球化,也預示「新亞洲供應鏈」將取代中國世界工廠的位置。
身處在地緣政治角力、區域經濟興起的最前緣,臺灣科技業要如何運用自己的不對稱關鍵優勢,在合縱連橫的國際新局中,找到最有利的生機與商機?
作者黃欽勇為DIGITIMES創辦人,也是政府培養的第一批產業分析國際人才。
他以40年的科技產業分析資歷,一路見證全球科技業歷經個人電腦、行動通信到物聯網的時代變革。在這本書中,他以科技業為經、國際關係為緯,親自走訪全球半導體領導企業,提供從上游矽智財、IC設計,到中游晶圓製造、代工,以及下游封測、銷售的第一手產業資料和市場數據,探索半導體八強進入矽紀元之後——
.美國仍是|制訂遊戲規則|的世界強權?
.臺韓能以|技術領先優勢|留在前段班?
.日歐憑藉|汽車工業實力|可重返榮耀?
.中印運用|人口紅利優勢|將快速超前?
另外,擁有量產製造優勢的越南、墨西哥,希望以稀土能源參與角逐的澳洲、加拿大,以及現有十多座晶圓廠的新加坡、在封測產業中頗有基礎的馬來西亞,誰會搶佔八強最後一席?
正如500年前的大航海時代,在充滿未知的征途中,可能賺得盆滿缽滿,也可能勞而無功;
由半導體領軍的科技大航海時代已經揭開序幕,這本書將帶你預見偉大航道上的英雄之旅。
本書特色
1.提供第一手產業分析資料
作者親自走訪全球半導體企業領導人,呈現科技業人士對地緣政治和區域經濟競合的策略思考!
2.圖表輔助呈現半導體市場最新數據
以DIGITIMES資料庫為本,提供從上游矽智財、IC設計,到中游晶圓製造、代工,以及下游封測、銷售的市場數據。
3.深入解析最具代表的全球半導體八強
涵蓋美、臺、韓、日、歐、中、印,加上外卡角逐者,完整解析八強在國際新賽局的戰略優勢。
【目錄】
作者序|天選之島與昭昭天命
前 言|決戰2030,半導體八強經典賽開打
第一章 美國|霸主地位保衛戰
1.1 三大優勢掌握全球霸權
1.2 美商/臺廠的依存關係
1.3 G2對峙為全球經貿基調
第二章 臺韓|科技島鏈的兩難
2.1 天選之島的幸運或遠見?
2.2 過五關保臺灣的科技業
2.3 韓國機會與風險的抉擇
2.4 臺韓同床異夢,或同舟共濟?
第三章 日歐|第二種子拚逆襲
3.1 日本重回世界主流的決心
3.2 歐陸技術落後的集體焦慮
第四章 中印|大國捉對廝殺
4.1 中國龍築起紅色供應鏈
4.2 自主化半導體的危與機
4.3 印度象循微光大步前進
4.4 印度人的中國情結
第五章 外卡角逐者|會外賽晉級熱戰
5.1 去全球化的受益者
5.2 新加坡的前瞻與遠見
5.3 墨西哥實力不容忽視
5.4 越南不只地利之便
第六章 走在時代的鋼索上
6.1 臺灣為什麼重要?
6.2 定義、定位、定價
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半導體專業英文 重點單字×實用例句×情境對話,專為半導體從業者與學習者設計 (1版)
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【簡介】
踏入半導體專業領域,掌握科技語言的關鍵!
本書是以ESP(English for Special Purposes)教學理念為核心,聚焦於半導體技術的專業語言需求,內容涵蓋從基礎詞彙到進階應用的全方位學習資源。結合字彙與實用例句,幫助讀者快速理解專業術語的含義與使用情境,更囊括25個實際應用對話,模擬真實的產業溝通場景。本書特色如下:
● 全方位專業詞彙學習:系統化整理半導體技術常見詞彙,按字母排序,便於查詢與記憶。
● 應用導向的情境對話:涵蓋晶圓製造、光刻技術、先進封裝等熱門話題,增強實務溝通能力。
● 實用性與專業性並重:例句搭配場景,幫助讀者融會貫通專業術語的實際使用。
● 助力國際職場競爭:不論是技術學習者或產業專業人士,皆能受益於本書內容。
本工具書適合行業新人、專業從業者,以及對半導體技術充滿熱情的學習者。透過本書,您將不僅提升語言能力,還能獲得進入國際舞台的核心競爭力!
※附MP3音檔QR code隨掃隨聽,隨時隨地背單字、練發音!
【目錄】
導論:ESP(English for Special Purposes)專業英文簡介
0-1 ESP的核心價值:實用性與針對性
0-2 ESP的歷史與發展
0-3 ESP的多元類型
0-4 ESP課程設計與教學策略
0-5 科技在ESP中的應用
0-6 台灣在推行ESP的發展現況
0-7 展望未來
第一章 半導體單字
非字母開頭及字母A
字母B
字母C
字母D
字母E
字母F
字母G
字母H
字母I
字母J
字母K
字母L
字母M
字母N
字母O
字母P
字母Q
字母R
字母S
字母T
字母U
字母V
字母W
字母X
字母Y
字母Z
第二章 情境與對話
情境與對話1:晶圓製造(Wafer Fabrication)
情境與對話2:先進封裝技術(Advanced Packaging Technology)
情境與對話3:製程技術(Process Technology)
情境與對話4:半導體材料(Semiconductor Materials)
情境與對話5:晶圓級封裝(Wafer-Level Packaging (WLP) )
情境與對話6:半導體設計流程(Semiconductor Design Flow)
情境與對話7:積體電路(Integrated Circuits (ICs) )
情境與對話8:封裝與測試(Packaging and Testing)
情境與對話9:薄膜沉積(Thin Film Deposition)
情境與對話10:半導體物理(Semiconductor Physics)
情境與對話11:光刻技術(Photolithography)
情境與對話12:晶圓切割(Wafer Dicing)
情境與對話13:電漿蝕刻Plasma Etching)
情境與對話14:電漿處理(Plasma Processing)
情境與對話15:晶圓測試(Wafer Testing)
情境與對話16:MOSFET設計(MOSFET Design)
情境與對話17:半導體製程控制(Process Control in Semiconductor Manufacturing)
情境與對話18:介電層沉積(Dielectric Layer Deposition)
情境與對話19:鍍膜技術(Coating Technology)
情境與對話20:半導體設備維護(Semiconductor Equipment Maintenance)
情境與對話21:功率半導體(Power Semiconductors)
情境與對話22:微機電系統(Microelectromechanical Systems (MEMS) )
情境與對話23:晶圓清洗(Wafer Cleaning)
情境與對話24:氮化鎵技術(Gallium Nitride (GaN) Technology)
情境與對話25:製程標準化(Process Standardization)
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馭電風城:從交通大學的復校到電子所創立,改變臺灣半導體產業的歷史 (1版)
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【簡介】
從戰後遷臺的百廢待興,
到研製出臺灣首批電晶體與積體電路,
交通大學的復校運動,如何影響臺灣電子產業的發展
第一臺電視訊號發射機、雷射、電晶體再到積體電路,交通大學電子研究所在一九五〇至一九六〇年代,陸續研發關鍵技術、自製科技產品,成功推動臺灣電子產業的進程。然而原以培育「路、輪、電、郵」等基礎建設人才為主的交通大學,為何在臺灣復校卻是以「電子研究所」起家?政府政策、美援,以及校友,如何牽動復校運動,進而改寫臺灣產業史?
▎從「交通」轉向「電子」的復校歷程
一九四九年國民政府遷臺後,交大校友便陸續倡議在臺復校;但對於當時的政府而言,臺灣為暫居之地,培育基礎建設人才的需求遠不及收復土地的重要,復校提案便因政府政策、國家財政等因素受阻。
然而,戰後與軍事相關的原子科學發展迅速,連帶帶動各國電子科學領域的發展,與清大的原子研究所相對應的交大電子研究所構想浮現檯面,為復校帶來一線生機。書中透過爬梳此段歷史,呈現「工程師」們的復校計畫是如何與國家政權磨合,並緊扣時代的變遷,最終推動了臺灣第一間電子所。
▎邁入原子與電子的時代,影響戰後研究的國際力量
借助聯合國特別基金計畫、美援相對基金,交通大學在電子研究所成立後,除了挹注資源在硬體建設上,也透過校友的引介邀請到多位專家學者授課、建置實驗室等,為交大的研究發展打下基礎。並在一九六二年引進第一部電子計算機;一九六五 年自製雷射,研製第一枚平面電晶體; 一九六六年更成功自製第一顆積體電路,見證臺灣電子產業發展前沿。
本書從機構史角度出發,爬梳檔案文獻、報章雜誌、佐以口述訪談紀錄,重現時代中錯綜複雜的機構與人物關係,釐清遷臺後國民政府、交大校友、美援等多項因素交互影響的復校脈絡,重新探索臺灣電子產業發展最初、也最為關鍵的節點。
★ 影響臺灣電子產業的關鍵十年 ★
1956│交大復校籌備委員會以電子研究為方向,積極奔走。
1958│電子研究所成立,交通大學順利在臺灣復校。
1961│自製電視訊號發射機,為臺灣電視廣播之始。
1962│引進、展出臺灣第一部電子計算機。
1965│自製氦氖氣體雷射,研製臺灣第一批電晶體。
1966│成功自製臺灣第一顆積體電路。
1967│電子所改制為工學院,招生學士班及博士班,培養第一批本土工學博士。
從清末的南洋公學,到改寫積體電路產業的交通大學;
從作育無數路、輪、電、郵之英才,到培養臺灣電子產業第一批領航者;
交通大學的復校歷史,同步見證了臺灣電子產業的風起。
本書特色
•爬梳冷戰時期的機構史,以大學為出發,微觀美援與聯合國如何推進臺灣科學研究。
•透過第一手訪談與典藏史料交互映證,從工程師與研究者的第一視角,重現臺灣電子科學早期的景況。
•收錄台灣電子科學界及交大復校重要人物生平,藉由人物歷史,探索遷臺後大學如何在臺落地生根。【目錄】
校長序 同行致遠 /林奇宏
院長序 臺灣高科技產業的縮影 /王蒞君
館長序 歷史需要被記憶 /黃明居
作者序 工程師的奇蹟 /郭力中
序曲
晚清變局的曙光(一八九六─一九一一)
烽火下向學不倦(一九一二─一九四九)
領航現代化建設
第一章 新枝初萌:艱困的復校
交大雖舊,其命維新
一封來自美國的電報
預算和目標的攻防戰
第二章 根植風城:電子研究所的奠基
風馳電掣的開場
我們的電子年
研究與課程藍圖
第三章 桃李燦漫:電子所與研究生教育
覓良師煞費苦心
得英才而教育之
往事並不如煙
第四章 廣傳新知:引領臺灣跨入新紀元
錢公南與他眼中的未來
電信電子訓練研究中心
啟電腦教育之先河
第五章 曙光初綻:交大電子所領航科技創新
小發明與大貢獻
開啟臺灣電視新紀元
打造護國神山
改變世界那道光
尾聲 餘波意猶未盡
交大工學院重生
電子產業的磐石
附錄
附錄一:交通大學校史與電子研究所年表
附錄二:人物專訪節選
附錄三:交大復校籌備委員會委員生平
參考書目
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半導體積體電路製程技術入門 (1版)
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【簡介】
本書依據作者多年授課經驗與講義內容,經過有系統的整理與編撰,是一本具基礎且淺顯易懂、適合作為入門的書籍。透過清晰流暢的敘述,詳盡解析半導體積體電路的應用知識,從基礎概念逐步拓展,使讀者能夠穩健踏入此領域,並建立扎實的專業基礎。
全書共分為十一章,涵蓋半導體積體電路技術的基礎、相關產業概論、半導體晶圓製造廠、洗淨製程、熱氧化製程、物理式薄膜製程、化學式薄膜製程、離子佈植製程、光微影製程、化學機械研磨製程、封裝製程等主題。
本書特色
1.循序漸進、深入淺出:以條理分明的方式講解半導體積體電路技術,幫助讀者輕鬆入門,並逐步建立扎實的專業知識。
2.涵蓋新製程技術:內容緊跟產業發展,介紹當前半導體積體電路產業中的最新技術與趨勢,使讀者掌握前沿知識。
3.專有名詞雙語標示:書中專業術語附有中英文對照,便於查閱與進一步理解相關文獻,提升學習效率。
4.章節習題強化理解:各章節搭配習題演練,幫助讀者檢視學習成效,鞏固對關鍵概念的掌握。
【目錄】
第零章 半導體積體電路技術的基礎
第一章 半導體積體電路產業及其相關技術的基本概念
第二章 半導體晶圓製造廠
第三章 洗淨製程技術
第四章 熱氧化製程技術
第五章 物理式薄膜製程技術
第六章 化學式薄膜製程技術
第七章 離子佈植製程技術
第八章 光微影製程技術
第九章 化學機械研磨製程技術
第十章 封裝製程技術
附錄一 通用性物理常數
附錄二 參考性實驗數據
附錄三 價值性市場圖表
附錄四 元素週期表
英中文索引
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【簡介】
本書內容涵蓋基礎半導體知識到產業應用,幫助讀者了解最新知識與技術,全書共七章,第一章將回顧半導體的發展歷程與產業概況。第二章至第五章則依序探討半導體的核心領域,包括IC設計、製程技術、半導體記憶體與封裝技術。在第六章中,將介紹當前最受矚目的第三類半導體材料與新興技術,例如氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)。最後,第七章將分析半導體產業的未來發展趨勢,並探討臺灣在全球半導體供應鏈中的角色與競爭優勢。作為全球半導體產業的重要樞紐,臺灣憑藉先進製程技術與完整供應鏈,在全球市場占據關鍵地位。
本書特色
1.深入探討半導體製程技術:詳細介紹半導體晶圓製造流程,包括氧化、擴散、薄膜、微影及蝕刻製程,讓讀者深入理解製程技術的核心概念。
2.涵蓋先進材料與元件技術:專章介紹第三類半導體寬能隙材料與元件,以及功率半導體元件的應用,提供新興技術的最新資訊。
3.展望產業未來發展趨勢:分析半導體產業的未來展望,探討新興技術的發展方向,幫助讀者掌握產業脈動,預測未來趨勢。
【目錄】
CH1 簡介及概述
1-1 積體電路技術導論
1-2 半導體產業概述
CH2 IC設計
2-1 IC設計歷史背景
2-2 IC設計方法介紹(methodology)
2-3 IC設計與元件模型
2-4 各類IC積體電路應用
CH3 晶圓代工
3-1 作業環境
3-2 半導體製程
CH4 記憶體
4-1 半導體記憶體介紹
4-2 動態隨機存取記憶體(DRAM)
4-3 快閃記憶體(Flash memory)
4-4 前瞻式非揮發性記憶體(Emergy memory)
CH5 封裝測試
5-1 封裝前言
5-2 封裝製程
5-3 IC封裝技術
5-4 IC封裝的未來與挑戰
CH6 第三類半導體及新興技術
6-1 第三類寬能隙半導體概論
6-2 功率半導體元件介紹
6-3 氮化鎵功率半導體元件
6-4 碳化矽功率半導體元件
6-5 第三類半導體產業未來發展趨勢
CH7 結語與展望
習題演練
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