半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)

【中文翻譯書】書名：半導體元件物理與製作技術第三版原文書名：Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E 作者:　施敏、李明逵譯者：曾俊元出版社：國立交通大學出版日期：2013/08 ISBN：9789866301568 內容簡介　　施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。　　本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。　　由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。　　為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。

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半導體元件物理學第四版（上冊） (4版)

半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社作者：施敏;李義明;伍國珏譯者：顧鴻壽;陳密裝訂／頁數：平裝／688頁規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程內容簡介最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。 Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）第四版特色 1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。 2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。 3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。 4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。目錄【第一部分半導體物理】第一章半導體物理及特性──回顧篇 1.1 簡介 1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度 1.5 載子傳輸現象 1.6 聲子、光和熱特性 1.7 異質接面與奈米結構 1.8 基本方程式與範例【第二部分元件建構區塊】第二章 p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰 2.5 暫態行為與雜訊 2.6 終端功能 2.7 異質接面第三章金屬—半導體接觸 3.1 簡介 3.2 位障的形成 3.3 電流傳輸過程 3.4 位障高度的量測 3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸第四章金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸【第三部分電晶體】第五章雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性 5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應第六章金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體第七章非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units) C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性 K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現索引

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半導體元件物理學第四版（下冊） (4版)

半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社作者：施敏;李義明;伍國珏譯者：顧鴻壽;陳密裝訂／頁數：平裝／688頁規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程上冊目錄目錄【第一部分半導體物理】第一章半導體物理及特性──回顧篇 1.1 簡介 1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度 1.5 載子傳輸現象 1.6 聲子、光和熱特性 1.7 異質接面與奈米結構 1.8 基本方程式與範例【第二部分元件建構區塊】第二章 p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰 2.5 暫態行為與雜訊 2.6 終端功能 2.7 異質接面第三章金屬—半導體接觸 3.1 簡介 3.2 位障的形成 3.3 電流傳輸過程 3.4 位障高度的量測 3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸第四章金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸【第三部分電晶體】第五章雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性 5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應第六章金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體第七章非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units) C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性 K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現索引半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社作者：施敏;李義明;伍國珏譯者：顧鴻壽;陳密裝訂／頁數：平裝／592頁規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程下冊目錄序言譯者序一譯者序二導論第八章接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體第四部分負電阻以及功率元件第九章穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體第十章衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件第十一章閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件第五部分光子元件和感應器第十二章發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射第十三章光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池第十四章感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現索引

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半導體製程設備技術 (3版)

【簡介】　　半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。　　在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。【目錄】序致謝第○章設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇 0.1 設備維修該有的認知及態度 0.2 設備安全標示的認識 0.2.1 設備安全標示的認識 0.2.2 個人防護裝備的認識 0.3 設備機電系統的定義及分類類比控制系統數位控制系統 0.4 設備控制系統 0.5 常見電路圖圖示認識 0.6 半導體導論參考資料第一章擴散設備（Diffusion）篇 1.1 爐管（Furnace） 1.1.1 爐管設備系統架構 1.1.2 爐管製程介紹 1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹 1.1.4 經驗分享 1.2 離子植入（Ion Implant） 1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介 1.2.4 離子植入製程後的監控與量測 1.2.5 離子植入機操作注意事項 1.2.6 離子植入製程問題討論與分析參考文獻 101 第二章濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法 2.1.1 濕式清洗的目的 2.1.2 濕式蝕刻的目的 2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響 2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術 2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨 2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除 2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術 2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術 2.3 化學品供應系統 2.3.1 化學品分類 2.3.2 化學品供應系統 2.4 wet bench結構與循環系統 2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構 2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統 2.4.3 循環系統與乾燥系統參考文獻第三章薄膜設備（Thin Films）篇 3.1 電漿（Plasma） 3.1.1 電漿產生的原理 3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器 3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD） 3.2.0 簡介 3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD） 3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD） 3.3.1 熱蒸鍍 3.3.2 電子束蒸鍍 3.3.3 濺鍍參考文獻第四章乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇 4.0 前言 4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher） 4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors） 4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹 4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE） 4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE） 4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE） 4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors） 4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC） 4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP） 4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR） 4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP） 4.2 晶圓固定與控溫設備 4.3 終點偵測裝置（End point detectors） 4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes） 4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較 4.4.2 乾式蝕刻機制 4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象 4.4.4 各式製程蝕刻說明 4.5 總結參考文獻第五章黃光微影設備（Photolithography）篇 5.1 前言 256 5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer） 5.2.1 光阻塗佈系統（Coater） 5.2.2 顯影系統（Developer） 5.3 曝光系統（Exposure System） 5.3.1 光學微影（Optical Lithography） 5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography） 5.4 現在與未來 5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography） 5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography） 5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography） 5.5 工作安全提醒參考文獻第六章研磨設備（Polishing）篇 6.1 前言 6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP） 6.2.1 研磨頭 6.2.2 研磨平臺 6.2.3 研磨漿料控制系統 6.2.4 清洗／其他 6.3 研磨漿料 6.4 化學機械研磨製程中常見的現象 6.5 化學機械研磨常用的化學品參考文獻第七章 IC製造概述篇 7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow）前段製程（FEOL）後段製程（BEOL） 7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹四種基本及重要的電荷高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve） 7.3 鰭式電晶體元件製造流程（FinFET Device Process Flow） PMOS鰭式場效應電晶體（PMOS bulk FinFET）製造流程 7.4 碳化矽高功率元件（SiC Power Device）—接面位障蕭特基二極體（Junction Barrier Schottky Diode, JBSD）製造流程 7.5 氮化鎵功率元件製造流程（GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow）參考文獻第八章控制元件檢測及維修篇 8.1 簡介 8.2 維修工具的使用 8.2.1 一般性維修工具組 8.2.2 三用電表的使用 8.2.3 示波器（oscilloscope）的使用 8.2.4 數位邏輯筆的使用 8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器 8.3.1 電源供應器（Power Supply） 8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller） 8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping motor） 8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC） 8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve） 8.3.6 感測器（Sensor） 8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC）參考文獻索引

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電磁干擾防治與量測9/e (9版)

電磁干擾防治與量測(第九版) 作(譯)者：董光天出版商：全華出版日：2021/4/13 ISBN(13碼)：9789865035587 書號：0501908 線膠 / 656頁 / 16 K / 單色 ■ 本書特色 1.以問答方式結合理論與實務，一一解答。 2.逐次深入應用到各種EMI防制方法。 3.本書先介紹基礎理論應用分析，再就電磁干擾各項問題為防患未然，以防制工作為主，而量測為輔。 4.內容將電磁干擾防制工作列為重點，而量測在找出電磁干擾問題在與驗證裝備所定電磁干擾規格是否合格。 ■ 內容簡介作者有累積多年在電磁干擾量測與電磁調合方面的工作經驗，全書以Q/A方式書寫計一千題，共分為八大章從1.基礎理論應用分析2.結合、濾波、接地、隔離防制工作3.電路版電磁干擾防制4.元件、模組、電路電磁干擾防制5.裝備系統電磁干擾分析與防制6.輻射傷害7.量測儀具、設施、方法8.量測誤差9. 5G vs H.F.I.M.。此版新增第九章關於5G的認知與高頻電路阻抗匹配的重要性。內容深入淺出結合理論與實務逐一問答方式，使讀者對想知道的問題立即獲得答案，以達到事半功倍的作用。 ■ 目錄第1章　基礎理論應用與分析1-1 1.1　電磁波輻射特性分析1-1 1.2　天線概論1-5 1.3　電磁干擾量測專用單位1-9 1.4　絕緣體與導體1-12 1.5　電阻、電感、電容R.L.C.頻率響應1-14 1.6　電阻、電感、電容本體雜訊分析1-15 1.7　隔離度VS金屬板1-20 1.8　隔離材質的效益1-23 1.9　暫態突波1-26 1.10 　發射接收系統干擾模式分析1-29 1.11 　干擾現象物理分析1-32 1.12 　光　纖1-37 第2章　結合、濾波、接地、隔離防制工作2-1 2.1　結合2-1 2.2　濾　波2-6 2.3　接　地2-29 2.4　隔　離2-55 第3章　電路板電磁干擾防制3-1 3.1　PCB問題重點分析3-1 3.2　繞線板、單層板、多層板3-3 3.3　背板與母板3-6 3.4　PCB Trace電場、磁場干擾耦合3-10 3.5　PCB trace EMI防制方法3-12 3.6　PCB trace及cable EMI防制3-17 3.7　PCB電路中decoupling capacitor應用3-22 3.8　PCB旁路及去耦合電容及大型電容應用3-23 3.9　PCB佈線與接地3-25 3.10　PCB端點阻抗反射干擾3-29 3.11　PCB數位邏輯電路(clock ckt)3-30 3.12　PCB數位及類比電路EMI防制設計3-35 3.13　PCB介面輸出入線(I/O)3-40 3.14　PCB CM、DM雜訊輻射量3-44 3.15　PCB特殊構形設計EMI防制3-46 第4章　元件、模組、電路電磁干擾防制4-1 4.1　二極體及功率晶體干擾防制4-1 4.2　接　頭4-3 4.3　類比、數位主動元件耐受度4-7 4.4　類比、數位放大器干擾分析4-12 4.5　類比裝置耐受性及防制方法4-17 4.6　數位裝置耐受性及防制方法4-19 4.7　顯示器EMI防制4-22 4.8　暫態突波防制4-24 4.9　電路EMI問題診斷4-27 4.10 　EMI問題診斷法4-29 第5章　裝備系統電磁干擾分析與防制5-1 5.1　系統內、系統間EMI分析與防制5-1 5.2　通訊發射與接收電磁干擾分析5-8 5.3　系統內與系統間電磁調和設計5-15 5.4　電子裝備系統EMI防制工作重點5-20 5.5　隔離、結合、濾波、接地、佈線工作目的5-23 5.6　光纖干擾問題5-25 第6章　輻射傷害6-1 6.1　ESD防制6-1 6.2　PCB靜電防制(ESD)6-4 6.3　觸電傷害6-7 6.4　射頻輻射傷害6-9 6.5　手機輻射傷害6-13 6.6　高壓線附近輻射場強6-15 6.7　基地台及家電用品輻射場強傷害6-17 第7章　量測儀具、設施、方法7-1 7.1　EMI量測工作執行條件需知？7-1 7.2　頻譜儀與接收機7-6 7.3　EMI量測儀具7-10 7.4　隔離室與微波暗室7-17 7.5　戶內、戶外測試場功能比較7-20 第8章　量測誤差8-1 8.1　EMI量測誤差8-1 8.2　量測誤差值與可信度關係8-6 第9章　5G vs H.F.I.M.　9-1 附錄1　電子系統發射接收干擾與防制分析評估附1-1 附A　電子系統干擾定義與現象附1-2 附B　電子系統裝備干擾分析評估附1-3 附C　電子系統EMI防制工作方法附1-12 附D　電子系統電磁調和干擾防制附1-16 附E　總結電子系統電磁調和附1-16 附F　系統間＋系統內干擾分析範例說明附1-16 附G　系統間＋系統內干擾分析防制說明附1-30 附H　電磁電子能量互換模式演算附1-32 附I　頻率頻寬耦合模式範例演算附1-37 附J　電磁波發射與接收近遠場效應分析附1-40 附錄2　電子產品檢測規格限制值訂定緣由研析附2-1 附A　實務應用附2-1 附B　各項規格限制值訂定緣由分析(M-S-461E)附2-3 附C　結論附2-19 附D　參考文獻附2-19 附錄3　微波暗室設計與量測錯誤值校正附錄4　軍規、商規EMI/EMC CE量測比較與CE/RE低頻量測關連互換性研析附錄5　接收機頻道內、鄰近頻道、頻道外抗干擾(CS)檢測特性簡介附A 接收機頻道內混附波(IMI)干擾特性簡介(CS03) 附B 接收機鄰近頻道雜訊(Cross modulation)干擾特性簡介(CS05) 附C 接收機頻道外雜訊(Rejection of Undesired Signal)干擾特性簡介(CS04) 附錄6 數位信號通訊系統錯率分析與防治附A 數位通訊系統錯率形成相關參數關連性研析附B 數位通訊錯率電路板層次電磁干擾防治工作附C 數位通訊錯率除錯工作需求附錄7 本書首頁自序與摘要內容章節與附錄1至6摘要內容章節中譯英全文

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半導體製程技術導論 (4版)

【簡介】本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。 1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。【目錄】第一章導論 1.1 簡史 1.2 概述 1.3 本章總結習題參考文獻第二章積體電路製程介紹 2.1 IC製程簡介 2.2 IC的良率 2.3 無塵室技術 2.4 IC晶圓廠的基本結構 2.5 IC測試與封裝 2.6 近期的發展 2.7 本章總結習題參考文獻第三章半導體基礎 3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 IC晶片 3.4 IC基本製程 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 3.7 本章總結習題參考文獻第四章晶圓製造、磊晶成長和基板工程 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷 4.4 從矽砂到晶圓 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 未來趨勢 4.8 本章總結習題參考文獻第五章加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備 5.3 氧化製程 5.4 擴散 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程近年發展 5.9 本章總結習題參考文獻第六章微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻 6.3 微影製程 6.4 微影技術的發展趨勢 6.5 其他微影製程方法 6.6 極紫外光(EUV)微影技術 6.7 安全性 6.8 本章總結習題參考文獻第七章電漿製程 7.1 簡介 7.2 電漿基本概念 7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.9 遠距電漿製程 7.10 高密度電漿(HDP)製程 7.11 本章總結習題參考文獻第八章離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備 8.4 離子佈植製程 8.5 安全性 8.6 近年發展及應用 8.7 本章總結習題參考文獻第九章蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎 9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量 9.8 最新進展 9.9 本章總結習題參考文獻第十章化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG) 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔 10.9 新千禧年的介電質材料 10.10 本章總結習題參考文獻第十一章金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜 11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程 11.7 最新進展 11.8 安全性 11.9 本章總結習題參考文獻第十二章化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程 12.6 CMP製程近年發展 12.7 本章總結習題參考文獻第十三章半導體製程整合 13.1 簡介 13.2 晶圓準備 13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 高k金屬閘極MOSFET 13.7 連線技術 13.8 鈍化 13.9 本章總結習題參考文獻第十四章 IC製程技術 14.1 簡介 14.2 1980年代CMOS製程流程 14.3 1990年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程 14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結習題參考文獻第十五章 3D IC元件的製造過程 15.1 引言 15.2 埋入式閘極字元線DRAM 15.3 3D-NAND 快閃記憶體 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造 15.5 本章總結習題參考文獻第十六章總結與未來趨勢參考文獻

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CMOS電路設計與模擬－使用LTspice(附範例光碟)

CMOS電路設計與模擬－使用LTspice(附範例光碟) ISBN13：9789865037765 出版社：全華圖書作者：鍾文耀裝訂／頁數：平裝／216頁規格：26cm*19cm (高/寬) 重量：430克出版日：2021/06/11 中國圖書分類：電子工程內容簡介本書共分六章，採循序漸進、由淺入深的方式讓讀者瞭解LTspice強大的功能與應用。第一章在說明什麼是IC設計、SPICE基礎的核心分析功能及LTspice軟體安裝；第二章在講解元件符號定義、元件工作原理，並以直流分析之模擬實例來解說；第三章主要探討數位積體電路的核心基礎電路，以及反相器的直流特性分析；第四章探討時變訊號饋入數位邏輯閘的時間領域暫態分析，並利用LTspice協助進行數位邏輯閘動態參數的萃取與測試電路驗證；第五章說明MOS元件的小訊號等效模型的建立；第六章主要是將前面所學的直流、暫態與交流分析基礎，繼續利用LTspice進行實際之數位與類比子電路分析。本書適用於大學、科大資工、電子、電機系「積體電路分析與模擬」、「電腦輔助電路設計」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。目錄 1章　IC設計與SPICE綜論 1-1　什麼是IC設計 1-2　為什麼要使用SPICE 1-3　LTspice軟體安裝 1-4　結論與延伸閱讀資料 1-5　習題及SPICE實作 2章　LTspice快速入門指引 2-1　視窗功能簡介 2-2 文字網表之結構 2-3 重疊定理之應用 2-4 SPICE分析之應用探討 2-5 結論與延伸閱讀資料 2-6 習題及SPICE實作 3章　MOS元件及反相器之直流分析 3-1 簡介 3-2 MOS元件特性分析 3-3 理想反相器特性 3-4 反相器直流效能參數 3-5　反相器MOSFET尺寸計算 3-6　.SUBCKT子電路概念 3-7　結論與延伸閱讀資料 3-8　習題及SPICE實作 4章　標準電路元之特性分析 4-1 簡介 4-2 激勵信號與時變波形描述 4-3 暫態與時間參數分析 4-4 .measure敘述與應用 4-5 環形振盪器分析 4-6 結論與參考資料 4-7 習題及SPICE實作 5章　SPICE之交流分析 5-1 AC分析簡介 5-2 放大器模型建置 5-3 小訊號模型與交流分析 5-4 波德圖與頻率響應分析 5-5　AC分析敘述與應用 5-6 放大器交流分析範例 5-7 結論與延伸閱讀資料 5-8 習題及SPICE實作 6章　核心電路之SPICE分析與探討 6-1 非重疊二相時脈產生器 6-2 類比式比較器之分析 6-3 電流鏡之特性分析 6-4 偏壓電路及帶隙參考電路分析 6-5 9-bit數位類比放大器分析 6-6 結論與延伸閱讀資料 6-7 習題及SPICE實作

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先進微電子3D-IC構裝 (5版)

【簡介】先進3D-IC構裝設計在微電子領域展現出多項顯著優勢。透過垂直堆疊多層積體電路（IC），該技術實現在更小空間內達成更高的元件整合，優化空間利用，並打造更加緊湊與高效的電子構裝。此方法能有效縮短互連距離，提升訊號傳輸速度，同時降低能耗。此外，3D-IC構裝允許異質整合，使得各種功能晶片（如邏輯、記憶體及感測器）能夠在單一平台上結合，進一步提升系統性能與功能，尤其適用於高性能計算（HPC）、人工智慧（AI）、行動設備及物聯網（IoT）等領域的創新應用。總體而言，先進的3D-IC構裝為微電子構裝技術開闢了提升性能、提高能效及增加設計靈活性的全新途徑。鑑於近年來CoWoS技術、扇出型晶圓級構裝（FOWLP）等技術的快速發展，以及半導體構裝測試廠（OSATS）和晶圓代工廠（Foundry）廣泛採用3D-IC解決方案，本書將反映這些快速演變的趨勢及其對業界的影響。【目錄】目　錄推薦序一推薦序二致　謝序　文第一章微電子構裝技術概論 1. 前言 2. 電子構裝之基本步驟 3. 電子構裝之層級區分 4. 晶片構裝技術之演進 5. 參考資料第二章覆晶構裝技術 1. 前言 2. 覆晶構裝技術（Flip Chip Technology）介紹 3. 其他各種覆晶構裝技術 4. 結論 5. 參考資料第三章覆晶構裝之 UBM 結構及蝕刻技術 1. 前言 2. UBM 結構 3. UBM 濕式蝕刻製程及設備 4. 各種 UBM 金屬層之蝕刻方法及注意事項 5. 結論 6. 參考資料第四章微電子系統整合技術之演進 1. 前言 2. 系統整合技術之演進 3. 電子數位整合之五大系統技術 4. 結論 5. 參考文獻第五章 3D-IC 技術之發展趨勢 1. 前言 2. 構裝技術之演進 3. TSV 製作 3D 晶片堆疊的關鍵技術 4. 結論 5. 參考文獻第六章 TSV 製程技術整合分析 1. 前言 2. 導孔的形成（Via Formation） 3. 導孔的填充（Via Filling） 4. 晶圓接合（Wafer Bonding） 5. 晶圓薄化（Wafer Thinning） 6. 發展 3D 系統整合之各種 TSV 技術 7. 結論 8. 參考文獻第七章 3D-IC 製程之晶圓銅接合應用 1. 前言 2. 晶圓銅接合方式 3. 銅接合的基本性質（Fundamental Properties of Cu Bonding） 4. 銅接合的發展（Cu Bond Development） 5. 結論 6. 參考資料第八章 TSV 銅電鍍製程與設備之技術整合分析 1. 前言 2. TSV 銅電鍍設備（TSV Copper Electroplating Equipment） 3. TSV 銅電鍍製程（TSV Copper Electroplating Process） 4. 影響 TSV 導孔電鍍銅填充之因素（Factors Affecting Copper Plating） 5. 電鍍液之化學成分 6. TSV 電鍍銅製程之需求 7. 結論 8. 參考文獻第九章無電鍍鎳金在先進構裝技術上之發展 1. 前言 2. 無電鍍鎳金之應用介紹 3. 無電鍍鎳金製程問題探討 4. 無電鍍鎳製程 5. 無電鍍（化學鍍）金 6. 結論 7. 參考資料第十章環保性無電鍍金技術於電子產業上之發展 1. 前言 2. 非氰化物鍍液（Non-cyanide Bath）的發展狀況 3. 結論 4. 參考文獻第十一章無電鍍鈀（Electroless Plating Palladium）技術 1. 聯氨鍍液（Hydrazine-based Baths） 2. 次磷酸鹽鍍液（Hypophosphite Based Baths） 3. 使用其他還原劑之鍍液 4. 無電鍍鈀合金 5. 結論 6. 參考文獻第十二章 3D-IC 晶圓接合技術 1. 前言 2. 晶圓對位製程（Wafer Alignment Process） 3. 晶圓接合製程（Wafer Bonding Process） 4. 結論 5. 參考文獻第十三章扇出型晶圓級構裝（Fan-out WLP）之基本製程與發展方向 1. 前言 2. Fan-out WLP 基本製造流程 3. Fan-out WLP 之 RCP 與 eWLP 技術 4. Fan-out WLP 所面臨的挑戰 5. 完全鑄模（Fully Molded）Fan-out WLP 技術 6. Fan-out WLP 的未來發展方向 7. 結論 8. 參考資料第十四章嵌入式扇出型晶圓級或面版級構裝技術 1. 嵌入式晶片（Embedded Chips） 2. FOWLP 的形成（Formation of FOWLP） 3. RDL 製作方法（RDL Process） 4. 圓形或方形重新配置之載具的選擇 5. 介電材料 6. 膠體材料 7. 結論 8. 參考資料第十五章 3D-IC 構裝導線連接技術 1. 前言 2. 3D-IC 構裝堆疊技術比較：C2C、C2W 和 W2W 3. 晶片對晶片（C2C）與晶片對晶圓（C2W）堆疊技術 4. 晶圓對晶圓（W2W）堆疊技術 5. 暫時性鍵合與解鍵合技術應用於薄化晶圓持取與製程（Temporary Bonding and De-bonding for Thin-Wafer Handling and Processing） 6. 結論 7. 參考資料第十六章扇出型面版級構裝技術的演進 1. 前言 2. J-Devices的WFOP技術 3. Fraunhofer的FOPLP技術 4. SPIL的P-FO技術 5. FOPLP技術必須克服的挑戰 6. 結論 7. 參考文獻第十七章 3D-IC異質整合構裝技術 1. 介紹 2. 3D-IC 異質整合技術 3. 結論 4. 參考資料索引

原價: ~~750~~ 售價: 638 現省: 112元

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半導體製造技術 (1版)

【中文翻譯書】書名：半導體製造技術原文書名：Semiconductor Manufacturing Technology 原文作者：Michael Quirk 中文譯者：羅文雄初版日期：2016 出版社：滄海 ISBN：9789867727701 本書特色　 ●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面　皆做完整詳盡的介紹。 ●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。 ●對大專在學學生及實際線上工程師而言，皆是一本優良的課程　教材及技術入門手冊。校閱者簡介劉文超學歷國立成功大學電機工程研究所博士現職國立成功大學電機工程系教授國立成功大學微電子研究所教授許渭州學歷國立成功大學電機工程研究所博士現職國立成功大學電機工程系微電子所所長國立成功大學電機工程系教授國立成功大學微電子研究所教授譯者簡介羅文雄學歷國立成功大學電機工程研究所博士現職國立臺灣海洋大學電機工程系教授蔡榮輝學歷國立成功大學電機工程研究所博士現職國立高雄師範大學物理系副教授鄭岫盈學歷國立成功大學電機工程研究所博士現職亞東技術學院電機工程系助理教授本書目錄　第1章半導體工業簡介第2章半導體材料特性第3章元件技術第4章矽與晶圓準備第5章半導體製造之化學特性第6章半導體製造廠之污染控制第7章量測與缺陷第8章製程反應室之氣體控制第9章 IC製造概述第10章氧化第11章沈積第12章金屬化第13章微影：氣相塗底至軟烤第14章微影：對準與曝光第15章微影：光阻顯影與先進雕像第16章蝕刻第17章離子植入第18章化學機械平坦化第19章晶圓測試第20章裝配與封裝附錄A 化學品及其安全性附錄B 無塵室中的污染控制附錄C 單位附錄D 以氧化物厚度為函數的顏色附錄E 光阻化學品概論附錄F 蝕刻化學品

原價: ~~780~~ 售價: 725 現省: 55元

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半導體製程概論(第五版)5/e (5版)

半導體製程概論 ISBN13：9786263284579 出版社：全華圖書作者：李克駿;李克慧;李明逵裝訂／頁數：平裝／408頁規格：26cm*19cm*1.5cm (高/寬/厚) 重量：731克版次：5 出版日：2023/06/09 內容簡介全書分為五篇，第一篇(1～3章)探討半導體材料之基本特性，從矽半導體晶體結構開始，到半導體物理之物理概念與能帶做完整的解說。第二篇(4～9章)說明積體電路使用的基礎元件與先進奈米元件。第三篇(10～24章)說明積體電路的製程。第四篇(25～26章)說明積體電路的故障與檢測。第五篇(27～28章)說明積體電路製程潔淨控制與安全。目錄前言半導體與積體電路之發展史 0-1 半導體之緣起 (Semiconductor History) 0-2 電晶體 (Transistor) 0-3 積體電路 (Integrated Circuit) 0-4 半導體製程 (Semiconductor Processes) 第一篇半導體材料與物理第1章晶體結構與矽半導體物理特性 1-1 原子模型與週期表 (Atomic Model and Periodic) 1-2 晶體結構 (Crystal Structure) 1-3 物質導電性 (Material Conductivity) 1-4 本質矽，質量作用定律 (Intrinsic Silicon, Mass-action Law) 1-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 第2章半導體能帶與載子傳輸 2-1 能帶 (Energy Band) 2-2 電阻係數與薄片電阻 (Resistivity and Sheet Resistance) 2-3 載子傳輸 (Carrier Transport) 第3章化合物半導體晶體結構與物理特性 3-1 化合物半導體 (Compound Semiconductors) 3-2 砷化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Arsenide) 3-3 氮化鎵晶體結構及能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Gallium Nitride) 3-4 碳化矽晶體結構與能帶 (Crystal Structure and Energy Band of Silicon Carbide) 3-5 摻雜質，負型和正型 (Dopant, n-type and p-type) 3-6 砷化鎵、氮化鎵、碳化矽與矽比較 (Comparison of GaAs、GaN、SiC and Si) 第二篇半導體元件第4章半導體基礎元件 4-1 二極體 (Diode) 4-2 雙載子電晶體 (Bipolar Transistor) 4-3 金氧半場效電晶體 (Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor) 4-4 互補型金氧半場效電晶體 (CMOS，Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 4-5 半導體記憶體 (Semiconductor Memory) 4-6 電阻 (Resistor) 4-7 電容 (Capacitor) 4-8 電感 (Inductor) 第5章接面能帶圖與費米能階 5-1 半導體狀態密度 (Density of States) 5-2 純半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Intrinsic Semiconductor) 5-3 摻雜半導體費米分布函數 (Fermi Distribution Function of Doped Semiconductors) 5-4 接面能帶圖與費米能階 (Fermi Level and Junction Band Diagram) 第6章積體電路製程與佈局 6-1 雙載子製程技術 (Bipolar Fabrication Technology) 6-2 金氧半場效電晶體製程技術 (MOSFET Fabrication Technology) 6-3 電路與積體電路 (Circuit and Integrated Circuit) 6-4 設計原則 (Design Rules) 6-5 佈局 (Layout) 第7章半導體元件縮小化與先進奈米元件 7-1 金氧半場效電晶體之縮小化 (Scaling of MOSFET) 7-2 短通道效應 (short-channel effects) 7-3 SOI場效電晶體 (SOI-MOSFET) 7-4 奈米鰭式場效電晶體 (FinFET) 7-5 三維積體電路 (3 Dimensional IC) 第8章高速與高功率電晶體 8-1 砷化鎵金半場效電晶體 (GaAs Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) 8-2 砷化鎵高電子遷移率電晶體 (GaAs High Electron Mobility Transistor) 8-3 氮化鎵高電子遷移率電晶體 (GaN High Electron Mobility Transistor) 8-4 碳化矽金氧半場效電晶體 (SiC Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 第9章半導體光電元件 9-1 發光二極體 (light emitting diode) 9-2 有機發光二極體 9-3 雷射二極體 (Laser Diode) 9-4 光感測器 (Photodetector) 9-5 太陽電池(Solar Cell) 第三篇積體電路製程與設備第10章矽晶棒之生長 10-1 原料配製 (Starting Materials) 10-2 矽晶棒生長 (Silicon Ingot Growth) 10-3 晶體生長時摻雜質之分佈 (Dopants Distribution in Crystal Growth) 10-4 晶體缺陷（Crystal Defects）第11章矽晶圓之製作 11-1 晶體方向（Crystal Orientation） 11-2 晶片方向、切割和拋光 (Orientation、Sawing and Polishing) 11-3 十二吋晶圓效益分析（Benefit Analysis of 12 Inch wafer）第12章化合物半導體晶棒生長 12-1 砷化鎵晶棒生長 (Gallium Arsenide Ingot Growth) 12-2 氮化鎵晶棒生長 (Gallium Nitride Ingot Growth) 12-3 碳化矽晶棒生長 (Silicon Carbide Ingot Growth) 第13章矽磊晶生長 ...

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半導體原理與製程概論 (1版)

【簡介】生活中各種電子產品，都有半導體晶片的存在，舉凡手機、筆記型電腦、電腦螢幕、電視、機器人、智慧手錶等等，半導體技術已成為現代科技之石。本書從最基礎的電學知識介紹，進而針對半導體原理、半導體製程、半導體在生活中的應用有一番認識，接下來對電路設計、半導體產業現況及未來發展，有完整的介紹。本書適合高中職「半導體原理與製程概論」、「半導體概論與應用」課程及對半導體領域有興趣者使用。 1.本書作者為所屬領域專業人士。 2.內容簡潔，必備知識圖文並茂。 3.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹，對加工原理及其應用領域，有初步的認識。 4.半導體產業現況及未來發展，有完整的探討。【目錄】第1章電的科學知識 1-1電學概論 1-2電子元件介紹 1-3常用儀器與設備介紹第2章半導體原理 2-1半導體種類 2-2二極體介紹與工作原理 2-3電晶體介紹與工作原理 2-4積體電路介紹第3章半導體製程 3-1半導體產業介紹 3-2無塵室與晶圓尺寸介紹 3-3重要製程介紹 3-4晶片製作流程 3-5研究發展介紹第4章半導體在生活中的應用 4-1生活中的晶片 4-2晶中片各種應用與功能 4-3晶片訊號的傳輸與處理第5章電路設計 5-1類比電路數位電路 5-2基本還輯閘 5-3布林代數與邏輯電路設計 5-4組合邏輯電路 5-5循序邏輯電路第6章半導體產業的社會面向議題 6-1半導體與臺灣 6-2 臺灣半導體產業生態系 6-3世界半導體產業的代表性廠商 6-4臺灣半導體面臨的各種議題附錄

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半導體製程入門：從零開始了解晶片製造 (1版)

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書名:	半導體製程概論(May：Fundamentals of Semiconductor Fabrication)
作者:	施敏、梅凱瑞
ISBN:	9789866301896
出版社:	國立陽明交通大學出版社
#工程 #電子與電機 #電子材料/元件與製造技術 #半導體

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