半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)
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【中文翻譯書】
書名:半導體元件物理與製作技術第三版
原文書名:Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E
作者: 施敏、李明逵
譯者:曾俊元
出版社:國立交通大學
出版日期:2013/08
ISBN:9789866301568
內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年,以「非揮發性記憶體」的發明,奠定其半導體界的地位;李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材,也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為,我們修正並更新了35% 的教材,增加了許多章節討論近年來較重要的題目,如互補式金氧半影像感測器(CMOS image sensors)、鰭式場效電晶體(FinFET)、第三代太陽能電池(3rd generation solar cells)與原子層沉積(atomic layer deposition)。此外,我們刪除或減少了一些較不重要的章節,以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體(MOSFET)對於電子產品的應用愈來愈重要,因此,我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外,在通訊與能源材料方面,我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性,含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
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半導體製程概論(May:Fundamentals of Semiconductor Fabrication)
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書名:半導體製程概論(增訂版)(May:Fundamentals of Semiconductor )
作者:施敏、 梅凱瑞
出版社:交大出版社
ISBN:9789866301896
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CMOS電路設計與模擬-使用LTspice(附範例光碟)
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CMOS電路設計與模擬-使用LTspice(附範例光碟)
ISBN13:9789865037765
出版社:全華圖書
作者:鍾文耀
裝訂/頁數:平裝/216頁
規格:26cm*19cm (高/寬)
重量:430克
出版日:2021/06/11
中國圖書分類:電子工程
內容簡介
本書共分六章,採循序漸進、由淺入深的方式讓讀者瞭解LTspice強大的功能與應用。第一章在說明什麼是IC設計、SPICE基礎的核心分析功能及LTspice軟體安裝;第二章在講解元件符號定義、元件工作原理,並以直流分析之模擬實例來解說;第三章主要探討數位積體電路的核心基礎電路,以及反相器的直流特性分析;第四章探討時變訊號饋入數位邏輯閘的時間領域暫態分析,並利用LTspice協助進行數位邏輯閘動態參數的萃取與測試電路驗證;第五章說明MOS元件的小訊號等效模型的建立;第六章主要是將前面所學的直流、暫態與交流分析基礎,繼續利用LTspice進行實際之數位與類比子電路分析。本書適用於大學、科大資工、電子、電機系「積體電路分析與模擬」、「電腦輔助電路設計」課程或相關業界人士及有興趣之讀者。
目錄
1章 IC設計與SPICE綜論
1-1 什麼是IC設計
1-2 為什麼要使用SPICE
1-3 LTspice軟體安裝
1-4 結論與延伸閱讀資料
1-5 習題及SPICE實作
2章 LTspice快速入門指引
2-1 視窗功能簡介
2-2 文字網表之結構
2-3 重疊定理之應用
2-4 SPICE分析之應用探討
2-5 結論與延伸閱讀資料
2-6 習題及SPICE實作
3章 MOS元件及反相器之直流分析
3-1 簡介
3-2 MOS元件特性分析
3-3 理想反相器特性
3-4 反相器直流效能參數
3-5 反相器MOSFET尺寸計算
3-6 .SUBCKT子電路概念
3-7 結論與延伸閱讀資料
3-8 習題及SPICE實作
4章 標準電路元之特性分析
4-1 簡介
4-2 激勵信號與時變波形描述
4-3 暫態與時間參數分析
4-4 .measure敘述與應用
4-5 環形振盪器分析
4-6 結論與參考資料
4-7 習題及SPICE實作
5章 SPICE之交流分析
5-1 AC分析簡介
5-2 放大器模型建置
5-3 小訊號模型與交流分析
5-4 波德圖與頻率響應分析
5-5 AC分析敘述與應用
5-6 放大器交流分析範例
5-7 結論與延伸閱讀資料
5-8 習題及SPICE實作
6章 核心電路之SPICE分析與探討
6-1 非重疊二相時脈產生器
6-2 類比式比較器之分析
6-3 電流鏡之特性分析
6-4 偏壓電路及帶隙參考電路分析
6-5 9-bit數位類比放大器分析
6-6 結論與延伸閱讀資料
6-7 習題及SPICE實作
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半導體元件物理學第四版(上冊) (4版)
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半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
內容簡介
最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍
《半導體元件物理學》(Physics of Semiconductor Devices)這本經典著作,一直為主修應用物理、電機與電子工程,以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊,因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。
Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後(中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行),已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表,並且在元件概念及性能上有許多突破,顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版,有超過50% 的材料資訊被校正或更新,並將這些材料資訊全部重新整理。
全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分:第一部分「半導體物理」包括第一章,總覽半導體的基本特性,作為理解以及計算元件特性的基礎;第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章,論述基本的元件建構區段,這些基本的區段可以構成所有的半導體元件;第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族;第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」;第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。(中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章,下冊預定於2022年12月出版)
第四版特色
1.超過50%的材料資訊被校正或更新,完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。
2.保留了基本的元件物理,加上許多當代感興趣的元件,例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。
3.提供實務範例、表格、圖形和插圖,幫助整合主題的發展,每章附有大量問題集,可作為課堂教學範例。
4.每章皆有關鍵性的論文作為參考,以提供進一步的閱讀。
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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半導體元件物理學第四版(下冊) (4版)
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半導體元件物理學第四版(上冊)
ISBN13:9789865470289
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/688頁
規格:23cm*17cm (高/寬)
版次:初
出版日:2022/06/29
中國圖書分類:電子工程
上冊目錄
目錄
【第一部分 半導體物理】
第一章 半導體物理及特性──回顧篇
1.1 簡介
1.2 晶體結構
1.3 能帶與能隙
1.4 熱平衡狀態下的載子濃度
1.5 載子傳輸現象
1.6 聲子、光和熱特性
1.7 異質接面與奈米結構
1.8 基本方程式與範例
【第二部分 元件建構區塊】
第二章 p-n接面
2.1 簡介
2.2 空乏區
2.3 電流—電壓特性
2.4 接面崩潰
2.5 暫態行為與雜訊
2.6 終端功能
2.7 異質接面
第三章 金屬—半導體接觸
3.1 簡介
3.2 位障的形成
3.3 電流傳輸過程
3.4 位障高度的量測
3.5 元件結構
3.6 歐姆接觸
第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器
4.1 簡介
4.2 理想MIS電容器
4.3 矽MOS電容器
4.4 MOS電容器的載子傳輸
【第三部分 電晶體】
第五章 雙極性電晶體 (BJT)
5.1 簡介
5.2 靜態特性
5.3 雙極性電晶體的緊密模型
5.4 微波特性
5.5 相關元件結構
5.6 異質接面雙極性電晶體
5.7 自熱效應
第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET)
6.1 簡介
6.2 基本元件特性
6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件
6.4 元件微縮與短通道效應
6.5 MOSFET結構
6.6 電路應用
6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體
6.8 單電子電晶體
第七章 非揮發性記憶體元件
7.1 簡介
7.2 浮動閘極概念
7.3 元件結構
7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型
7.5 多層單元與三維結構
7.6 應用與尺寸微縮挑戰
7.7 替代性結構
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統(SI Units)
C. 國際單位前置字
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量
H. Si與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型
J. SiO2 與Si3N4 的特性
K .雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
半導體元件物理學第四版(下冊)
ISBN13:9789865470562
替代書名:Physics of Semiconductor Devices Fourth edition
出版社:國立陽明交通大學出版社
作者:施敏;李義明;伍國珏
譯者:顧鴻壽;陳密
裝訂/頁數:平裝/592頁
規格:23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚)
版次:初
出版日:2022/12/30
中文圖書分類:電子工程
下冊目錄
序言
譯者序一
譯者序二
導論
第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體
8.1 簡介
8.2 JFET 和MESFET
8.3 調變摻雜場效電晶體
第四部分 負電阻以及功率元件
第九章 穿隧元件
9.1 簡介
9.2 穿隧二極體
9.3 相關穿隧元件
9.4 共振穿隧二極體
第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件
10.1 簡介
10.2 衝擊離子化累增渡時二極體
10.3 電子轉移元件
10.4 實空間轉移元件
第十一章 閘流體和功率元件
11.1 簡介
11.2 閘流體基本特性
11.3 閘流體的種類
11.4 其他功率元件
第五部分 光子元件和感應器
第十二章 發光二極體和雷射
12.1 簡介
12.2 輻射躍遷
12.3 發光二極體
12.4 雷射物理
12.5 雷射操作特性
12.6 特殊雷射
第十三章 光偵測器和太陽能電池
13.1 簡介
13.2 光導體
13.3 光二極體
13.4 累增光二極體
13.5 光電晶體
13.6 電荷耦合元件
13.7 金屬-半導體-金屬光偵測器
13.8 量子井近紅外光光偵測器
13.9 太陽能電池
第十四章 感測器
14.1 簡介
14.2 熱感測器
14.3 機械感測器
14.4 磁感測器
14.5 化學感測器
14.6 生物感測器
附錄
A. 符號表
B. 國際單位系統 ( SI Units )
C. 國際單位字首
D. 希臘字母
E. 物理常數
F. 重要半導體的特性
G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量
H. Si 與GaAs的特性
I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型
J. 氧化矽與氮化矽的特性
K. 雙極性電晶體的緊密模型
L. 浮動閘極記憶體效應的發現
索引
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【原文書】
書名:Field and Wave Electromagnetics 2/e (台灣印製版)
作者 : David K. Cheng
出版社:PEARSON
ISBN:9789862803165
【中文翻譯書】
書名:電磁學 第二版
原文書名:Field and Wave Electromagnetics 2/E
譯者:李永勳
作者: David K. Cheng
出版社:偉明
ISBN : 9789579899109
目 錄:
1:電磁模型
2:向量分析
3:靜電場
4:靜電問題的解
5:穩定電流
6:靜磁場
7:時變場和馬克斯威爾方程式
8:平面電磁波
9:傳輸線的原理及應用
10:波導管及空腔共振器
11:天線與輻射系統
A:符號與單位
B:一些重要常數
C:圖表索引
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工程電磁學 (Fundamentals of Engineering Electromagnetics) (1版)
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書名:工程電磁學 第一版
原文書名:Fundamentals of Engineering Electromagnetics
作者:David K. Cheng
翻譯:游信勝
出版社:偉明
出版日期:1998/01/01
ISBN:9789579899116
目錄
第一章 電磁模型
第二章 向量分析
第三章 靜電場
第四章 穩定電流
第五章 靜磁場
第六章 時變場和馬克斯威爾方程式
第七章 平面電磁波
第八章 傳輸線
第九章 波導管和空腔共振器
第十章 天線和天線陣列
附錄A 符號和單位
附錄B 一些有用的物質常數
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輻射大解謎:從核食、核電、核彈,到X光與手機電磁波,安心生活必了解的生存常識! (1版)
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核能流言終結者創辦人/黃士修
國際推薦
「敘事科學的極佳典範……一部震撼人心的科學探究作品。」──科克斯星級書評(Kirkus, Starred Reviews)
「本書是人類與輻射之間的故事──從我們可以看到的可見光開始,持續講到無線電波、原子彈、手機、氡氣、微波爐、行李掃描儀、福島核電廠事故等……作者巧妙地避免使用圖表和數字,而是用引人入勝的情節完成本書。」──南希.索坎(Nancy Szokan),《華盛頓郵報》(The Washington Post)
「對抗非理性恐懼的唯一解藥,便是知識,本書無疑將這一點傳授給了我們。」──《獨立報》(Independent)
「一部敘事有力的歷史,將詳細的科學和統計數據,以及先驅的個人生活融為一體。」──安德魯.羅賓遜(Andrew Robinson),《電訊報》(The Telegraph)
「讀起來令人十分愉快。本書簡單、簡潔的內容,絕對有助於消除與輻射有關的謎團或誤解。」──鄧俊(Jun Deng),《物理世界》(Chemistry World)
「關於輻射風險公正、易懂的資訊相當難取得,本書正好補上了這一空缺。」──《科學》雜誌(Science)
「輻射的發現為新時代開啟大門,也帶來人類最大的道德挑戰。這本清晰易懂的書中解釋了輻射的機制,講述那些幫助揭示輻射的人物故事,並謹慎評估輻射如何繼續影響人類和社會。」——湯姆・佐爾納(Tom Zoellner),《鈾:戰爭、能源與改變世界的岩石》(Uranium: War, Energy, and the Rock That Shaped the World)作者
「本書意外地讓人感到安心。」——潘尼・拉古德(Penny Le Couteur),《拿破崙的鈕扣》(Napoleon's Buttons: How Seventeen Molecules Changed History)共同作者
「本書十分容易理解,並提供了大量關於輻射的資訊。讓讀者能夠對各種輻射暴露做出合理的判斷。無論對專家還是一般讀者,書中匯集的知識既浩瀚且充滿洞察力。」——丹羽太貫,福島縣立醫科大學特命教授
「一部優秀的歷史書籍,更是對輻射風險評估的巧妙闡釋。」——大衛・奈(David E. Nye),《科技之重》(Technology Matters: Questions to Live With)作者
「本書的歷史敘述是一場引人入勝且富有娛樂性的嘗試,讓我們對生活在輻射之海的安全性感到更加安心。」——凱特・布朗(Kate Brown),《鈽托邦:核家族、原子城市以及蘇聯和美國的鈽災難》(Plutopia: Nuclear Families, Atom Cities, and the Great Soviet and American Plutonium Disasters)作者
「我不知道還有哪本書,能夠如此全面地審視輻射這個主題。」——威廉・摩根(William F. Morgan),前西北太平洋國家實驗室輻射生物學和生物物理學主任
【目錄】
推薦序:懂一點科學,生活便多一點安心/黃士修
前言:這不是科學經典,而是實用生活指南
序章 看不見的,最可怕?
第一部 從神祕波紋,和詭異螢光開始
第1章 看見輻射,擁抱輻射
第2章 無所不在的放射性
第3章 核分裂,極限的吹毛求疵
第二部 是死因也是救命神器?輻射與健康的糾葛
第4章 陷入險境:輻射與職業病
第5章 能致癌,也能治癌
第6章 活命的關鍵:距離
第7章 暴風雪警告:輻射塵壓境
第8章 直到找到數據,我們才有證據
第9章 劫後餘生,該不該擔心突變
第10章 輻射的傷害,直指DNA
第三部 食品、電力、行動網路,哪些輻射值得你擔心?
第11章 你家的房子,防氡氣嗎?
第12章 X光檢查,反而讓人生病?
第13章 讓腦袋壞掉的,真的是手機電磁波?
第14章 病從口入!核食的安全性怎麼核實?
第15章 電廠核災,一發不可收拾
第16章 保證互相毀滅!地緣政治的核威脅
結語:你有聽過N射線嗎?
謝辭
全書註釋與參考資料
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【目錄】
本書是由作者在中央大學光電研究所,教授多年之電磁學這門課的內容編整而成。這門電磁學並非國立中央大學光電研究所所有學生之必修課程, 它是為在大學階段時不是主修物理的學生設計的,這些學生,可能來自不同的工程或是其他非工程科系的學生。本課旨在強化他們的電磁學和光學的基礎知識,以便他們未來修習如傅氏光學(Fourier Optics)、晶體光學,半導體光學和雷射物理等高階光電科學。
本書採用口語化的表達方式,這是因為作者深信這樣更能直接了當和更能準確地表達出我要講的理念或事情。另外,作者個人覺得在科學的話語中,往往英文比中文精準,也為了讓學生能漸進的能看懂其他的英文教本,作者打破傳統,在本書中除了採用口語來闡述原理外,並採用中英文夾雜方式,讓讀者能逐漸適應英文科技的表達方式。
游漢輝 教授
國立中央大學光電系/所
Ch. 1 開放空間(Unbounded Space)的電磁波
Ch. 2 Reflection & Refraction
Ch. 3 Guided Wave(導波)
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【簡介】
本書綜合了古典物理學和近代物理學,重點在於清晰解釋物理觀念並提供解題分析。每章開始都有引言,引導讀者建立基本認知,並以簡潔明確的方式展示物理概念。各章節提供詳細的範例演練,幫助學生理解概念,並展示解題方法,以激發學習興趣與信心。
【目錄】
第1章 庫侖定律
第2章 高斯定律
第3章 電位
第4章 電容
第5章 電流與電路
第6章 磁場與安培定律
第7章 法拉第定律與電磁感應
第8章 交流電路
第9章 近軸幾何光學
第10章 物理光學
第11章 原子物理
第12章 核子物理
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公職考試2025試題大補帖【電磁學(含電磁學與電磁波)】(106~113年試題)(申論題型)[適用三等/高考、地方特考、技師考試] (1版)
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本書收錄公職考試【電磁學(含電磁學與電磁波)】106~113年申論試題詳解,幫助您一次準備全面應戰、熟悉題型順利上榜。
本書收錄科目包含:電磁學、電磁學與電磁波
本書收錄考試包含:高考三級、地方特考、技師考試
本書特色:
1.補班名師解題,不用三顧茅廬立即獲得大師精準考題解析。
2.多年度試題一次收錄,輕鬆練習歷屆試題。
3.一題搭配一詳解,演練有錯立即修正,加深印象。
【目錄】
三等
【電磁學】
◎高考三級
113年
112年
111年
110年
109年
108年
107年
106年
◎地方三等
112年
111年
110年
109年
108年
107年
【電磁學與電磁波】
◎技師考試
112年
111年
110年
109年
108年
107年
106年
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