半導體元件物理學第四版(下冊) (4版)
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半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
上冊目錄
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
半導體元件物理學第四版(下冊)
ISBN13:9789865470562
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/592頁
規格:23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚)
版次:初
出版日:2022/12/30
中文圖書分類:電子工程
下冊目錄
序言
譯者序一
譯者序二
導論
第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體
8.1 簡介
8.2 JFET 和MESFET
8.3 調變摻雜場效電晶體
第四部分 負電阻以及功率元件
第九章 穿隧元件
9.1 簡介
9.2 穿隧二極體
9.3 相關穿隧元件
9.4 共振穿隧二極體
第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件
10.1 簡介
10.2 衝擊離子化累增渡時二極體
10.3 電子轉移元件
10.4 實空間轉移元件
第十一章 閘流體和功率元件
11.1 簡介
11.2 閘流體基本特性
11.3 閘流體的種類
11.4 其他功率元件
第五部分 光子元件和感應器
第十二章 發光二極體和雷射
12.1 簡介
12.2 輻射躍遷
12.3 發光二極體
12.4 雷射物理
12.5 雷射操作特性
12.6 特殊雷射
第十三章 光偵測器和太陽能電池
13.1 簡介
13.2 光導體
13.3 光二極體
13.4 累增光二極體
13.5 光電晶體
13.6 電荷耦合元件
13.7 金屬-半導體-金屬光偵測器
13.8 量子井近紅外光光偵測器
13.9 太陽能電池
第十四章 感測器
14.1 簡介
14.2 熱感測器
14.3 機械感測器
14.4 磁感測器
14.5 化學感測器
14.6 生物感測器
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統 ( SI Units )
C. 國際單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量
H. Si 與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型
J. 氧化矽與氮化矽的特性
K. 雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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半導體元件物理學第四版(上冊) (4版)
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半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
內容簡介
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍
《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。
Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。
全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章,下冊預定於2022年12月出版)
第四版特色
1.超過50%的材料資訊被校正或更新,完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。
2.保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。
3.提供實務範例、表格、圖形和插圖,幫助整合主題的發展,每章附有大量問題集,可作為課堂教學範例。
4.每章皆有關鍵性的論文作為參考,以提供進一步的閱讀。
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)
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【中文翻譯書】
書名:半導體元件物理與製作技術第三版
原文書名:Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E
作者: 施敏、李明逵
譯者:曾俊元
出版社:國立交通大學
出版日期:2013/08
ISBN:9789866301568
內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年,以「非揮發性記憶體」的發明,奠定其半導體界的地位;李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材,也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為,我們修正並更新了35% 的教材,增加了許多章節討論近年來較重要的題目,如互補式金氧半影像感測器(CMOS image sensors)、鰭式場效電晶體(FinFET)、第三代太陽能電池(3rd generation solar cells)與原子層沉積(atomic layer deposition)。此外,我們刪除或減少了一些較不重要的章節,以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體(MOSFET)對於電子產品的應用愈來愈重要,因此,我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外,在通訊與能源材料方面,我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性,含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
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半導體製程概論(May:Fundamentals of Semiconductor Fabrication)
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書名:半導體製程概論(增訂版)(May:Fundamentals of Semiconductor )
作者:施敏、 梅凱瑞
出版社:交大出版社
ISBN:9789866301896
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電磁干擾防治與量測9/e (9版)
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電磁干擾防治與量測(第九版)
作(譯)者:
董光天
出版商:全華
出版日:2021/4/13
ISBN(13碼):9789865035587
書號:0501908
線膠 / 656頁 / 16 K / 單色
■ 本書特色
1.以問答方式結合理論與實務,一一解答。
2.逐次深入應用到各種EMI防制方法。
3.本書先介紹基礎理論應用分析,再就電磁干擾各項問題為防患未然,以防制工作為主,而量測為輔。
4.內容將電磁干擾防制工作列為重點,而量測在找出電磁干擾問題在與驗證裝備所定電磁干擾規格是否合格。
■ 內容簡介
作者有累積多年在電磁干擾量測與電磁調合方面的工作經驗,全書以Q/A方式書寫計一千題,共分為八大章從1.基礎理論應用分析2.結合、濾波、接地、隔離防制工作3.電路版電磁干擾防制4.元件、模組、電路電磁干擾防制5.裝備系統電磁干擾分析與防制6.輻射傷害7.量測儀具、設施、方法8.量測誤差9. 5G vs H.F.I.M.。此版新增第九章關於5G的認知與高頻電路阻抗匹配的重要性。內容深入淺出結合理論與實務逐一問答方式,使讀者對想知道的問題立即獲得答案,以達到事半功倍的作用。
■ 目錄
第1章 基礎理論應用與分析1-1
1.1 電磁波輻射特性分析1-1
1.2 天線概論1-5
1.3 電磁干擾量測專用單位1-9
1.4 絕緣體與導體1-12
1.5 電阻、電感、電容R.L.C.頻率響應1-14
1.6 電阻、電感、電容本體雜訊分析1-15
1.7 隔離度VS金屬板1-20
1.8 隔離材質的效益1-23
1.9 暫態突波1-26
1.10 發射接收系統干擾模式分析1-29
1.11 干擾現象物理分析1-32
1.12 光 纖1-37
第2章 結合、濾波、接地、隔離防制工作2-1
2.1 結合2-1
2.2 濾 波2-6
2.3 接 地2-29
2.4 隔 離2-55
第3章 電路板電磁干擾防制3-1
3.1 PCB問題重點分析3-1
3.2 繞線板、單層板、多層板3-3
3.3 背板與母板3-6
3.4 PCB Trace電場、磁場干擾耦合3-10
3.5 PCB trace EMI防制方法3-12
3.6 PCB trace及cable EMI防制3-17
3.7 PCB電路中decoupling capacitor應用3-22
3.8 PCB旁路及去耦合電容及大型電容應用3-23
3.9 PCB佈線與接地3-25
3.10 PCB端點阻抗反射干擾3-29
3.11 PCB數位邏輯電路(clock ckt)3-30
3.12 PCB數位及類比電路EMI防制設計3-35
3.13 PCB介面輸出入線(I/O)3-40
3.14 PCB CM、DM雜訊輻射量3-44
3.15 PCB特殊構形設計EMI防制3-46
第4章 元件、模組、電路電磁干擾防制4-1
4.1 二極體及功率晶體干擾防制4-1
4.2 接 頭4-3
4.3 類比、數位主動元件耐受度4-7
4.4 類比、數位放大器干擾分析4-12
4.5 類比裝置耐受性及防制方法4-17
4.6 數位裝置耐受性及防制方法4-19
4.7 顯示器EMI防制4-22
4.8 暫態突波防制4-24
4.9 電路EMI問題診斷4-27
4.10 EMI問題診斷法4-29
第5章 裝備系統電磁干擾分析與防制5-1
5.1 系統內、系統間EMI分析與防制5-1
5.2 通訊發射與接收電磁干擾分析5-8
5.3 系統內與系統間電磁調和設計5-15
5.4 電子裝備系統EMI防制工作重點5-20
5.5 隔離、結合、濾波、接地、佈線工作目的5-23
5.6 光纖干擾問題5-25
第6章 輻射傷害6-1
6.1 ESD防制6-1
6.2 PCB靜電防制(ESD)6-4
6.3 觸電傷害6-7
6.4 射頻輻射傷害6-9
6.5 手機輻射傷害6-13
6.6 高壓線附近輻射場強6-15
6.7 基地台及家電用品輻射場強傷害6-17
第7章 量測儀具、設施、方法7-1
7.1 EMI量測工作執行條件需知?7-1
7.2 頻譜儀與接收機7-6
7.3 EMI量測儀具7-10
7.4 隔離室與微波暗室7-17
7.5 戶內、戶外測試場功能比較7-20
第8章 量測誤差8-1
8.1 EMI量測誤差8-1
8.2 量測誤差值與可信度關係8-6
第9章 5G vs H.F.I.M. 9-1
附錄1 電子系統發射接收干擾與防制分析評估附1-1
附A 電子系統干擾定義與現象附1-2
附B 電子系統裝備干擾分析評估附1-3
附C 電子系統EMI防制工作方法附1-12
附D 電子系統電磁調和干擾防制附1-16
附E 總結電子系統電磁調和附1-16
附F 系統間+系統內干擾分析範例說明附1-16
附G 系統間+系統內干擾分析防制說明附1-30
附H 電磁電子能量互換模式演算附1-32
附I 頻率頻寬耦合模式範例演算附1-37
附J 電磁波發射與接收近遠場效應分析附1-40
附錄2 電子產品檢測規格限制值訂定緣由研析附2-1
附A 實務應用附2-1
附B 各項規格限制值訂定緣由分析(M-S-461E)附2-3
附C 結論附2-19
附D 參考文獻附2-19
附錄3 微波暗室設計與量測錯誤值校正
附錄4 軍規、商規EMI/EMC CE量測比較與CE/RE低頻量測關連互換 性研析
附錄5 接收機頻道內、鄰近頻道、頻道外抗干擾(CS)檢測特性簡介
附A 接收機頻道內混附波(IMI)干擾特性簡介(CS03)
附B 接收機鄰近頻道雜訊(Cross modulation)干擾特性簡介(CS05)
附C 接收機頻道外雜訊(Rejection of Undesired Signal)干擾特性簡介(CS04)
附錄6 數位信號通訊系統錯率分析與防治
附A 數位通訊系統錯率形成相關參數關連性研析
附B 數位通訊錯率電路板層次電磁干擾防治工作
附C 數位通訊錯率除錯工作需求
附錄7 本書首頁自序與摘要內容章節與附錄1至6摘要內容章節中譯英全文
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切換式電源轉換器 原理與實用設計技術 (4版)
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切換式電源轉換器:原理與實用設計技術(實例設計導向)
ISBN13:9789862972410
出版社:文笙
作者:吳義利-編
裝訂:平裝
規格:25.7cm*18cm*3cm (高/寬/厚)
版次:修訂4版
出版日:2022/12/01
中文圖書分類:發電機械
簡介
本書為作者二十幾年工作經驗與研究心得之分享,內容強調理論與實務兼具。
主要內容:
1.詳細說明常用電源轉換器之動作原理,涵蓋:降壓式、升壓式、降-升壓式、返馳式、順向式、推挽式、半橋式、全橋式(包括相移式全橋)、
CUK、SEPIC、ZETA、電流源輸入型電源轉換器、串接式電源轉換器QRPC、LLC諧振式、功因修正電路(PFC)與自震式電源等。
2.常用電源轉換器控制技術之原理介紹:主要有電壓模式控制與峰值電流模式控制,詳細介紹TL494與384X等IC之動作原理與應用技巧,此外還簡
介一些較為特殊之控制技術。
3.磁性元件之原理與設計技巧:包括鐵芯特性介紹,變壓器之原理與設計,電感器之原理與設計等。皆有設計實例,引導設計者以最快方式設計自
己所需之磁性元件。
4.穩定度分析與回授補償技術:詳細說明電壓模式與電源模式之小信號分析技術,詳列各主要轉換器之開迴路轉移函數,並介紹常用之三種補償電
路,以按部就班方式,詳述整個電路之補償技術,包括隔離式與非隔離式。完全無需再以嘗試錯誤的方式進行設計。
5.功率開關之介紹與應用技巧:以Si MOSFET與功率二極體為主,也介紹寬帶隙功率元件,如GaN FET、SiC MOSFET與SiC Diode,詳述其原理與實
際應用之技巧。
6.電路設計實例:詳列九種具代表性並經實測驗證無誤之實際電路,提供設計時之參考,裡面包括電路圖、材料表、變壓器與電感器設計資料以及
實測數據與波形。
此外,還包括許多與電源轉換器設計有關之資料,詳附於後面之附錄之中,可提供設計時之參考。
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交換式電源供給器之理論與實務設計3/e (3版)
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書名:交換式電源供給器之理論與實務設計(第三版)
作者:梁適安
出版社:全華
出版日期:2018/08/10
ISBN:9789864631087
內容簡介
本書是作者針對國人需要所編寫而成的,內容詳細介紹交換式電源
供給器基本理論、和控制理論以及迴授補償方法以使轉換器系統達
到穩定。言簡意賅、易學易懂,非常適合實際從事交換式電源供給
器之工程人員及大專院校學生閱讀。
本書特色
1.本書是作者針對國人需要所編寫而成的,內容詳細介紹交換式電源供給器基本理論、和控制理論以及迴授補償方法以使轉換器系統達到穩定。
2.本書是先以理論為先導,將SPS之基本理論予以徹底分析。
3.本書適用於大學、科大電機科系「交換式電源供應系統」課程或業界相關人士及有興趣之讀者使用。
目錄
第一章 簡介
1.1 概論
第二章 基本交換式電源轉換器電路
2.1 概論
2.2 基本無隔離型高頻直流轉換器
2.3 降壓型轉換器之基本原理與操作
2.4 昇壓型轉換器之基本原理與操作
2.5 昇降兩用型轉換器之基本原理與操作
第三章 隔離型高頻直流電源轉換器電路
3.1 概論
3.2 順向式轉換器之基本工作原理
3.3 返馳式轉換器之基本工作原理
3.4 半橋式轉換器之基本工作原理
3.5 推挽式轉換器之基本工作原理
3.6 全橋式轉換器之基本工作原理
第四章 其它型式之直流電源轉換器電路
4.1 概論
4.2 振鈴扼流圈轉換器之基本工作原理
4.3 'CUK轉換器之基本工作原理
4.4 非對稱半橋電源轉換器
4.5 主動箝位電源轉換器
4.6 全橋相移式電源轉換器
4.7 LLC半橋諧振式電源轉換器
第五章 電源轉換器之小信號模式化分析
5.1 概論
5.2 現代線性系統之狀態空間分析介紹
5.3 轉換器之狀態空間平均模式與線性比
第六章 穩定性之分析與迴授補償控制器之設計
6.1 頻率響應觀念
6.2 轉換器之迴授原理與穩定度準確
6.3 轉換器系統之穩定度分析
6.4 迴授補償網路之結構與設計
第七章 轉換器頻率響應量測技術之建立
7.1 概論
7.2 響率響應之量測裝置
7.3 迴路增益之頻率響應量測技術
7.4 信號注入技術與注入點的決定
7.5 轉換器其它轉移函數之頻率響應量測
第八章 實際系統穩定度之量測與迴授補償網路之設計
8.1 概論
8.2 轉換器系統開迴路增益的頻率響應
8.3 迴授補償網路之設計步驟
8.4 穩定度實際量測結果與討論
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給大專生的 工商實用日語 Ⅰ 手機版 (2版)
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給大專生的 工商實用日語Ⅰ手機版 (二版)
作者: 王敏東, 黎立仁
出版社:致良
出版日期:2021/12/23
語言:繁體中文
內容簡介
專為理工、商管相關科系學生所設計的初級日語教材
手機版特設「線上學習QR Code」,掃描即可線上聆聽音檔或觀賞影片!
本書由最基礎的五十音導入,各課內容從重點文型循序漸進,搭配一般理工、商管領域的常用語彙。除了文法說明,還提供貼近工商科系學生生活的情境會話、短文,以及例句代換、聽力等練習,並附介紹日本文化的小專欄「建議臺灣人要知道的日本」。
書末另附綜合練習、解答、課文中譯,與化學週期表、實驗器材語彙等實用資訊,以加強學習效果。
給大專生的 工商實用日語Ⅱ
系列名:校園日語教材
ISBN13:9789577868633
出版社:致良
作者:王敏東;黎立仁
裝訂/頁數:平裝/172頁
附件:MP3
規格:26cm*19cm*1cm (高/寬/厚)
版次:1
出版日:2016/03/01
中國圖書分類:日語
內容簡介
本書是專為理工、商管科系的學生所設計的日語教材。內容承接《給大專生的 工商實用日語I》,各課以文型為基礎,搭配理工、商管領域常用語彙。除了中文文法說明,還有貼近工商科系學生生活的短文、情境會話及例句代換、聽力等練習,並附介紹日本文化的小專欄「建議臺灣人要知道的日本」。
插圖精美並附音聲朗讀MP3光碟。書末提供綜合練習、課文中譯和練習解答,以加強學習效果。
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出版日期:2012/01
書號:101902
ISBN:9789864128549
商品簡介
積體電路設計是一門變化快速的產業,不但製程改進日新月異,從原先1um以上的製程發展到現在0.12um或更精細的製程。其設計工具的發展更是一日千里,從最早期發展出來的佈局軟體Magic開始,一直到相關EDA工具大廠的佈局軟體等。一代比一代的功能更強,其使用方式亦有所不同。本習「VLSI設計概論/實論 (Laker、Calibre增訂版)」一書是「VLSI設計概論/實習」之增訂版本,其目的在於補足前一版本不足之處,特別是前一版本所沒有之Laker與Calibre兩項工具軟體。
Laker是國內EDA工具大廠思源科技 (SpringSoft)所發展出來的積體電路佈局軟體,其功能十分先進,但是用法與本書上一個版本所提及之Virtuoso有所不同。有鑑於Laker在業界受到高度重視與應用,因此我們認為有必要將Laker加入本書中以提供讀者有完整學習的機會,因此在此增訂版本中特地加上Laker這套軟體之說明。
而Calibre則是一套先進的IC驗證軟體,其主要特色是在深次微米製程下有更正確之效果,目前亦廣受業界與學界之使用。由於國科會晶片設計中心 (CIC) 目前是以Calibre所完成之驗證結果來決定是否接受下線,因此其重要性不言可喻。此次增訂,亦增加Calibre之使用說明以利讀書學習。
綜觀積體電路設計發展史,我們可以得到一個心得:學習永遠是沒有止境的。因此如何在新工具出現的時候就能儘快熟悉其功能並藉該工具完成工作則是一項與時間賽跑的遊戲。願此書的出現能幫助讀者們儘速上手,學習新的工具,並有效率的完成你所要進行的工作。
目錄
第一章 UNIX 基本指令
第二章 CMOS VLSI 設計概念與 DESIGN FLOW
第三章 SCHEMATIC、SYMBOL
第四章 LAKER 環境設定與執行
第五章 LAKER 實務應用
第六章 ASSURA
第七章 CALIBRE
第八章 I/O CIRCUIT 及PACKAGE
第九章 SPICE SIMULATION
附錄 A 教育性晶片製作申請程序
附錄 B DESIGN RULES 實例 (MEAD & CONWAY)
附錄 C 範例說明
附錄 D 積體電路電路佈局保護
附錄 E 下線審查表
附錄 F 智慧財產權切結書
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內容簡介
本書涵蓋層面甚廣,包含半導體製程、元件模型、電路設計、製造測試等相關議題。前段內容可供一般學生建立有關超大型積體電路設計的基礎入門知識,而全書不僅可以使從事數位系統設計工程師了解底層標準元件電路知識,也能作為混合訊號/類比電路設計工程師建立高速積體電路設計之參考。
有關第四版的內容,作者除改寫當代半導體製程演進介紹外,亦採用短通道電晶體模型來推導相關電路特性,並刪除原有空乏型反相器電路範例,以虛擬nMOS反相器替代,以符合現今主流的次微米/奈米製程電路設計。記憶體章節亦部分改寫,增加低電壓SRAM介紹;BiCMOS章節則改為算術運算單元電路介紹;時脈產生章節也增加鎖相迴路與延遲鎖定迴路簡介。此次內容的更新,使得本書得更趨於完整且符合時代之潮流。
本書改版特色
‧本書內容旨在強化學生對數值方法的認知,除了維持前版優點,盡可能讓內容適合大學部學生使用。
‧透過問題導向方法引起學習動機,促進良好的學習效果。
‧Visual Basic、Fortran 90與C/語言引導學生自行開發結構化且簡單的程式,以彌補現有軟體的不足。
‧更新更具挑戰的題組、題材及案例探討。
目錄
第 1 章 簡介
第 2 章 MOSFET的製造
第 3 章 MOS電晶體
第 4 章 使用SPICE的MOS電晶體模型化
第 5 章 MOS 反相器:靜態特性
第 6 章 MOS 反相器:切換特性與連接線效應
第 7 章 組合MOS邏輯電路
第 8 章 循序MOS邏輯電路
第 9 章 動態邏輯電路
第 10 章 半導體記憶體
第 11 章 低功率CMOS邏輯電路
第 12 章 算術建構區塊
第 13 章 時脈與/IO電路
第 14 章 可製造性設計
第 15 章 可測試性設計
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