半導體製程技術導論 (4版)

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【簡介】 本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。 1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。 2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。 3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。 【目錄】 第一章 導論 1.1 簡史 1.2 概述 1.3 本章總結 習題 參考文獻 第二章 積體電路製程介紹 2.1 IC製程簡介 2.2 IC的良率 2.3 無塵室技術 2.4 IC晶圓廠的基本結構 2.5 IC測試與封裝 2.6 近期的發展 2.7 本章總結 習題 參考文獻 第三章 半導體基礎 3.1 半導體基本概念 3.2 半導體基本元件 3.3 IC晶片 3.4 IC基本製程 3.5 互補式金屬氧化物電晶體 3.6 2000後半導體製程發展趨勢 3.7 本章總結 習題 參考文獻 第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程 4.1 簡介 4.2 為什麼使用矽材料 4.3 晶體結構與缺陷 4.4 從矽砂到晶圓 4.5 磊晶矽生長技術 4.6 基板工程 4.7 未來趨勢 4.8 本章總結 習題 參考文獻 第五章 加熱製程 5.1 簡介 5.2 加熱製程的硬體設備 5.3 氧化製程 5.4 擴散 5.5 退火過程 5.6 高溫化學氣相沉積 5.7 快速加熱製程(RTP)系統 5.8 加熱製程近年發展 5.9 本章總結 習題 參考文獻 第六章 微影製程 6.1 簡介 6.2 光阻 6.3 微影製程 6.4 微影技術的發展趨勢 6.5 其他微影製程方法 6.6 極紫外光(EUV)微影技術 6.7 安全性 6.8 本章總結 習題 參考文獻 第七章 電漿製程 7.1 簡介 7.2 電漿基本概念 7.3 電漿中的碰撞 7.4 電漿參數 7.5 離子轟擊 7.6 直流偏壓 7.7 電漿製程優點 7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器 7.9 遠距電漿製程 7.10 高密度電漿(HDP)製程 7.11 本章總結 習題 參考文獻 第八章 離子佈植製程 8.1 簡介 8.2 離子佈植技術簡介 8.3 離子佈植技術硬體設備 8.4 離子佈植製程 8.5 安全性 8.6 近年發展及應用 8.7 本章總結 習題 參考文獻 第九章 蝕刻製程 9.1 蝕刻製程簡介 9.2 蝕刻製程基礎 9.3 濕式蝕刻製程 9.4 電漿(乾式)蝕刻製程 9.5 電漿蝕刻製程 9.6 蝕刻製程發展趨勢 9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量 9.8 最新進展 9.9 本章總結 習題 參考文獻 第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜 10.1 簡介 10.2 化學氣相沉積 10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC 10.4 介電質薄膜特性 10.5 介電質CVD製程 10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG) 10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD) 10.8 介電質CVD反應室清潔 10.9 新千禧年的介電質材料 10.10 本章總結 習題 參考文獻 第十一章 金屬化製程 11.1 簡介 11.2 導電薄膜 11.3 金屬薄膜特性 11.4 金屬化學氣相沉積 11.5 物理氣相沉積 11.6 銅金屬化製程 11.7 最新進展 11.8 安全性 11.9 本章總結 習題 參考文獻 第十二章 化學機械研磨製程 12.1 簡介 12.2 CMP硬體設備 12.3 CMP研磨漿 12.4 CMP基本理論 12.5 CMP製程 12.6 CMP製程近年發展 12.7 本章總結 習題 參考文獻 第十三章 半導體製程整合 13.1 簡介 13.2 晶圓準備 13.3 隔離技術 13.4 井區形成 13.5 電晶體製造 13.6 高k金屬閘極MOSFET 13.7 連線技術 13.8 鈍化 13.9 本章總結 習題 參考文獻 第十四章 IC製程技術 14.1 簡介 14.2 1980年代CMOS製程流程 14.3 1990年代CMOS製程流程 14.4 2000年代CMOS製程流程 14.5 2010年代CMOS製程流程 14.6 記憶體晶片製造製程 14.7 本章總結 習題 參考文獻 第十五章 3D IC元件的製造過程 15.1 引言 15.2 埋入式閘極字元線DRAM 15.3 3D-NAND 快閃記憶體 15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造 15.5 本章總結 習題 參考文獻 第十六章 總結與未來趨勢 參考文獻

Semiconductor Physics & Devices Basic Principles (4版)

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原文書資訊 書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE) 作者: NEAMEN ISBN: 9780071089029 出版社: Mc Graw Hill 出版年: 2012年 中文書資訊 書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles) 作者: NEAMEN/ 楊賜麟 ISBN: 9789861578255 出版社: 東華 出版年: 2012年

半導體製程與整合(THC) (1版)

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【簡介】 本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。 先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。 材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。 半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。 本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。 【目錄】 第一章 半導體積體電路發展 第二章 基礎半導體材料 第三章 基礎半導體元件 第四章 氧化與加熱製程 第五章 微影製程 第六章 擴散與離子佈植製程 第七章 蝕刻製程 第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積 第九章 半導體金屬化製程 第十章 CMOSFET製程整合 第十一章 先進元件製程 第十二章 FinFET製程整合 第十三章 半導體材料分析技術 第十四章 半導體元件製程發展趨勢

固態物理學導論 (8版)

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原文書資訊 書名:Kittel`s Introduction to Solid State Physics GE 2018 <JW> 作者: Kittel ISBN: 9781119454168 出版社: John Wiley 出版年: 2018年 書籍目錄: CHAPTER 1: CRYSTAL STRUCTURE. CHAPTER 2: WAVE DIFFRACTION AND THE RECIPROCAL LATTICE. CHAPTER 3: CRYSTAL BINDING AND ELASTIC CONSTANTS. CHAPTER 4: PHONONS I. CRYSTAL VIBRATIONS. CHAPTER 5: PHONONS II. THERMAL PROPERTIES. CHAPTER 6: FREE ELECTRON FERMI GAS. CHAPTER 7: ENERGY BANDS. CHAPTER 8: SEMICONDUCTOR CRYSTALS. CHAPTER 9: FERMI SURFACES AND METALS. CHAPTER 10: SUPERCONDUCTIVITY. CHAPTER 11: DIAMAGNETISM AND PARAMAGNETISM. CHAPTER 12: FERROMAGNETISM AND ANTIFERROMAGNETISM. CHAPTER 13: MAGNETIC RESONANCE. CHAPTER 14: DIELECTRICS AND FERROELECTRICS. CHAPTER 15: PLASMONS, POLARITONS, AND POLARONS. CHAPTER 16: OPTICAL PROCESSES AND EXCITONS. CHAPTER 17: SURFACE AND INTERFACE PHYSICS. CHAPTER 18: NANOSTRUCTURES. CHAPTER 19: NONCRYSTALLINE SOLIDS. CHAPTER 20: POINT DEFECTS. CHAPTER 21: DISLOCATIONS. CHAPTER 22: ALLOYS. 中文書資訊 書名: 固態物理學導論 Kittel`s Introduction to Solid State Physics 8/E 2006<高立> 作者: Kittel/ 魏榮君 ( 8/E) ISBN: 9789864123483 出版社: 高立 出版年: 2006年 書籍目錄: 第一章　晶體結構 第二章　倒晶格 第三章　晶體的結合和彈性常數 第四章　聲子 I －晶體振盪 第五章　聲子 II －熱效應 第六章　自由電子費米氣體 第七章　能 帶 第八章　半導體晶體 第九章　費米面與金屬 第十章　超導電性 第十一章　反磁性和順磁性 第十二章　鐵磁性和反鐵磁性 第十三章　磁共振 第十四章　電漿子、電磁偏極子與極化子 第十五章　光學過程與激子 第十六章　介電性與鐵電性 第十七章　表面與界面物理學 第十八章　奈米結構 第十九章　非晶態固體 第二十章　點缺陷 第二十一章　差　排 第二十二章　合　金 附　錄 中文索引 英中文索引

半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)

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【中文翻譯書】 書名：半導體元件物理與製作技術第三版 原文書名：Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E 作者:　施敏、李明逵 譯者：曾俊元 出版社：國立交通大學 出版日期：2013/08 ISBN：9789866301568 內容簡介 　　施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。 　　本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。 　　由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。 　　為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。

半導體元件物理與製程：理論與實務 (4版)

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半導體元件物理與製程─理論與實務 Semiconductor Device Physics and Process Integration：Theory & Practice 作 者：劉傳璽 、陳進來 出版社別：五南 出版日期：2022/09/01(4版2刷) ＩＳＢＮ：978-626-317-514-3 E I S B N：9786263175280 書 號：5D75 頁 數：560 開 數：20K 內容簡介 　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。 目錄 第一章 半導體元件物理的基礎 1.1 半導體能帶觀念與載子濃度 1.2 載子的傳輸現象 1.3 支配元件運作的基本方程式 第二章 P-N 接面 2.1 P-N接面的基本結構與特性 2.2 零偏壓 2.3 逆向偏壓 2.4 空乏層電容 2.5 單側陡接面 2.6 理想的電流－電壓特性 2.7 實際的電流－電壓特性 2.8 接面崩潰現象與機制 第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎 3.1 MOS電容的結構與特性 3.2 理想的MOS(金氧半)元件 3.3 實際的MOS(金氧半)元件 第四章 長通道MOSFET元件 4.1 MOSFET的基本結構與類型 4.2 基本操作特性之觀念 4.3 電流－電壓特性之推導 4.4 其他重要元件參數與特性 第五章 短通道MOSFET元件 5.1 短通道元件的輸出特性 5.2 短通道元件的漏電流現象 第六章 CMOS製造技術與製程介紹 6.1 CMOS製造技術 6.2 CMOS製造流程介紹 第七章 製程整合 7.1 元件發展需求 7.2 基板工程(substrate engineering) 7.3 閘極工程 7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering) 7.5 內連線工程(inter-connection) 第八章 先進元件製程 8.1 先進元件製程需求 8.2 SOI 8.3 應變矽Strain Si 8.4 非平面元件 3D device 8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric) 8.6 金屬閘極Metal gate 第九章 邏輯元件 9.1 邏輯元件的要求—速度、功率 9.2 反向器(Inverter) 9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic) 9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF 9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA 第十章 邏輯/類比混合訊號 10.1 混合訊號特性 10.2 混合訊號電路 10.3 混合訊號的主動元件( Active device) 10.4 混合訊號被動元件(Passive device) 10.5 混合訊號電路特別需求 第十一章 記憶體 11.1 CMOS記憶體特性與分類 11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM 11.3 動態隨機存取記憶體DRAM 11.4 快閃記憶體Flash 11.5 發展中的先進記憶體 第十二章 分離元件 12.1 功率二極體 12.2 功率金氧半場效電晶體 12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體 12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET 12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor 12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC 12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體 第十三章 元件電性量測WAT 413 13.1 直流（DC）電性量測 13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測 13.3 RF 電性量測 13.4 元件模型 第十四章 SOC 與半導體應用 14.1 IC 功能分類 14.2 SOC 14.3 半導體應用 14.4 資訊電子Computer 14.5 通訊電子Communication 14.6 消費性電子Consumer 14.7 汽車電子Car 14.8 網際網路

電磁學 (2版)

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【原文書】 書名：Field and Wave Electromagnetics 2/e (台灣印製版) 作者 : David K. Cheng 出版社：PEARSON ISBN：9789862803165 【中文翻譯書】 書名：電磁學 第二版 原文書名：Field and Wave Electromagnetics 2/E 譯者：李永勳 作者: David K. Cheng 出版社：偉明 ISBN : 9789579899109 目　錄： 1:電磁模型 2:向量分析 3:靜電場 4:靜電問題的解 5:穩定電流 6:靜磁場 7:時變場和馬克斯威爾方程式 8:平面電磁波 9:傳輸線的原理及應用 10:波導管及空腔共振器 11:天線與輻射系統 A:符號與單位 B:一些重要常數 C:圖表索引

通訊原理 (Principles of Communications: Systems, Modulation, and Noise, 7/E) (7版)

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書名：通訊原理(第七版) 作者：繆紹綱(ZIEMER) 出版社：偉明 出版日期：2018/09/00 ISBN：9789869190329

半導體元件物理學第四版（上冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引  

半導體製造技術 (1版)

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【中文翻譯書】 書名 ：半導體製造技術 原文書名：Semiconductor Manufacturing Technology 原文作者：Michael Quirk 中文譯者：羅文雄 初版日期：2016 出版社：滄海 ISBN：9789867727701 本書特色 　 ●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面 　皆做完整詳盡的介紹。 ●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。 ●對大專在學學生及實際線上工程師而言，皆是一本優良的課程 　教材及技術入門手冊。 校閱者簡介 劉文超 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 許渭州 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 譯者簡介 羅文雄 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授 蔡榮輝 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立高雄師範大學物理系副教授 鄭岫盈 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 亞東技術學院電機工程系助理教授 本書目錄 　 第1章 半導體工業簡介 第2章 半導體材料特性 第3章 元件技術 第4章 矽與晶圓準備 第5章 半導體製造之化學特性 第6章 半導體製造廠之污染控制 第7章 量測與缺陷 第8章 製程反應室之氣體控制 第9章 IC製造概述 第10章 氧化 第11章 沈積 第12章 金屬化 第13章 微影：氣相塗底至軟烤 第14章 微影：對準與曝光 第15章 微影：光阻顯影與先進雕像 第16章 蝕刻 第17章 離子植入 第18章 化學機械平坦化 第19章 晶圓測試 第20章 裝配與封裝 附錄A 化學品及其安全性 附錄B 無塵室中的污染控制 附錄C 單位 附錄D 以氧化物厚度為函數的顏色 附錄E 光阻化學品概論 附錄F 蝕刻化學品

半導體元件物理學第四版（下冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 上冊目錄 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引   半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／592頁 規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初 出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程 下冊目錄 序言 譯者序一 譯者序二 導論 第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體 第四部分 負電阻以及功率元件 第九章 穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體 第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件 第十一章 閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件 第五部分 光子元件和感應器 第十二章 發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射 第十三章 光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池 第十四章 感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引