半導體製程與整合（THC） (1版)

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【簡介】 本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。 先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。 材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。 半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。 本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。 【目錄】 第一章 半導體積體電路發展 第二章 基礎半導體材料 第三章 基礎半導體元件 第四章 氧化與加熱製程 第五章 微影製程 第六章 擴散與離子佈植製程 第七章 蝕刻製程 第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積 第九章 半導體金屬化製程 第十章 CMOSFET製程整合 第十一章 先進元件製程 第十二章 FinFET製程整合 第十三章 半導體材料分析技術 第十四章 半導體元件製程發展趨勢

半導體製程技術導論 (5版)

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【簡介】 1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術(如3D IC技術、EUV微影技術、FinFET等)，同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。 【目錄】 第一章 導論 1.1 簡史 1.2 概述 1.3 本章總結 習題 參考文獻 第二章 積體電路製程介紹 2.1 IC製程簡介 2.2 IC的良率 2.3 無塵室技術 2.4 IC晶圓廠的基本結構 2.5 IC測試與封裝 2.6 近期的發展 2.7 本章總結 習題 參考文獻 第三章 半導體基礎 3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 IC晶片 3.4 IC基本製程 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 3.7 本章總結 習題 參考文獻 第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷 4.4 從矽砂到晶圓 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 未來趨勢 4.8 本章總結 習題 參考文獻 第五章 加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備 5.3 氧化製程 5.4 擴散 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程近年發展 5.9 本章總結 習題 參考文獻 第六章 微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻 6.3 微影製程 6.4 微影技術的發展趨勢 6.5 其他微影製程方法 6.6 極紫外光(EUV)微影技術 6.7 安全性 6.8 本章總結 習題 參考文獻 第七章 電漿製程 7.1 簡介 7.2 電漿基本概念 7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.9 遠距電漿製程 7.10 高密度電漿(HDP)製程 7.11 本章總結 習題 參考文獻 第八章 離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備 8.4 離子佈植製程 8.5 安全性 8.6 近年發展及應用 8.7 本章總結 習題 參考文獻 第九章 蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎 9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量 9.8 最新進展 9.9 本章總結 習題 參考文獻 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG) 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔 10.9 新千禧年的介電質材料 10.10 本章總結 習題 參考文獻 第十一章 金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜 11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程 11.7 最新進展 11.8 安全性 11.9 本章總結 習題 參考文獻 第十二章 化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程 12.6 CMP製程近年發展 12.7 本章總結 習題 參考文獻 第十三章 半導體製程整合 13.1 簡介 13.2 晶圓準備 13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 高k金屬閘極MOSFET 13.7 連線技術 13.8 鈍化 13.9 本章總結 習題 參考文獻 第十四章 IC製程技術 14.1 簡介 14.2 1980年代CMOS製程流程 14.3 1990年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程 14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結 習題 參考文獻 第十五章 3D IC元件的製造過程 15.1 引言 15.2 埋入式閘極字元線DRAM 15.3 3D-NAND 快閃記憶體 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造 15.5 本章總結 習題 參考文獻 第十六章 總結與未來趨勢 參考文獻

半導體製程概論(May：Fundamentals of Semiconductor Fabrication)

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書名：半導體製程概論(增訂版)(May：Fundamentals of Semiconductor ) 作者：施敏、 梅凱瑞 出版社：交大出版社 ISBN：9789866301896

半導體製程概論 (5版)

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半導體製程概論 ISBN13：9786263284579 出版社：全華圖書 作者：李克駿;李克慧;李明逵 裝訂／頁數：平裝／408頁 規格：26cm*19cm*1.5cm (高/寬/厚) 重量：731克 版次：5 出版日：2023/06/09 內容簡介 全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。 目錄 前言 半導體與積體電路之發展史 0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History) 0-2 電晶體 (Transistor) 0-3 積體電路 (Integrated Circuit) 0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes) 第一篇 半導體材料與物理 第1章 晶體結構與矽半導體物理特性 1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic) 1-2 晶體結構 (Crystal Structure) 1-3 物質導電性 (Material Conductivity) 1-4 本質矽，質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law) 1-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 第2章 半導體能帶與載子傳輸 2-1 能帶 (Energy Band) 2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance) 2-3 載子傳輸 (Carrier Transport) 第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性 3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors) 3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide) 3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride) 3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide) 3-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si) 第二篇 半導體元件 第4章 半導體基礎元件 4-1 二極體 (Diode) 4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor) 4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 4-4 互補型金氧半場效電晶體 (CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory) 4-6 電阻 (Resistor) 4-7 電容 (Capacitor) 4-8 電感 (Inductor) 第5章 接面能帶圖與費米能階 5-1 半導體狀態密度 (Density of States) 5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor) 5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors) 5-4 接面能帶圖與費米能階 (Fermi Level and Junction Band Diagram) 第6章 積體電路製程與佈局 6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology) 6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology) 6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit) 6-4 設計原則 (Design Rules) 6-5 佈局 (Layout) 第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件 7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET) 7-2 短通道效應 (short-channel effects) 7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET) 7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET) 7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC) 第8章 高速與高功率電晶體 8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) 8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor) 8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor) 8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 第9章 半導體光電元件 9-1 發光二極體 (light emitting diode) 9-2 有機發光二極體 9-3 雷射二極體 (Laser Diode) 9-4 光感測器 (Photodetector) 9-5 太陽電池(Solar Cell) 第三篇 積體電路製程與設備 第10章 矽晶棒之生長 10-1 原料配製 (Starting Materials) 10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth) 10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth) 10-4 晶體缺陷（Crystal Defects） 第11章 矽晶圓之製作 11-1 晶體方向（Crystal Orientation） 11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing) 11-3 十二吋晶圓效益分析（Benefit Analysis of 12 Inch wafer） 第12章 化合物半導體晶棒生長 12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth) 12-2 氮化鎵晶棒生長 (Gallium Nitride Ingot Growth) 12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth) 第13章 矽磊晶生長 ...

先進微電子3D-IC構裝 (5版)

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【簡介】 先進3D-IC構裝設計在微電子領域展現出多項顯著優勢。透過垂直堆疊多層積體電路（IC），該技術實現在更小空間內達成更高的元件整合，優化空間利用，並打造更加緊湊與高效的電子構裝。此方法能有效縮短互連距離，提升訊號傳輸速度，同時降低能耗。此外，3D-IC構裝允許異質整合，使得各種功能晶片（如邏輯、記憶體及感測器）能夠在單一平台上結合，進一步提升系統性能與功能，尤其適用於高性能計算（HPC）、人工智慧（AI）、行動設備及物聯網（IoT）等領域的創新應用。總體而言，先進的3D-IC構裝為微電子構裝技術開闢了提升性能、提高能效及增加設計靈活性的全新途徑。鑑於近年來CoWoS技術、扇出型晶圓級構裝（FOWLP）等技術的快速發展，以及半導體構裝測試廠（OSATS）和晶圓代工廠（Foundry）廣泛採用3D-IC解決方案，本書將反映這些快速演變的趨勢及其對業界的影響。 【目錄】 目　錄 推薦序一 推薦序二 致　謝 序　文 第一章 微電子構裝技術概論 1. 前言 2. 電子構裝之基本步驟 3. 電子構裝之層級區分 4. 晶片構裝技術之演進 5. 參考資料 第二章 覆晶構裝技術 1. 前言 2. 覆晶構裝技術（Flip Chip Technology）介紹 3. 其他各種覆晶構裝技術 4. 結論 5. 參考資料 第三章 覆晶構裝之 UBM 結構及蝕刻技術 1. 前言 2. UBM 結構 3. UBM 濕式蝕刻製程及設備 4. 各種 UBM 金屬層之蝕刻方法及注意事項 5. 結論 6. 參考資料 第四章 微電子系統整合技術之演進 1. 前言 2. 系統整合技術之演進 3. 電子數位整合之五大系統技術 4. 結論 5. 參考文獻 第五章 3D-IC 技術之發展趨勢 1. 前言 2. 構裝技術之演進 3. TSV 製作 3D 晶片堆疊的關鍵技術 4. 結論 5. 參考文獻 第六章 TSV 製程技術整合分析 1. 前言 2. 導孔的形成（Via Formation） 3. 導孔的填充（Via Filling） 4. 晶圓接合（Wafer Bonding） 5. 晶圓薄化（Wafer Thinning） 6. 發展 3D 系統整合之各種 TSV 技術 7. 結論 8. 參考文獻 第七章 3D-IC 製程之晶圓銅接合應用 1. 前言 2. 晶圓銅接合方式 3. 銅接合的基本性質（Fundamental Properties of Cu Bonding） 4. 銅接合的發展（Cu Bond Development） 5. 結論 6. 參考資料 第八章 TSV 銅電鍍製程與設備之技術整合分析 1. 前言 2. TSV 銅電鍍設備（TSV Copper Electroplating Equipment） 3. TSV 銅電鍍製程（TSV Copper Electroplating Process） 4. 影響 TSV 導孔電鍍銅填充之因素（Factors Affecting Copper Plating） 5. 電鍍液之化學成分 6. TSV 電鍍銅製程之需求 7. 結論 8. 參考文獻 第九章 無電鍍鎳金在先進構裝技術上之發展 1. 前言 2. 無電鍍鎳金之應用介紹 3. 無電鍍鎳金製程問題探討 4. 無電鍍鎳製程 5. 無電鍍（化學鍍）金 6. 結論 7. 參考資料 第十章 環保性無電鍍金技術於電子產業上之發展 1. 前言 2. 非氰化物鍍液（Non-cyanide Bath）的發展狀況 3. 結論 4. 參考文獻 第十一章 無電鍍鈀（Electroless Plating Palladium）技術 1. 聯氨鍍液（Hydrazine-based Baths） 2. 次磷酸鹽鍍液（Hypophosphite Based Baths） 3. 使用其他還原劑之鍍液 4. 無電鍍鈀合金 5. 結論 6. 參考文獻 第十二章 3D-IC 晶圓接合技術 1. 前言 2. 晶圓對位製程（Wafer Alignment Process） 3. 晶圓接合製程（Wafer Bonding Process） 4. 結論 5. 參考文獻 第十三章 扇出型晶圓級構裝（Fan-out WLP）之基本製程與發展方向 1. 前言 2. Fan-out WLP 基本製造流程 3. Fan-out WLP 之 RCP 與 eWLP 技術 4. Fan-out WLP 所面臨的挑戰 5. 完全鑄模（Fully Molded）Fan-out WLP 技術 6. Fan-out WLP 的未來發展方向 7. 結論 8. 參考資料 第十四章 嵌入式扇出型晶圓級或面版級構裝技術 1. 嵌入式晶片（Embedded Chips） 2. FOWLP 的形成（Formation of FOWLP） 3. RDL 製作方法（RDL Process） 4. 圓形或方形重新配置之載具的選擇 5. 介電材料 6. 膠體材料 7. 結論 8. 參考資料 第十五章 3D-IC 構裝導線連接技術 1. 前言 2. 3D-IC 構裝堆疊技術比較：C2C、C2W 和 W2W 3. 晶片對晶片（C2C）與晶片對晶圓（C2W）堆疊技術 4. 晶圓對晶圓（W2W）堆疊技術 5. 暫時性鍵合與解鍵合技術應用於薄化晶圓持取與製程（Temporary Bonding and De-bonding for Thin-Wafer Handling and Processing） 6. 結論 7. 參考資料 第十六章 扇出型面版級構裝技術的演進 1. 前言 2. J-Devices的WFOP技術 3. Fraunhofer的FOPLP技術 4. SPIL的P-FO技術 5. FOPLP技術必須克服的挑戰 6. 結論 7. 參考文獻 第十七章 3D-IC異質整合構裝技術 1. 介紹 2. 3D-IC 異質整合技術 3. 結論 4. 參考資料 索引

半導體IC產品可靠度 : 統計 物理與工程 (2版)

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半導體IC產品可靠度：統計、物理與工程 作 者：傅寬裕 出版社別：五南 出版日期：2020/07/01(2版5刷) ＩＳＢＮ：978-957-11-6074-0 書 號：5DB5 頁 數：248 開 數：20K 1. 本書附有元素週期表、AQL選樣計劃表、半導體物理常數表，可供讀者翻閱參考。 2. 唯一一本貫穿半導體產業為題材的專業書籍。以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材。 　　本書的編寫以半導體IC產品的可靠度為例，從電路設計，到封裝製程的所有專業工作者都不能忽略的題材而開展。全書共分六章；開宗明義的第一章旨在介紹給讀者以半導體、IC產品製程、及基本可靠度的知識與觀念。第二章，則從統計與物理兩個面向，致力於幾個對IC產品可用的可靠度壽命分佈模型來解說。第三章，深入淺出地介紹與IC元件有關的幾個基本可靠度問題。第四章，介紹有關後段封裝所可能引起的其它可靠度問題。現今IC業界，為了保證產品的可靠度，從晶圓，到封裝的製程，都有一套公認的可靠度認證過程。特別將認證過程公認的主要規定闡述於第五章。最後，於第六章，介紹對失效品的故障分析。從分析儀器及技術、常見的故障原因，到如何減低故障發生率的未來方向都有精簡的敘述。 　　本書適合作為電子、電機工程及相關科系研究生教科書，半導體IC業界從業工程師參考書。相關理工科系的大學部學生，如有志於半導體IC一行為業，以本書作為進階的參考書，當亦有所牌益。 目錄 第１章　緒　論 1.1　半導體 1.2　半導體 IC 產品的製造流程 1.3　基本可靠度觀念 1.4　產品可用壽命 參考文獻 第２章　可靠度壽命分布模型 2.1　指數分布模型 2.2　常態與對數常態分布模型 2.2.1　常態分布模型 2.2.2　對數常態分布模型 2.3　韋伯分布（Weibull distribution）模型 2.4　浴缸曲線（bathtub curve） 2.4.1　早夭期（infant mortality period） 2.4.2　有用生命期（useful life period） 參考文獻 第３章　半導體 IC 元件的基本可靠度問題 3.1　介電質的崩潰（dieletric breakdown） 3.2　電晶體的不穩定度 3.2.1　離子污染 3.2.2　熱載子射入 3.2.3　負偏壓溫度不穩定度（NBTI） 3.3　金屬導體的電遷移（electromigra-tion，簡稱 EM） 3.4　靜電放電引起的潛藏性傷害 3.5　CMOS 寄生雙載子電晶體引起的電路閂鎖及其傷害 3.6　粒子造成的軟性錯誤（soft error） 參考文獻 第４章　半導體 IC 封裝的可靠度問題 4.1　封裝或晶粒的裂開 4.2　金屬導線的腐蝕 4.3　連接線的脫落 4.4　封裝主要可靠度問題的表列 4.5　封裝可靠度測試 參考文獻 第５章　半導體 IC 產品量產的認證過程 5.1　量產前可靠度認證的一般規格 5.2　晶粒可靠度認證測試 5.2.1　元件可靠度認證測試 5.2.2　產品可靠度認證測試 5.3　封裝可靠度認證測試 5.4　比較嚴格的車規認證 參考文獻 第６章　故障分析 6.1　故障分析的工具／技術 6.2　電性與物性故障分析 6.3　常見的故障模態／機制 6.4　減少故障率的未來方向 參考文獻

半導體物理與元件 (4版)

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原文書資訊 書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE) 作者: NEAMEN ISBN: 9780071089029 出版社: Mc Graw Hill 出版年: 2012年 中文書資訊 書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles) 作者: NEAMEN/ 楊賜麟 ISBN: 9789861578255 出版社: 東華 出版年: 2012年

半導體元件物理與製程：理論與實務 (4版)

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半導體元件物理與製程─理論與實務 Semiconductor Device Physics and Process Integration：Theory & Practice 作 者：劉傳璽 、陳進來 出版社別：五南 出版日期：2022/09/01(4版2刷) ＩＳＢＮ：978-626-317-514-3 E I S B N：9786263175280 書 號：5D75 頁 數：560 開 數：20K 內容簡介 　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。 目錄 第一章 半導體元件物理的基礎 1.1 半導體能帶觀念與載子濃度 1.2 載子的傳輸現象 1.3 支配元件運作的基本方程式 第二章 P-N 接面 2.1 P-N接面的基本結構與特性 2.2 零偏壓 2.3 逆向偏壓 2.4 空乏層電容 2.5 單側陡接面 2.6 理想的電流－電壓特性 2.7 實際的電流－電壓特性 2.8 接面崩潰現象與機制 第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎 3.1 MOS電容的結構與特性 3.2 理想的MOS(金氧半)元件 3.3 實際的MOS(金氧半)元件 第四章 長通道MOSFET元件 4.1 MOSFET的基本結構與類型 4.2 基本操作特性之觀念 4.3 電流－電壓特性之推導 4.4 其他重要元件參數與特性 第五章 短通道MOSFET元件 5.1 短通道元件的輸出特性 5.2 短通道元件的漏電流現象 第六章 CMOS製造技術與製程介紹 6.1 CMOS製造技術 6.2 CMOS製造流程介紹 第七章 製程整合 7.1 元件發展需求 7.2 基板工程(substrate engineering) 7.3 閘極工程 7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering) 7.5 內連線工程(inter-connection) 第八章 先進元件製程 8.1 先進元件製程需求 8.2 SOI 8.3 應變矽Strain Si 8.4 非平面元件 3D device 8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric) 8.6 金屬閘極Metal gate 第九章 邏輯元件 9.1 邏輯元件的要求—速度、功率 9.2 反向器(Inverter) 9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic) 9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF 9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA 第十章 邏輯/類比混合訊號 10.1 混合訊號特性 10.2 混合訊號電路 10.3 混合訊號的主動元件( Active device) 10.4 混合訊號被動元件(Passive device) 10.5 混合訊號電路特別需求 第十一章 記憶體 11.1 CMOS記憶體特性與分類 11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM 11.3 動態隨機存取記憶體DRAM 11.4 快閃記憶體Flash 11.5 發展中的先進記憶體 第十二章 分離元件 12.1 功率二極體 12.2 功率金氧半場效電晶體 12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體 12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET 12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor 12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC 12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體 第十三章 元件電性量測WAT 413 13.1 直流（DC）電性量測 13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測 13.3 RF 電性量測 13.4 元件模型 第十四章 SOC 與半導體應用 14.1 IC 功能分類 14.2 SOC 14.3 半導體應用 14.4 資訊電子Computer 14.5 通訊電子Communication 14.6 消費性電子Consumer 14.7 汽車電子Car 14.8 網際網路

電路學 (12版)

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簡介 電路學(Engineering Circuit Analysis)第12版提供讀者建立電路分析之基本概念及全面的理解能力，並將其應用到真實世界的範例問題上。在本書將近數十年的發行中，其最具助益的特點為： 1.清晰及簡潔的解說。 2.各式各樣有效的學習工具，例如使用MATLAB、PSpiceÒ或MultiSimÒ等工具。 3.具備不同等級難度的許多習題，亦包括大量的評量習題，有利於授課教師應用。 4.提供各種真實的範例，可以在討論之後說明這些範例的實用性。 目錄 CHAPTER 1 基本觀念 CHAPTER 2 電阻電路 CHAPTER 3 電路理論 CHAPTER 4 運算放大器 CHAPTER 5 電容與電感 CHAPTER 6 一階與二階暫態電路 CHAPTER 7 弦波穩態分析 CHAPTER 8 穩態功率分析 CHAPTER 9 磁耦合電路 CHAPTER 10 三相電路 CHAPTER 11 可變頻率電路性能 CHAPTER 12 拉氏轉換 CHAPTER 13 應用拉氏轉換於電路 分析 CHAPTER 14 傅立葉分析技巧 CHAPTER 15 雙埠網路 Appendix 複數 A.1 複數表示式 A.2 數學運算

半導體製程設備技術 (2版)

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半導體製程設備技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者：楊子明 、鍾昌貴 、沈志彥 、李美儀 、吳鴻佑 、詹家瑋 總校閱：吳耀銓 出版社別：五南 出版日期：2022/09/02(2版6刷) ＩＳＢＮ：978-957-11-9513-1 書 號：5DE0 頁 數：424 開 數：16K ‧深入淺出的專業知識 ‧製程程序步驟詳細介紹及圖說 ‧培養扎實基礎與實際應用能力 　　半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。 　　在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。 目錄 序 致謝 第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇 0.1 設備維修該有的認知及態度 0.2 設備安全標示的認識 0.2.1 設備安全標示的認識 0.2.2 個人防護裝備的認識 0.3 設備機電系統的定義及分類 類比控制系統 數位控制系統 0.4 設備控制系統 0.5 常見電路圖圖示認識 0.6 半導體導論 參考資料 第一章 擴散設備（Diffusion）篇 1.1 爐管（Furnace） 1.1.1 爐管設備系統架構 1.1.2 爐管製程介紹 1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹 1.1.4 經驗分享 1.2 離子植入（Ion Implant） 1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介 1.2.4 離子植入製程後的監控與量測 1.2.5 離子植入機操作注意事項 1.2.6 離子植入製程問題討論與分析 參考文獻 101 第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法 2.1.1 濕式清洗的目的 2.1.2 濕式蝕刻的目的 2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響 2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術 2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨 2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除 2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術 2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術 2.3 化學品供應系統 2.3.1 化學品分類 2.3.2 化學品供應系統 2.4 wet bench結構與循環系統 2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構 2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統 2.4.3 循環系統與乾燥系統 參考文獻 第三章 薄膜設備（Thin Films）篇 3.1 電漿（Plasma） 3.1.1 電漿產生的原理 3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器 3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD） 3.2.0 簡介 3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD） 3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD） 3.3.1 熱蒸鍍 3.3.2 電子束蒸鍍 3.3.3 濺鍍 參考文獻 第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇 4.0 前言 4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher） 4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors） 4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹 4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE） 4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE） 4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE） 4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors） 4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC） 4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP） 4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR） 4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP） 4.2 晶圓固定與控溫設備 4.3 終點偵測裝置（End point detectors） 4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes） 4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較 4.4.2 乾式蝕刻機制 4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象 4.4.4 各式製程蝕刻說明 4.5 總結 參考文獻 第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇 5.1 前言 256 5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer） 5.2.1 光阻塗佈系統（Coater） 5.2.2 顯影系統（Developer） 5.3 曝光系統（Exposure System） 5.3.1 光學微影（Optical Lithography） 5.3.2 光學曝光機世代演進 5.3.3 電子束系統（E-beam system） 5.4 現在與未來 5.4.1 浸潤式曝光系統（Immersion Exposure System） 5.4.2 極紫外光系統（Extreme Ultraviolet System） 5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography） 5.5 工作安全提醒 參考文獻 第六章 研磨設備（Polishing）篇 6.1 前言 6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP） 6.2.1 研磨頭 6.2.2 研磨平臺 6.2.3 研磨漿料控制系統 6.2.4 清洗／其他 6.3 研磨漿料 6.4 化學機械研磨製程中常見的現象 6.5 化學機械研磨常用的化學品 參考文獻 ...

半導體製程設備 (4版)

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半導體製程設備 Semiconductor Processing Equipment 作 者：張勁燕 出版社別：五南 出版日期：2022/07/28(4版5刷) ＩＳＢＮ：978-957-11-5250-9 書 號：5D24 頁 數：600 開 數：16K 內容簡介 半導體元件由矽土製成矽晶圓， 再經數百個製程步驟，才製作出256M級的DRAM。這期間所使用的機器，主要的也不過十數種。晶圓成長爐、磊晶反應器、步進照像儀、化學氣相沉積爐、氧化和擴散高溫爐、離子植入機、乾蝕刻機、電子束蒸鍍機、濺鍍機、化學機械研磨機等。以及封裝製程設備、真空幫浦及系統洗淨機器等主要支援設備。本書對這些機器的構造和操作原理都有詳盡的敘述。 砷化鎵Ⅲ–Ⅴ化合物半導體製程，如金屬有機化學氣相沉積爐、分子束磊晶和銅製程使用設備、低介電常數介電製作設備以及一些2000千禧年推出的新機器，也都在本書有詳盡的敘述，次世代先進的製程設備也有一些介紹。本書是編著者累積多年經驗、費時一年而完成的。期望能給想從事半導體業的同學們一項內容豐富有力的教科書。給業界的工程師、研究生、教授老們一項便捷的參考。 【作者簡介】 張勁燕 現職：逢甲大學電子系副教授 學歷：交通大學電子工程研究所博士 經歷：新加坡Intersil電子公司工程師 ITT環宇電子公司工程部經理 台灣電子電腦公司半導體廠廠長 萬邦電子公司總工程師 明新工專電子科副教授（或兼科主任） 逢甲大學電機系副教授（或兼系主任） 專長：半導體元件、物理 VLSI製程設備及廠務 奈米科技 積體電路構裝   目錄 第１章　晶體成長和晶圓製作 第２章　磊晶沉積設備 第３章　微影照相設備 第４章　化學氣相沉積爐 第５章　氧化擴散高溫爐 第６章　離子植入機 第７章　乾蝕刻機 第８章　蒸鍍機 第９章　濺鍍機 第10章　化學機械研磨 第11章　真空泵和真空系統 第12章　濕洗淨和乾洗淨製程設備 第13章　封裝製程設備