半導體製程技術導論 (5版)

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【簡介】 1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術(如3D IC技術、EUV微影技術、FinFET等)，同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。 【目錄】 第一章 導論 1.1 簡史 1.2 概述 1.3 本章總結 習題 參考文獻 第二章 積體電路製程介紹 2.1 IC製程簡介 2.2 IC的良率 2.3 無塵室技術 2.4 IC晶圓廠的基本結構 2.5 IC測試與封裝 2.6 近期的發展 2.7 本章總結 習題 參考文獻 第三章 半導體基礎 3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 IC晶片 3.4 IC基本製程 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 3.7 本章總結 習題 參考文獻 第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷 4.4 從矽砂到晶圓 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 未來趨勢 4.8 本章總結 習題 參考文獻 第五章 加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備 5.3 氧化製程 5.4 擴散 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程近年發展 5.9 本章總結 習題 參考文獻 第六章 微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻 6.3 微影製程 6.4 微影技術的發展趨勢 6.5 其他微影製程方法 6.6 極紫外光(EUV)微影技術 6.7 安全性 6.8 本章總結 習題 參考文獻 第七章 電漿製程 7.1 簡介 7.2 電漿基本概念 7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.9 遠距電漿製程 7.10 高密度電漿(HDP)製程 7.11 本章總結 習題 參考文獻 第八章 離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備 8.4 離子佈植製程 8.5 安全性 8.6 近年發展及應用 8.7 本章總結 習題 參考文獻 第九章 蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎 9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量 9.8 最新進展 9.9 本章總結 習題 參考文獻 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG) 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔 10.9 新千禧年的介電質材料 10.10 本章總結 習題 參考文獻 第十一章 金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜 11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程 11.7 最新進展 11.8 安全性 11.9 本章總結 習題 參考文獻 第十二章 化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程 12.6 CMP製程近年發展 12.7 本章總結 習題 參考文獻 第十三章 半導體製程整合 13.1 簡介 13.2 晶圓準備 13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 高k金屬閘極MOSFET 13.7 連線技術 13.8 鈍化 13.9 本章總結 習題 參考文獻 第十四章 IC製程技術 14.1 簡介 14.2 1980年代CMOS製程流程 14.3 1990年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程 14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結 習題 參考文獻 第十五章 3D IC元件的製造過程 15.1 引言 15.2 埋入式閘極字元線DRAM 15.3 3D-NAND 快閃記憶體 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造 15.5 本章總結 習題 參考文獻 第十六章 總結與未來趨勢 參考文獻

半導體IC產品可靠度 : 統計 物理與工程 (2版)

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半導體IC產品可靠度：統計、物理與工程 作 者：傅寬裕 出版社別：五南 出版日期：2020/07/01(2版5刷) ＩＳＢＮ：978-957-11-6074-0 書 號：5DB5 頁 數：248 開 數：20K 1. 本書附有元素週期表、AQL選樣計劃表、半導體物理常數表，可供讀者翻閱參考。 2. 唯一一本貫穿半導體產業為題材的專業書籍。以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材。 　　本書的編寫以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材而開展。全書共分六章；開宗明義的第一章旨在介紹給讀者以半導體、IC產品製程、及基本可靠度的知識與觀念。第二章，則從統計與物理兩個面向，致力於幾個對IC產品可用的可靠度壽命分佈模型來解說。第三章，深入淺出地介紹與IC元件有關的幾個基本可靠度問題。第四章，介紹有關後段封裝所可能引起的其它可靠度問題。現今IC業界，為了保證產品的可靠度，從晶圓，到封裝的製程，都有一套公認的可靠度認證過程。特別將認證過程公認的主要規定闡述於第五章。最後，於第六章，介紹對失效品的故障分析。從分析儀器及技術、常見的故障原因，到如何減低故障發生率的未來方向都有精簡的敘述。 　　本書適合作為電子、電機工程及相關科系研究生教科書，半導體IC業界從業工程師參考書。相關理工科系的大學部學生，如有志於半導體IC一行為業，以本書作為進階的參考書，當亦有所牌益。 目錄 第１章　緒　論 1.1　半導體 1.2　半導體 IC 產品的製造流程 1.3　基本可靠度觀念 1.4　產品可用壽命 參考文獻 第２章　可靠度壽命分布模型 2.1　指數分布模型 2.2　常態與對數常態分布模型 2.2.1　常態分布模型 2.2.2　對數常態分布模型 2.3　韋伯分布（Weibull distribution）模型 2.4　浴缸曲線（bathtub curve） 2.4.1　早夭期（infant mortality period） 2.4.2　有用生命期（useful life period） 參考文獻 第３章　半導體 IC 元件的基本可靠度問題 3.1　介電質的崩潰（dieletric breakdown） 3.2　電晶體的不穩定度 3.2.1　離子污染 3.2.2　熱載子射入 3.2.3　負偏壓溫度不穩定度（NBTI） 3.3　金屬導體的電遷移（electromigra-tion，簡稱 EM） 3.4　靜電放電引起的潛藏性傷害 3.5　CMOS 寄生雙載子電晶體引起的電路閂鎖及其傷害 3.6　粒子造成的軟性錯誤（soft error） 參考文獻 第４章　半導體 IC 封裝的可靠度問題 4.1　封裝或晶粒的裂開 4.2　金屬導線的腐蝕 4.3　連接線的脫落 4.4　封裝主要可靠度問題的表列 4.5　封裝可靠度測試 參考文獻 第５章　半導體 IC 產品量產的認證過程 5.1　量產前可靠度認證的一般規格 5.2　晶粒可靠度認證測試 5.2.1　元件可靠度認證測試 5.2.2　產品可靠度認證測試 5.3　封裝可靠度認證測試 5.4　比較嚴格的車規認證 參考文獻 第６章　故障分析 6.1　故障分析的工具／技術 6.2　電性與物性故障分析 6.3　常見的故障模態／機制 6.4　減少故障率的未來方向 參考文獻

實用IC封裝 (2版)

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實用IC封裝 ISBN13：9786263437548 出版社：五南圖書出版 作者：蕭献賦 裝訂／頁數：平裝／336頁 規格：23cm*17cm*1.6cm (高/寬/厚) 重量：560克 版次：2 出版日：2023/02/25 中文圖書分類：電子工程 內容簡介 本書係針對入門者編寫的IC封裝專業書籍，目的在於推廣基礎IC封裝知識。書中除收錄和IC封裝相關的基本概念和理論外，也包括作者在職場上累積的實用經驗及心得。        書中討論的IC封裝以塑膠封裝為主，主要包含常見IC封裝的材料、製程和相關的認證方式，除介紹各類封裝產品的構造和製造程序之外，也對其背後隱藏的原理加以說明。此外，本書也簡單介紹IC封裝的演變及部分封裝產品之設計概念，讓讀者能知其然，也知其所以然。本書適合作為半導體製程相關課程或是IC封裝相關訓練之參考書籍。由於書中收納常用認證程序，也同時將許多常用數據整理於附表中，對於在工作中需具備基本IC封裝知識的IC設計工程師、外包工程師、QA工程師、及可靠度工程師來說，也適合作為工具書使用。 目錄 第一章 簡介：IC封裝和半導體   1.　IC封裝在國內的產值 2.　電子產品與IC 3.　什麼是IC封裝 4.　IC封裝的目的和功能 5.　封裝的層次 6.　半導體和電晶體 第二章 IC封裝的演變、種類和趨勢   7.　早期開發的IC封裝 8.　導線架封裝 9.　塑膠載板封裝 10.　覆晶封裝與凸塊 11.　WLP與WLCSP 12.　3DIC與SiP 第三章 封裝材料與製程   13.　封裝製程主要材料 14.　導線架封裝製程 15.　塑膠載板封裝製程 16.　覆晶封裝製程 17.　晶圓凸塊製程 18.　WLCSP 19.　密合封裝與氣腔封裝 第四章 封裝產品的可靠度和失效分析   20.　可靠度與常見名詞 21.　常見產品壽命分布模型 22.　浴缸曲線 23.　韋柏分布 24.　IC封裝的可靠度 25.　上板前環境條件 26.　熱應力 27.　溫度循環試驗 28.　壓力鍋測試 29.　高溫儲存試驗 30.　濕度耐受試驗 31.　高速濕度耐受試驗 32.　IC封裝可靠度驗證計畫 33.　失效分析誤判的可能 第五章 熱和應力與IC封裝設計   34.　溫度對IC的影響 35.　熱阻和散熱設計的基礎概念 36.　實用封裝熱阻定義與應用 37.　以數值方法模擬產品中的溫度和應力 38.　利用ANSYS模擬軟體進行BGA焊點失效位置預測 參考資料   索引  

半導體製程設備技術 (3版)

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【簡介】 　　半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。 　　在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。 【目錄】 序 致謝 第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇 0.1 設備維修該有的認知及態度 0.2 設備安全標示的認識 0.2.1 設備安全標示的認識 0.2.2 個人防護裝備的認識 0.3 設備機電系統的定義及分類 類比控制系統 數位控制系統 0.4 設備控制系統 0.5 常見電路圖圖示認識 0.6 半導體導論 參考資料 第一章 擴散設備（Diffusion）篇 1.1 爐管（Furnace） 1.1.1 爐管設備系統架構 1.1.2 爐管製程介紹 1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹 1.1.4 經驗分享 1.2 離子植入（Ion Implant） 1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介 1.2.4 離子植入製程後的監控與量測 1.2.5 離子植入機操作注意事項 1.2.6 離子植入製程問題討論與分析 參考文獻 101 第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法 2.1.1 濕式清洗的目的 2.1.2 濕式蝕刻的目的 2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響 2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術 2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨 2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除 2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術 2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術 2.3 化學品供應系統 2.3.1 化學品分類 2.3.2 化學品供應系統 2.4 wet bench結構與循環系統 2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構 2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統 2.4.3 循環系統與乾燥系統 參考文獻 第三章 薄膜設備（Thin Films）篇 3.1 電漿（Plasma） 3.1.1 電漿產生的原理 3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器 3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD） 3.2.0 簡介 3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD） 3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD） 3.3.1 熱蒸鍍 3.3.2 電子束蒸鍍 3.3.3 濺鍍 參考文獻 第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇 4.0 前言 4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher） 4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors） 4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹 4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE） 4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE） 4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE） 4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors） 4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC） 4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP） 4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR） 4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP） 4.2 晶圓固定與控溫設備 4.3 終點偵測裝置（End point detectors） 4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes） 4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較 4.4.2 乾式蝕刻機制 4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象 4.4.4 各式製程蝕刻說明 4.5 總結 參考文獻 第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇 5.1 前言 256 5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer） 5.2.1 光阻塗佈系統（Coater） 5.2.2 顯影系統（Developer） 5.3 曝光系統（Exposure System） 5.3.1 光學微影（Optical Lithography） 5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography） 5.4 現在與未來 5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography） 5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography） 5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography） 5.5 工作安全提醒 參考文獻 第六章 研磨設備（Polishing）篇 6.1 前言 6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP） 6.2.1 研磨頭 6.2.2 研磨平臺 6.2.3 研磨漿料控制系統 6.2.4 清洗／其他 6.3 研磨漿料 6.4 化學機械研磨製程中常見的現象 6.5 化學機械研磨常用的化學品 參考文獻 第七章 IC製造概述篇 7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow） 前段製程（FEOL） 後段製程（BEOL） 7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹 四種基本及重要的電荷 高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve） 7.3 鰭式電晶體元件製造流程（FinFET Device Process Flow） PMOS鰭式場效應電晶體（PMOS bulk FinFET）製造流程 7.4 碳化矽高功率元件（SiC Power Device）—接面位障蕭特基二極體（Junction Barrier Schottky Diode, JBSD）製造流程 7.5 氮化鎵功率元件製造流程（GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow） 參考文獻 第八章 控制元件檢測及維修篇 8.1 簡介 8.2 維修工具的使用 8.2.1 一般性維修工具組 8.2.2 三用電表的使用 8.2.3 示波器 （oscilloscope）的使用 8.2.4 數位邏輯筆的使用 8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器 8.3.1 電源供應器（Power Supply） 8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller） 8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping motor） 8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC） 8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve） 8.3.6 感測器（Sensor） 8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC） 參考文獻 索引

半導體製程概論(May：Fundamentals of Semiconductor Fabrication)

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書名：半導體製程概論(增訂版)(May：Fundamentals of Semiconductor ) 作者：施敏、 梅凱瑞 出版社：交大出版社 ISBN：9789866301896

電路學 (12版)

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簡介 電路學(Engineering Circuit Analysis)第12版提供讀者建立電路分析之基本概念及全面的理解能力，並將其應用到真實世界的範例問題上。在本書將近數十年的發行中，其最具助益的特點為： 1.清晰及簡潔的解說。 2.各式各樣有效的學習工具，例如使用MATLAB、PSpiceÒ或MultiSimÒ等工具。 3.具備不同等級難度的許多習題，亦包括大量的評量習題，有利於授課教師應用。 4.提供各種真實的範例，可以在討論之後說明這些範例的實用性。 目錄 CHAPTER 1 基本觀念 CHAPTER 2 電阻電路 CHAPTER 3 電路理論 CHAPTER 4 運算放大器 CHAPTER 5 電容與電感 CHAPTER 6 一階與二階暫態電路 CHAPTER 7 弦波穩態分析 CHAPTER 8 穩態功率分析 CHAPTER 9 磁耦合電路 CHAPTER 10 三相電路 CHAPTER 11 可變頻率電路性能 CHAPTER 12 拉氏轉換 CHAPTER 13 應用拉氏轉換於電路 分析 CHAPTER 14 傅立葉分析技巧 CHAPTER 15 雙埠網路 Appendix 複數 A.1 複數表示式 A.2 數學運算

晶圓代工與先進封裝產業科技實務 (2版)

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【簡介】 車用晶片大缺貨！全球瘋搶台積電！ 本書將帶您徹底了解台積電最新技術： 什麼是電晶體MOSFET、FinFET、GAAFET？ 什麼是光罩、摻雜、蝕刻、磊晶、化學機械研磨？ 什麼是晶圓級封裝FIWLP、FOWLP、InFO？ 什麼是立體封裝(CoWoS)與小晶片(Chiplet)？ 本書適合非工程背景的產業分析師、財金法律商務人士， 如果你對半導體產業似懂非懂，本書將是你徹底了解的唯一途徑。 本書深入淺出適合「非理工背景」的高階主管與商務人士，將艱深困難的科技知識簡化成大家能夠理解的內容，在未來科技領導產業創新的時代是所有商務人士的必修課程。 對產業科技有基本的認識，將艱深困難的科技知識簡化成大家夠理解的內容，在未來科技領導產業創新的時代是所有商務人士的必修課程。 ➩適合上市櫃公司董監事、高階主管、政府首長、商務人士等。 ➩適合金融產業創投、證券、保險、會計、產業分析、智慧財產等。 ➩適合一般產業新聞記者、編輯、科技管理、智慧財產等。 ➩適合科技產業行銷、業務、法務、採購、人力資源、跨領域工程師等。 ➩適合高中生科技素養教育，參加認證考試取得證書升學口試更順利。 【目錄】 第一章 基礎光電科學(Basic Optoelectronic Science) 1-1科學數量級 1-2電子與電洞 1-3電子槍 1-4離子與電漿 第二章　基礎材料科學(Basic Material Science) 2-1元素週期表 2-2物質的種類 2-3固體材料的種類 2-4基礎結晶學 2-5固體材料的結晶 2-6半導體材料的鍵結 2-7半導體材料的種類 2-8半導體的導電特性 第三章　固體材料製造技術(Solid state material) 3-1固體材料製造分類 3-2單晶塊材製造技術 3-3單晶薄膜製造技術 3-4多晶塊材製造技術 3-5多晶薄膜製造技術 3-6非晶塊材製造技術 3-7非晶薄膜製造技術 第四章　電子元件簡介(Introduction to Electronic Device) 4-1電子元件的分類 4-2二極體 4-3金屬氧化物半導體場效電晶體 4-4金屬半導體場效電晶體 4-5雙極性接面電晶體 4-6混合型電晶體 4-7被動元件：電阻、電容、電感 第五章　積體電路概論(Introduction to Integrated Circuit) 5-1積體電路的組成與世代 5-2積體電路的製作流程 5-3積體電路的種類 5-4積體電路產業的分工模式 第六章　積體電路的黃光微影(Photolithography) 6-1潔淨室與晶圓廠 6-2光罩與倍縮光罩 6-3黃光微影技術 6-4黃光微影技術演進 6-5先進光學微影技術 6-6光罩圖形轉移的實例 第七章　積體電路的晶圓製程(Wafer fabrication) 7-1摻雜技術 7-2蝕刻技術 7-3薄膜成長 7-4多層導線 7-5化學機械研磨 第八章 積體電路的封裝測試(Packaging and Testing) 8-1晶圓的尺寸與良率 8-2封裝與測試的步驟 8-3封裝的種類與材料 8-4傳統封裝技術 8-5晶圓級封裝 8-6立體封裝技術 8-7小晶片封裝技術

半導體元件物理學第四版（下冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 上冊目錄 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引   半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／592頁 規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初 出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程 下冊目錄 序言 譯者序一 譯者序二 導論 第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體 第四部分 負電阻以及功率元件 第九章 穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體 第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件 第十一章 閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件 第五部分 光子元件和感應器 第十二章 發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射 第十三章 光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池 第十四章 感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引

半導體元件物理學第四版（上冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引  

先進微電子3D:IC構裝 (4版)

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先進微電子3D-IC構裝 Advanced Microelectronic 3D-IC Packahing 作 者：許明哲 出版社別：五南 出版日期：2023/01/18(4版3刷) ＩＳＢＮ：978-957-763-880-9 書 號：5DE1 頁 數：384 開 數：20K 內容簡介 　　在構裝技術尚未完全進入3D TSV量產之前，FOWLP為目前最具發展潛力的新興技術。此技術起源於英飛凌(Infineon)在2001年所提出之嵌入式晶片扇出專利，後續於2006年發表技術文件後，環氧樹脂化合物(EMC)之嵌入式晶片，也稱作扇出型晶圓級構裝(FOWLP)，先後被應用於各種元件上，例如：基頻(Baseband)、射頻(RF)收發器和電源管理IC(PMIC)等。其中著名公司包括英飛凌、英特爾(Intel)、Marvell、展訊(Spreadtrum)、三星(Samsung)、LG、華為(Huawei)、摩托羅拉(Motorola)和諾基亞(Nokia)等，許多半導體外包構裝測試服務(OSATS)和代工廠(Foundry)，亦開發自己的嵌入式FOWLP，預測在未來幾年，FOWLP市場將有爆炸性之成長。有鑑於此，第三版特別新增第13章扇出型晶圓級(Fan-out WLP)構裝之基本製程與發展概況、第14章嵌入式扇出型晶圓級或面板級構裝(Embedded Fan-out WLP/PLP)技術，以及第15章 3D-IC導線連接技術之發展狀況。在最新第四版特別增加：第16章扇出型面版級封裝技術的演進，第17章3D-IC異質整合構裝技術。 目錄 推薦序 序 文 致 謝 第一章 微電子構裝技術概論1 1. 前言 2. 電子構裝之基本步驟 3. 電子構裝之層級區分 4. 晶片構裝技術之演進 5. 參考資料 第二章 覆晶構裝技術（Flip Chip Package Technology） 1. 前言 2. 覆晶構裝技術（Flip Chip Technology）介紹 3. 其他各種覆晶構裝技術 4. 結論 5. 參考資料 第三章 覆晶構裝之 UBM 結構及蝕刻技術 1. 前言 2. UBM 結構 3. UBM 濕式蝕刻製程及設備 4. 各種 UBM 金屬層之蝕刻方法及注意事項 5. 結論 6. 參考資料 第四章 微電子系統整合技術之演進 1. 前言 2. 系統整合技術之演進 3. 電子數位整合之五大系統技術 4. 結論 5. 參考文獻 第五章 3D-IC 技術之發展趨勢 1. 前言 2. 構裝技術之演進 3. TSV 製作 3D 晶片堆疊的關鍵技術 4. 結論 5. 參考文獻 第六章 TSV 製程技術整合分析 1. 前言 2. 導孔的形成（Via Formation） 3. 導孔的填充（Via Filling） 4. 晶圓接合（Wafer Bonding） 5. 晶圓薄化（Wafer Thinning） 6. 發展 3D 系統整合之各種 TSV 技術 7. 結論 8. 參考文獻 第七章 3D-IC 製程之晶圓銅接合應用 1. 前言 2. 晶圓銅接合方式 3. 銅接合的基本性質（Fundamental Properties of Cu Bonding） 4. 銅接合的發展（Cu Bond Development） 5. 結論 6. 參考資料 第八章 TSV 銅電鍍製程與設備之技術整合分析（TSV Copper Electroplating Process and Tool） 1. 前言（Introduction） 2. TSV 銅電鍍設備（TSV Copper Electroplating Equipment） 3. TSV 銅電鍍製程（TSV Copper Electroplating Process） 4. 影響 TSV 導孔電鍍銅填充之因素（Factors Affecting Copper Plating） 5. 電鍍液之化學成份 6. TSV 電鍍銅製程之需求 7. 結論 8. 參考文獻 第九章 無電鍍鎳金在先進構裝技術上之發展 1. 前言 2. 無電鍍鎳金之應用介紹 3. 無電鍍鎳金製程問題探討 4. 無電鍍鎳製程 5. 無電鍍（化學鍍）金 6. 結論 7. 參考資料 第十章 環保性無電鍍金技術於電子產業上之發展 1. 前言 2. 非氰化物鍍液（Non-Cyanide Bath）的發展狀況 3. 結論 4. 參考文獻 第十一章 無電鍍鈀（Electroless Plating Palladium）技術 1. 聯氨鍍液（Hydrazine-Based Baths） 2. 次磷酸鹽鍍液（Hypophosphite Based Baths） 3. 使用其他還原劑之鍍液 4. 無電鍍鈀合金 5. 結論 6. 參考文獻 第十二章 3D IC 晶圓接合技術（Overview of 3D IC Wafer Bonding Technology） 1. 前言 2. 晶圓對位製程（Wafer Alignment Process） 3. 晶圓接合製程（Wafer Bonding Process） 4. 結論 5. 參考文獻 第十三章 扇出型晶圓級（Fan-out WLP）構裝之基本製程與發展方向 1. 前言 2. Fan-out WLP 基本製造流程 3. Fan-out WLP 之 RCP 與 eWLP 技術 4. Fan-out WLP 所面臨的挑戰 5. 完全鑄模（Fully Molded）Fan-out WLP 技術 6. Fan-out WLP 的未來發展方向 7. 結論 8. 參考資料 第十四章 嵌入式散出型晶圓級或面版級構裝技術（Embedded Fan-out Wafer/Panel Level Packaging） 1. 嵌入式晶片（Embedded Chips） 2. FOWLP 的形成（Formation of FOWLP） 3. RDL 製作方法（RDL Process） 4. 圓形或方形重新配置之載具的選擇 5. 介電材料 6. 膠體材料 7. 結論 8. 參考資料 第十五章 3D-IC 導線連接技術之發展狀況 1. 前言 2. 晶片對晶片（C2C）與晶片對晶圓（C2W）堆疊技術 3. 晶圓對晶圓（W2W）堆疊技術 4. 結論 5. 參考資料 第十六章 扇出型面版級封裝技術的演進 1. 前言 2. J-Devices 的 WFOP 技術 3. Fraunhofer 的 FOPLP 技術 4. SPIL 的 P-FO 技術 5. FOPLP 技術必須克服的挑戰 6. 結論 7. 參考文獻 第十七章 3D-IC異質整合構裝技術 1. 前言 2. 3D-IC 異質整合技術 3. 3D-IC FOWLP 的未來發展方向 4. 結論 5. 參考資料 索引

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