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書名: 半導體製程概論(第五版)5/e (5版)
作者: 李克駿、李克慧
版次: 5
ISBN: 9786263284579
出版社: 全華
出版日期: 2023/05
書籍開數、尺寸: 19x26x2.04
重量: 0.74 Kg
頁數: 408
內文印刷顏色: 單色
#工程
#電子與電機
#電子材料/元件與製造技術
#半導體
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半導體製程概論(第五版)5/e (5版)

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半導體製程概論 ISBN13：9786263284579 出版社：全華圖書 作者：李克駿;李克慧;李明逵 裝訂／頁數：平裝／408頁 規格：26cm*19cm*1.5cm (高/寬/厚) 重量：731克 版次：5 出版日：2023/06/09 內容簡介 全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。 目錄 前言 半導體與積體電路之發展史 0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History) 0-2 電晶體 (Transistor) 0-3 積體電路 (Integrated Circuit) 0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes) 第一篇 半導體材料與物理 第1章 晶體結構與矽半導體物理特性 1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic) 1-2 晶體結構 (Crystal Structure) 1-3 物質導電性 (Material Conductivity) 1-4 本質矽，質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law) 1-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 第2章 半導體能帶與載子傳輸 2-1 能帶 (Energy Band) 2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance) 2-3 載子傳輸 (Carrier Transport) 第3章 化合物半導體晶體結構與物理特性 3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors) 3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide) 3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride) 3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide) 3-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si) 第二篇 半導體元件 第4章 半導體基礎元件 4-1 二極體 (Diode) 4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor) 4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 4-4 互補型金氧半場效電晶體 (CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory) 4-6 電阻 (Resistor) 4-7 電容 (Capacitor) 4-8 電感 (Inductor) 第5章 接面能帶圖與費米能階 5-1 半導體狀態密度 (Density of States) 5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor) 5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors) 5-4 接面能帶圖與費米能階 (Fermi Level and Junction Band Diagram) 第6章 積體電路製程與佈局 6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology) 6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology) 6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit) 6-4 設計原則 (Design Rules) 6-5 佈局 (Layout) 第7章 半導體元件縮小化與先進奈米元件 7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET) 7-2 短通道效應 (short-channel effects) 7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET) 7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET) 7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC) 第8章 高速與高功率電晶體 8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) 8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor) 8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor) 8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 第9章 半導體光電元件 9-1 發光二極體 (light emitting diode) 9-2 有機發光二極體 9-3 雷射二極體 (Laser Diode) 9-4 光感測器 (Photodetector) 9-5 太陽電池(Solar Cell) 第三篇 積體電路製程與設備 第10章 矽晶棒之生長 10-1 原料配製 (Starting Materials) 10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth) 10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth) 10-4 晶體缺陷（Crystal Defects） 第11章 矽晶圓之製作 11-1 晶體方向（Crystal Orientation） 11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing) 11-3 十二吋晶圓效益分析（Benefit Analysis of 12 Inch wafer） 第12章 化合物半導體晶棒生長 12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth) 12-2 氮化鎵晶棒生長 (Gallium Nitride Ingot Growth) 12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth) 第13章 矽磊晶生長 ...

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【簡介】 　　半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。 　　在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。 【目錄】 序 致謝 第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇 0.1 設備維修該有的認知及態度 0.2 設備安全標示的認識 0.2.1 設備安全標示的認識 0.2.2 個人防護裝備的認識 0.3 設備機電系統的定義及分類 類比控制系統 數位控制系統 0.4 設備控制系統 0.5 常見電路圖圖示認識 0.6 半導體導論 參考資料 第一章 擴散設備（Diffusion）篇 1.1 爐管（Furnace） 1.1.1 爐管設備系統架構 1.1.2 爐管製程介紹 1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹 1.1.4 經驗分享 1.2 離子植入（Ion Implant） 1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介 1.2.4 離子植入製程後的監控與量測 1.2.5 離子植入機操作注意事項 1.2.6 離子植入製程問題討論與分析 參考文獻 101 第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法 2.1.1 濕式清洗的目的 2.1.2 濕式蝕刻的目的 2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響 2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術 2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨 2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除 2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術 2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術 2.3 化學品供應系統 2.3.1 化學品分類 2.3.2 化學品供應系統 2.4 wet bench結構與循環系統 2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構 2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統 2.4.3 循環系統與乾燥系統 參考文獻 第三章 薄膜設備（Thin Films）篇 3.1 電漿（Plasma） 3.1.1 電漿產生的原理 3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器 3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD） 3.2.0 簡介 3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD） 3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD） 3.3.1 熱蒸鍍 3.3.2 電子束蒸鍍 3.3.3 濺鍍 參考文獻 第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇 4.0 前言 4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher） 4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors） 4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹 4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE） 4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE） 4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE） 4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors） 4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC） 4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP） 4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR） 4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP） 4.2 晶圓固定與控溫設備 4.3 終點偵測裝置（End point detectors） 4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes） 4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較 4.4.2 乾式蝕刻機制 4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象 4.4.4 各式製程蝕刻說明 4.5 總結 參考文獻 第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇 5.1 前言 256 5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer） 5.2.1 光阻塗佈系統（Coater） 5.2.2 顯影系統（Developer） 5.3 曝光系統（Exposure System） 5.3.1 光學微影（Optical Lithography） 5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography） 5.4 現在與未來 5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography） 5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography） 5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography） 5.5 工作安全提醒 參考文獻 第六章 研磨設備（Polishing）篇 6.1 前言 6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP） 6.2.1 研磨頭 6.2.2 研磨平臺 6.2.3 研磨漿料控制系統 6.2.4 清洗／其他 6.3 研磨漿料 6.4 化學機械研磨製程中常見的現象 6.5 化學機械研磨常用的化學品 參考文獻 第七章 IC製造概述篇 7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow） 前段製程（FEOL） 後段製程（BEOL） 7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹 四種基本及重要的電荷 高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve） 7.3 鰭式電晶體元件製造流程（FinFET Device Process Flow） PMOS鰭式場效應電晶體（PMOS bulk FinFET）製造流程 7.4 碳化矽高功率元件（SiC Power Device）—接面位障蕭特基二極體（Junction Barrier Schottky Diode, JBSD）製造流程 7.5 氮化鎵功率元件製造流程（GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow） 參考文獻 第八章 控制元件檢測及維修篇 8.1 簡介 8.2 維修工具的使用 8.2.1 一般性維修工具組 8.2.2 三用電表的使用 8.2.3 示波器 （oscilloscope）的使用 8.2.4 數位邏輯筆的使用 8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器 8.3.1 電源供應器（Power Supply） 8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller） 8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping motor） 8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC） 8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve） 8.3.6 感測器（Sensor） 8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC） 參考文獻 索引

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機械製造 ISBN13：9789864632473 出版社：全華圖書 作者：孟繼洛 主編;孟繼洛;傅兆章;許源泉;黃聖芳;李炳寅;翁豐在;黃錦鐘;林守儀;林瑞璋;林維新;馮展華;胡毓忠;楊錫杭 編著 裝訂：平裝 規格：26cm*19cm*2.4cm (高/寬/厚) 版次：2 出版日：2016/06/01 中國圖書分類：機械工廠 內容簡介 　　本書係由各大學、科技大學、技術學院資深具有多年教學製造相關課程經驗教師，並依專長分工撰寫，再經整合整理使一致化而完成。由於產品眾多，編輯係以基礎之製造方法為始，再繼續根據工業發展，給以自動化及精密化內容說明，內容介紹各種加工技術及相關基本原理、應用方法，並闡述了基本概念及加工技術的特殊方法。配合圖表豐富與本文對照，易讀易懂。適合私大、科大之機械相關科系必修「機械製造」課程之學生研讀或從事機械製造相關產業人員參考。 本書特色 　　1.本書簡明扼要的闡述，加工技術相關基本原理及應用方法。 　　2.各章節劃分清晰，研讀容易，附加習題引導內容重點。 　　3.配合豐富圖表與本文對照，易讀易懂。 　　4.本書係以基礎之製造方法為始，再繼續根據工業發展，給以自動化及精密化內容，以期在修習後能適應業界需求。 　　 　　 目錄 第1章 概 論 1-1 機械製造的意義 1-2 機械製造的發展 1-3 製造自動化的演進 1-4 製造的系統 1-5 基本製造方法 1-6 產品發展的趨勢 1-7 機械製造未來的發展 1-7-1 在材料選用上 1-7-2 在方法的選擇上 1-7-3 在製造技術的觀念上 習 題 第2章 鑄造工程 2-1 簡 介 2-1-1 鑄造的定義 2-1-2 鑄造工程內容 2-1-3 鑄造廠設備 2-1-4 鑄造廠應用材料 2-2 鑄造金屬的性質 2-2-1 金屬凝固組織 2-2-2 鑄造性 2-3 砂模鑄造 2-3-1 鑄砂 2-3-2 砂模種類 2-3-3 砂模基本組成 2-4 特殊鑄造法 2-4-1 精密鑄造法 2-4-2 離心鑄造法 2-4-3 壓鑄法 2-4-4 永久模鑄造法 2-4-5 低壓鑄造法 2-4-6 消失模鑄造法 2-4-7 其他特殊鑄造法 2-4-8 鑄造方法選擇的原則 2-5 鑄造清理和檢驗 2-5-1 鑄件清理及後處理 2-5-2 鑄件熱處理 2-5-3 鑄件檢驗 2-5-4 鑄件缺陷及預防 習 題 參考文獻 第3章 塑性加工 3-1 塑性加工概說 3-1-1 塑性加工的意義與方法 3-1-2 塑性加工的特色與應用 3-1-3 塑性加工的基本原理 3-2 滾軋加工 3-2-1 滾軋意義與分類 3-2-2 滾軋基本原理 3-2-3 滾軋設備 3-2-4 滾軋實務 3-3 鍛造加工 3-3-1 鍛造的意義與分類 3-3-2 鍛造的製程 3-3-3 鍛造設備 3-3-4 鍛造方法與缺陷 3-4 擠伸加工 3-4-1 擠伸的意義與分類 3-4-2 擠伸的流動變形與方法 3-4-3 擠伸機具 3-4-4 擠伸製程與缺陷 3-5 抽拉加工 3-5-1 抽拉意義 3-5-2 抽拉的製程 3-5-3 抽拉機具 3-6 沖壓加工 3-6-1 沖壓加工的意義 3-6-2 沖剪加工 3-6-3 彎曲加工 3-6-4 引伸加工 3-6-5 壓縮加工 3-6-6 成形加工 3-6-7 特殊沖壓成形 習 題 參考文獻 第4章 接合加工 4-1 接合加工的分類 4-2 銲接的定義與分類 4-3 氣體銲接 4-4 電弧銲 4-4-1 遮蔽金屬電弧銲 4-4-2 氣體鎢極電弧銲 4-4-3 氣體金屬極電弧銲 4-4-4 包藥銲線電弧銲 4-4-5 潛弧銲 4-4-6 植釘銲法 4-4-7 電離氣電弧銲 4-5 電阻銲 4-5-1 電阻點銲法 4-5-2 電阻浮凸銲法 4-5-3 電阻縫銲法 4-5-4 端壓銲法 4-5-5 閃光銲 4-5-6 衝擊銲 4-6 固態銲接 4-6-1 摩擦銲接 4-6-2 爆炸銲接 4-6-3 超音波銲接 4-6-4 高週波銲接法 4-7 軟銲與硬銲 4-7-1 軟銲 4-7-2 硬銲 4-8 特殊銲接法 4-8-1 雷射光銲接 4-8-2 電子束銲接 4-8-3 電熔渣銲接與電熱氣銲接 4-8-4 鋁熱料銲接 4-9 黏著劑接合法 習 題 參考文獻 第5章 切削加工 5-1 緒 論 5-2 切削力學與能量 5-3 切屑的型態 5-3-1 連續式切屑 5-3-2 具有加積屑的連續式切屑 5-3-3 不連續式切屑 5-3-4 鋸齒形切屑 5-3-5 斷屑器 5-4 切削溫度 5-5 刀具壽命 5-5-1 刀具的基本幾何角度 5-5-2 刀具的磨耗形式 5-5-3 刀具壽命的標準 5-5-4 刀具壽命 5-6 表面粗糙度 5-7 切削劑 5-8 刀具材料 5-9 切削方法 5-9-1 車削 5-9-2 銑削加工 5-9-3 鑽削加工 習 題 參考文獻 第6章 非傳統與微細加工 6-1 放電加工簡介 6-1-1 放電加工基本原理 6-1-2 加工參數的選取 6-1-3 線切割放電加工機 6-1-4 微放電與陣列加工 6-1-5 多電極的加工 6-1-6 線切割放電研磨 6-1-7 放電微細加工應用實例 6-2 精密無心研磨 6-3 超音波加工 6-3-1 超音波輔助電鑄 6-3-2 電解與電鑄原理 6-3-3 電鍍實驗 6-4 超音波輔助電解 6-5 精密化學蝕刻加工實例 6-6 雷射加工與準分子雷射的應用 6-6-1 特殊結構加工方法簡述 6-6-2 雷射加工的基本操作概念 6-6-3 技術特性 6-6-4 特殊圖案加工實例 6-6-5 微細加工應用 習 題 參考文獻 第7章 粉末冶金 7-1 粉末冶金的特徵 7-2 粉末冶金法的製程 7-3 燒結機構 7-4 粉末冶金法的種類 7-4-1 無加壓成形法 7-4-2 高溫成形法 7-4-3 擠出成形法 7-4-4 均壓成形法 7-5 粉末冶金用模具的基本結構 7-6 粉末冶金成形機的種類與構造 7-7 壓縮成形用模具 7-8 粉末冶金成形實例 習 題 參考文獻 第8章 表面處理 8-1 表面概說 8-1-1 表面的構成與影響 8-1-2 表面失效 8-2 表面改質概說 8-2-1 表面改質的意義與目標 8-2-2 表面改質的過程與方法 8-3 機械法 8-3-1 機械磨光 8-3-2 滾磨法 8-3-3 噴擊法 8-3-4 擠光法 8-4 化學法 8-4-1 酸洗 8-4-2 電解研磨 8-4-3 化學研磨 8-5 冶金法 8-5-1 火焰硬化法 8-5-2 高週波硬化法 8-5-3 滲碳法 8-5-4 氮化法 8-6 金屬被覆法 8-6-1 電 鍍 8-6-2 金屬噴敷 8-6-3 蒸著法 8-7 無機被覆法 8-7-l 化成覆層 8-7-2 陽極處理 8-7-3 著色處理 8-7-4 琺瑯處理 8-8 有機被覆法 8-8-1 塗 裝 8-8-2 塑膠加襯 習 題 參考資料 第9章 非金屬成形 9-1 前 言 9-2 塑膠成形 9-2-1 塑膠的優缺點 9-2-2 常用的成形法 9-3 複合材料的成形 9-3-1 FRP的特色與成形品 ...

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