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書名:Kittel`s Introduction to Solid State Physics GE 2018
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固態物理學導論 (8版)
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原文書資訊 書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE) 作者: NEAMEN ISBN: 9780071089029 出版社: Mc Graw Hill 出版年: 2012年 中文書資訊 書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles) 作者: NEAMEN/ 楊賜麟 ISBN: 9789861578255 出版社: 東華 出版年: 2012年
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原文書資訊 書名:Kittel`s Introduction to Solid State Physics GE 2018 <JW> 作者: Kittel ISBN: 9781119454168 出版社: John Wiley 出版年: 2018年 書籍目錄: CHAPTER 1: CRYSTAL STRUCTURE. CHAPTER 2: WAVE DIFFRACTION AND THE RECIPROCAL LATTICE. CHAPTER 3: CRYSTAL BINDING AND ELASTIC CONSTANTS. CHAPTER 4: PHONONS I. CRYSTAL VIBRATIONS. CHAPTER 5: PHONONS II. THERMAL PROPERTIES. CHAPTER 6: FREE ELECTRON FERMI GAS. CHAPTER 7: ENERGY BANDS. CHAPTER 8: SEMICONDUCTOR CRYSTALS. CHAPTER 9: FERMI SURFACES AND METALS. CHAPTER 10: SUPERCONDUCTIVITY. CHAPTER 11: DIAMAGNETISM AND PARAMAGNETISM. CHAPTER 12: FERROMAGNETISM AND ANTIFERROMAGNETISM. CHAPTER 13: MAGNETIC RESONANCE. CHAPTER 14: DIELECTRICS AND FERROELECTRICS. CHAPTER 15: PLASMONS, POLARITONS, AND POLARONS. CHAPTER 16: OPTICAL PROCESSES AND EXCITONS. CHAPTER 17: SURFACE AND INTERFACE PHYSICS. CHAPTER 18: NANOSTRUCTURES. CHAPTER 19: NONCRYSTALLINE SOLIDS. CHAPTER 20: POINT DEFECTS. CHAPTER 21: DISLOCATIONS. CHAPTER 22: ALLOYS. 中文書資訊 書名: 固態物理學導論 Kittel`s Introduction to Solid State Physics 8/E 2006<高立> 作者: Kittel/ 魏榮君 ( 8/E) ISBN: 9789864123483 出版社: 高立 出版年: 2006年 書籍目錄: 第一章 晶體結構 第二章 倒晶格 第三章 晶體的結合和彈性常數 第四章 聲子 I －晶體振盪 第五章 聲子 II －熱效應 第六章 自由電子費米氣體 第七章 能 帶 第八章 半導體晶體 第九章 費米面與金屬 第十章 超導電性 第十一章 反磁性和順磁性 第十二章 鐵磁性和反鐵磁性 第十三章 磁共振 第十四章 電漿子、電磁偏極子與極化子 第十五章 光學過程與激子 第十六章 介電性與鐵電性 第十七章 表面與界面物理學 第十八章 奈米結構 第十九章 非晶態固體 第二十章 點缺陷 第二十一章 差 排 第二十二章 合 金 附 錄 中文索引 英中文索引
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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍 《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。 Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。 全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版） 第四版特色 1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。 2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。 3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。 4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇 1.1 簡介 1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度 1.5 載子傳輸現象 1.6 聲子、光和熱特性 1.7 異質接面與奈米結構 1.8 基本方程式與範例 【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰 2.5 暫態行為與雜訊 2.6 終端功能 2.7 異質接面 第三章 金屬—半導體接觸 3.1 簡介 3.2 位障的形成 3.3 電流傳輸過程 3.4 位障高度的量測 3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸 第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸 【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性 5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應 第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體 第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units) C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性 K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引
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書名：基礎固態物理(第2版) 作者：倪澤恩 出版社：五南 出版日期：2019/08/00 ISBN：9789571198972 內容簡介 固態物理的學習方法，基本上可以分成兩大類：第一類是把固態物質的特性具體的整理成多個主題，包含：晶體結構、倒晶格結構、能帶理論、力學特性、電學特性、光學特性、磁學特性、熱學特性、聲子物理、元激發…等等，分項討論說明。第二類是以單電子近似條件，從最簡單的古典粒子碰撞理論開始，透過固態物質的結構、電、光、磁、熱等特性分析，漸次以晶格結構、能帶理論、晶格振動、元激發、多體物理或統計力學作修正，進而建構出完整的固態物理。這兩種方法各有其優點，前者對於初學者似乎比較容易在短時間內掌握固態物質的特性，稱之為教學導向(Teaching-oriented)的方法；後者則似乎較有利於研究分析所需的能力培養，稱之為研究導向(Research-oriented)的方法。 對於剛剛開始以固態物理解決問題的想法可能是「代公式」，針對要面對的電、光、磁、熱現象，在書中找到「一個」電、光、磁、熱的「公式」代進去，但是往往會遇到所謂的「理論與實驗不符」的情況，然後不知所措，甚至於會認為固態物理是不實際的理論，無法適用於真實的量測結果分析；又或者同樣的電、光、磁、熱問題會有好幾個所謂的「公式」，對於初學者而言，可能會陷入不曉得要「代」哪一個「公式」的窘境。其實，固態物理是一門很應用的學科，是可以直接用來解決問題的，端賴我們如何學習或建構固態物理的圖像，如果我們可以把目前固態科學解決問題的過程與策略畫成一個環狀的邏輯圖，這樣就沒有起點；也沒有終點，無論從哪一個點進入固態的思考流程圖之後，都應該可以找到一個解決問題的大方向。 目錄 第1章 固態科學導論 1.1 面對固態科學的策略 1.2 固態物理與數學 第2章 統計力學的基本概念 2.1 統計力學與固態物理 2.2 相空間 2.3 Lagrange乘子 2.4 統計力學的三個基本分布函數 2.5 統計能量 2.6 Sommerfeld展開關係 第3章 量子力學的基本原理 3.1 Schrödinger方程式 3.2 量子力學的三項原理 3.3 量子力學的算符 3.4 三個典型的特殊位能 3.5 Heisenberg測不準原理 3.6 二階系統的能量交換過程 3.7 微擾理論 3.8 Hellmann-Feynman理論 3.9 Koopmans理論 3.10 Virial理論 3.11 單一電子的修正與近似 第4章 固態古典模型 4.1 古典固態科學 4.2 Drude模型 4.3 金屬導電特性的Drude模型 4.4 金屬光學特性的Drude模型 4.5 固態磁學特性的Drude模型 4.6 金屬導熱特性的Drude模型 第5章 晶體結構 5.1 晶體概論 5.2 晶體的對稱性 5.3 張量 5.4 晶體晶格 5.5 倒晶格 5.6 晶體中的X光繞射 第6章 電子能帶 6.1 電子能帶的引入 6.2 固態能帶的形狀 6.3 Bloch理論 6.4 理想條件下的三個能帶理論 6.5 能帶理論的二個微擾理論及其應用 6.6 由能帶理論衍生出的一些物理量 第7章 晶格動力學 7.1 晶格振動 7.2 晶格動力學的古典理論 7.3 動力學矩陣 7.4 黃昆方程式 第8章 電子傳輸現象—導電與導熱 8.1 粒子在固態中的傳輸現象 8.2 半經典模型 8.3 Boltzmann傳輸方程式 8.4 導電與導熱—Onsager關係 8.5 散射機制 8.6 van der Pauw法 第9章 固態光學 9.1 固態物質的光學特性 9.2 固態的古典光學特性 9.3 固態光學的量子模型 9.4 帶間躍遷與光學特性 第10章 固態磁學 10.1 基本固態磁學特性 10.2 Bohr-van Leeuwen理論 10.3 順磁性與逆磁性的Langevin理論 10.4 順磁性和逆磁性的量子理論 10.5 鐵磁性、反鐵磁性與亞鐵磁性的Weiss理論 第11章 固體比熱 11.1 固態物質的熱特性 11.2 晶格比熱 11.3 電子比熱 11.4 Schottky比熱 第12章 固態元激發 12.1 激子 12.2 聲子 12.3 磁子 12.4 電漿子 12.5 極化子 12.6 偏振子或極化激元 參考資料 索 引
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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 上冊目錄 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇 1.1 簡介 1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度 1.5 載子傳輸現象 1.6 聲子、光和熱特性 1.7 異質接面與奈米結構 1.8 基本方程式與範例 【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰 2.5 暫態行為與雜訊 2.6 終端功能 2.7 異質接面 第三章 金屬—半導體接觸 3.1 簡介 3.2 位障的形成 3.3 電流傳輸過程 3.4 位障高度的量測 3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸 第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸 【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性 5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應 第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體 第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units) C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性 K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引 半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／592頁 規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初 出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程 下冊目錄 序言 譯者序一 譯者序二 導論 第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體 第四部分 負電阻以及功率元件 第九章 穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體 第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件 第十一章 閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件 第五部分 光子元件和感應器 第十二章 發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射 第十三章 光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池 第十四章 感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引
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物理化學II：量子力學 ISBN13：9789865035044 出版社：全華圖書 作者：黃定加;黃玲媛;黃玲惠-編 裝訂／頁數：平裝／600頁 規格：26cm*19cm*2cm (高/寬/厚) 版次：1 出版日：2020/10/01 中國圖書分類：量子論 內容簡介 ■ 本書特色 1.本書中之論述力求簡明扼要、循序漸進，且於書中多舉例題以提昇學習的效果，並於各章的後面均附習題，以備讀者自行研習解答，增進對於有關理論的瞭解。 2.本書的內容適合作為一般大學及科技大學之化學、化學工程、環境工程、材料科技、生化科技與醫藥學系及相關研究所之物理化學及相關課程的教材，亦可作為從事上述各領域之研究及工作人員的參考書。 3.本書所包括的內容較多、範圍較廣且較深入，教師可配合系所之發展重點及需要，自行選擇適合的章節內容講授。 ■ 內容簡介 本書中之論述力求簡明扼要、循序漸進，且於書中多舉例題以提昇學習的效果，並於各章的後面均附習題，以備讀者自行研習解答，增進對於有關理論的瞭解。本書中之專有名詞的後面，均附其對照的英文名詞。本書的內容適合作為一般大學及科技大學之化學、化學工程、環境工程、材料科技、生化科技與醫藥學系及相關研究所之物理化學及相關課程的教材，亦可作為從事上述各領域之研究及工作人員的參考書。本書所包括的內容較多、範圍較廣且較深入，教師可配合系所之發展重點及需要，自行選擇適合的章節內 容講授。 目錄 第十四章 液相反應動力學 14-1 14-1 液相中的反應速率之特性 14-1 14-2 溶液中的離子反應 14-3 14-3 溶液中的擴散控制反應 14-6 14-4 溶液中的快速反應的實驗方法 14-8 14-5 水中的基本反應之速率常數 14-12 14-6 二氧化碳之水合反應 14-13 14-7 酸觸媒及鹼觸媒的反應 14-15 14-8 酶的觸媒反應 14-19 14-9 酶的觸媒反應之抑制 14-25 14-10 輔助酶的反應 14-27 14-11 逐步成長聚合反應 14-29 14-12 逐步成長聚合物之莫耳質量的分佈 14-32 14-13 分枝及架橋的縮合聚合物 14-36 14-14 自由基聚合反應 14-37 第十五章 溶液中的不可逆過程 15-1 15-1 液體之黏度 15-1 15-2 高聚合物溶液之黏度 15-6 15-3 電導性 15-10 15-4 當量電導 15-13 15-5 電移動度 15-17 15-6 氫離子與氫氧基離子之電移動度 15-21 15-7 電導度與電移動度間的關係 15-22 15-8 擴散 15-23 15-9 擴散係數之實驗量測 15-25 15-10 擴散與布朗運動間的關係 15-28 15-11 球形的巨大分子之擴散 15-29 15-12 速度沉降 15-30 15-13 平衡超級離心 15-33 15-14 電透析 15-35 15-15 極限電流密度 15-37 15-16 電透析之質量傳送 15-42 第十六章 量子論 16-1 16-1 電子 16-1 16-2 電磁輻射 16-4 16-3 電磁光譜 16-5 16-4 洞穴輻射 16-7 16-5 光電效應 16-12 16-6 氫原子之光譜 16-13 16-7 Bohr 學說 16-15 16-8 輻射線之似粒子性質 16-19 16-9 粒子之似波性質 16-20 16-10 Heisenberg的不確定性原理 16-22 16-11 Schrödinger方程式 16-24 16-12 一次元的箱內粒子 16-27 16-13 三次元的箱內粒子 16-31 16-14 運算子 16-34 16-15 固預期值 16-38 16-16 調和振動子 16-39 16-17 隧道效應 16-42 16-18 角動量 16-44 16-19 二粒子的剛性轉動體 16-48 第十七章 原子構造 17-1 17-1 似氫原子之Schrödinger方程式 17-1 17-2 似氫原子之固有函數與或然率密度 17-7 17-3 似氫原子之軌道角動量 17-18 17-4 電子的旋轉 17-21 17-5 攝動法 17-26 17-6 變分法 17-28 17-7 氦原子 17-31 17-8 庖立的排斥原理 17-34 17-9 氦之第一激勵狀態 17-36 17-10 鋰原子 17-37 17-11 Hartree-Fock的自一貫力場法 17-38 17-12 週期表與Aufbau原理 17-41 17-13 離子化電位 17-49 17-14 電子親和性 17-52 17-15 多電子原子之角動量 17-53 17-16 原子的光譜項符號 17-56 第十八章 分子的電子構造 18-1 18-1 二原子的分子之解離能 18-1 18-2 Born-Oppenheimer的近似 18-4 18-3 氫分子的離子 18-6 18-4 氫分子之分子軌道的描述 18-14 18-5 氫分子之價鍵的描述 18-9 18-6 同種核二原子分子之電子組態 18-22 18-7 二原子的分子之分子軌道 18-26 18-8 混成軌道 18-27 18-9 π鍵 18-30 18-10 配位結合 18-32 18-11 鍵半徑 18-36 18-12 電陰性 18-38 18-13 離子結合 18-39 18-14 氫鍵 18-41 18-15 偶極子矩 18-43 18-16 介電常數 18-44 18-17 極化 18-46 18-18 氣態分子之偶極子矩 18-47 18-19 凡得瓦力 18-49 第十九章 分子光譜 19-1 19-1 基礎觀念 19-1 19-2 核的運動之Schödinger方程式 19-3 19-3 二原子的分子之轉動光譜 19-4 19-4 轉動光譜線之強度 19-9 19-5 多原子的分子之轉動光譜 19-10 19-6 二原子的分子之振動光譜 19-15 19-7 二原子的分子之振動−轉動光譜 19-22 19-8 多原子的分子之振動光譜 19-26 19-9 二原子的分子之電子光譜 19-29 19-10 Franck-Condon的原理 19-31 19-11 多原子的分子之電子光譜 19-34 19-12 自由電子模式 19-35 19-13 拉曼光譜 19-36 19-14 核的磁共振 19-42 第二十章 光化學 20-1 20-1 光化學之法則 20-1 20-2 光之吸收 20-2 20-3 狀態能量圖 20-7 20-4 螢光 20-11 20-5 磷光 20-15 ...
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