書名: 矽晶圓半導體材料技術(第七版)(精裝本)7/e (7版)
作者: 林明獻
版次: 7
ISBN: 9786263284104
出版社: 全華
出版日期: 2023/01
書籍開數、尺寸: 19x26x3.08
重量: 1.32 Kg
頁數: 616
內文印刷顏色: 單色
#工程
#電子與電機
#微電子技術與積體電路
定價: 680
售價: 598
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矽晶圓半導體材料技術 ISBN13:9786263284104 出版社:全華圖書 作者:林明獻 裝訂:軟精 規格:26cm*19cm*3cm (高/寬/厚) 版次:7 出版日:2023/03/01 中文圖書分類:電子工程 內容簡介 由於矽晶圓材料是半導體工業的基礎,因此從事半導體領域之學術研究與工程人員,都必須深入的瞭解矽晶圓的基本性質與製造過程。 因此本書內容上採深入淺出的方式敘述,除了介紹矽晶圓工業的歷史演進與產業現況之外,尚包含了以下單元:矽晶的基本性質、多晶矽的製造技術、單晶生長、矽晶缺陷、矽晶之加工成型、性質檢測等單元。 作者將本書的重點放在矽晶圓製造流程的介紹上。適用於晶圓半導體材料技術有興趣之讀者及相關從業人員。 本書特色 1.本書為國內第一本介紹矽晶圓材料的專業參考書籍。 2.詳細介紹矽晶的基本性質,矽晶圓材料的製造流程、矽晶圓缺陷控制以及矽晶圓性質檢測等單元,是一本從事半導體領域之學術研究與工程人員必備的專業書籍。   目錄 CH1 緒論 CH2 矽晶的性質 2-1 結晶性質 2-2 半導體物理與矽晶的電性 2-3 矽的光學性質 2-4 矽的熱性質 2-5 矽的機械性質 CH3 多晶矽原料的生產技術 3-1 塊狀多晶矽製造技術-西門子方法 3-2 塊狀多晶矽製造技術-AsiMi方法 3-3 粒狀多晶矽製造技術 CH4 單晶生長 4-1 單晶生長理論 4-2 CZ矽晶生長法(Czochralski Pulling) 4-3 MCZ矽單晶生長法 4-4 CCZ矽單晶生長法 4-5 FZ矽單晶生長法 CH5 矽晶圓缺陷 5-1 CZ矽晶的點缺陷與微缺陷 5-2 氧析出物(Oxygen Precipitation) 5-3 OISF(Oxidation Induced Stacking Faults) CH6 矽晶圓之加工成型 6-1 切斷(Cropping) 6-2 外徑磨削(OD Grinding) 6-3 方位指定加工─平邊V-型槽(Flat & Notch Grinding) 6-4 切片(Slicing) 6-5 圓邊(Edge Rounding) 6-6 研磨(Lapping) 6-7 雙盤研磨(Double Disk Grinding, DDG) 6-8 蝕刻(Etching) 6-9 拋光(Polishing) 6-10 清洗(Cleaning) 6-11 矽晶圓的背面處理 CH7 矽磊晶生長技術 7-1 CVD 基本原理 7-2 矽磊晶的生長 7-3 矽磊晶的性質 CH8 矽晶圓性質之檢驗 8-1 PN 判定 8-2 電阻量測 8-3 結晶軸方向檢定 8-4 氧濃度的測定 8-5 Lifetime量測技術 8-6 晶圓缺陷檢驗與超微量分析技術 8-7 晶圓表面微粒之量測 8-8 金屬雜質之量測 8-9 平坦度之量測 CH9 矽晶圓在半導體上的應用 9-1 記憶體(Memory) 9-2 邏輯積體電路(Logic IC) 9-3 功率半導體元件(Power Semiconductor Device) 附錄A 晶格幾何學 附錄B 基本常數 附錄C 矽的基本性質 附錄D 矽晶圓材料及半導體工業常用名詞之解釋 附錄E 矽晶圓片的重要規格參數

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基本電學(第十版) (10版)

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基本電學 ISBN13:9786263284586 出版社:全華圖書 作者:賴柏洲 裝訂/頁數:平裝/664頁 規格:26cm*19cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次:10 出版日:2023/06/01 內容簡介 本書特色 1.本書作者以其多年的教學經驗,參考國內外之基本電學、電路學電路分析方面的書籍,並加上個人教學心得,編纂而成此書。 2.本書詳盡的介紹基本電學之基本定理與定義,是進入電子學、電路學之領域不可或缺的一本入門書。 3.各章加入生活中的電學應用─電學愛玩客,介紹藍牙、太陽能電池、光纖等,祈使讀者更能靈活思考基本電學之應用。 內容簡介 本書循序漸進的介紹基本電學知識,並在每一個定理、定義、敘述之後,均有例題加以說明,幫助讀者迅速的瞭解本書內容,奠定將來學習電子學、電路學及其它亦專業課程的基本觀念,是本非常好的基本電學入門教科書。

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