馭電風城：從交通大學的復校到電子所創立，改變臺灣半導體產業的歷史 (1版)

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【簡介】 從戰後遷臺的百廢待興， 到研製出臺灣首批電晶體與積體電路， 交通大學的復校運動，如何影響臺灣電子產業的發展   　　第一臺電視訊號發射機、雷射、電晶體再到積體電路，交通大學電子研究所在一九五〇至一九六〇年代，陸續研發關鍵技術、自製科技產品，成功推動臺灣電子產業的進程。然而原以培育「路、輪、電、郵」等基礎建設人才為主的交通大學，為何在臺灣復校卻是以「電子研究所」起家？政府政策、美援，以及校友，如何牽動復校運動，進而改寫臺灣產業史？   　　▎從「交通」轉向「電子」的復校歷程 　　一九四九年國民政府遷臺後，交大校友便陸續倡議在臺復校；但對於當時的政府而言，臺灣為暫居之地，培育基礎建設人才的需求遠不及收復土地的重要，復校提案便因政府政策、國家財政等因素受阻。   　　然而，戰後與軍事相關的原子科學發展迅速，連帶帶動各國電子科學領域的發展，與清大的原子研究所相對應的交大電子研究所構想浮現檯面，為復校帶來一線生機。書中透過爬梳此段歷史，呈現「工程師」們的復校計畫是如何與國家政權磨合，並緊扣時代的變遷，最終推動了臺灣第一間電子所。   　　▎邁入原子與電子的時代，影響戰後研究的國際力量 　　借助聯合國特別基金計畫、美援相對基金，交通大學在電子研究所成立後，除了挹注資源在硬體建設上，也透過校友的引介邀請到多位專家學者授課、建置實驗室等，為交大的研究發展打下基礎。並在一九六二年引進第一部電子計算機；一九六五 年自製雷射，研製第一枚平面電晶體； 一九六六年更成功自製第一顆積體電路，見證臺灣電子產業發展前沿。   　　本書從機構史角度出發，爬梳檔案文獻、報章雜誌、佐以口述訪談紀錄，重現時代中錯綜複雜的機構與人物關係，釐清遷臺後國民政府、交大校友、美援等多項因素交互影響的復校脈絡，重新探索臺灣電子產業發展最初、也最為關鍵的節點。   　　★ 影響臺灣電子產業的關鍵十年 ★ 　　1956│交大復校籌備委員會以電子研究為方向，積極奔走。 　　1958│電子研究所成立，交通大學順利在臺灣復校。 　　1961│自製電視訊號發射機，為臺灣電視廣播之始。 　　1962│引進、展出臺灣第一部電子計算機。 　　1965│自製氦氖氣體雷射，研製臺灣第一批電晶體。 　　1966│成功自製臺灣第一顆積體電路。 　　1967│電子所改制為工學院，招生學士班及博士班，培養第一批本土工學博士。   　　從清末的南洋公學，到改寫積體電路產業的交通大學； 　　從作育無數路、輪、電、郵之英才，到培養臺灣電子產業第一批領航者； 　　交通大學的復校歷史，同步見證了臺灣電子產業的風起。   本書特色   　　•爬梳冷戰時期的機構史，以大學為出發，微觀美援與聯合國如何推進臺灣科學研究。 　　•透過第一手訪談與典藏史料交互映證，從工程師與研究者的第一視角，重現臺灣電子科學早期的景況。 　　•收錄台灣電子科學界及交大復校重要人物生平，藉由人物歷史，探索遷臺後大學如何在臺落地生根。【目錄】 校長序 同行致遠 ／林奇宏 院長序 臺灣高科技產業的縮影 ／王蒞君 館長序 歷史需要被記憶 ／黃明居 作者序  工程師的奇蹟 ／郭力中 序曲 晚清變局的曙光（一八九六─一九一一） 烽火下向學不倦（一九一二─一九四九） 領航現代化建設 第一章  新枝初萌：艱困的復校 交大雖舊，其命維新 一封來自美國的電報 預算和目標的攻防戰 第二章 根植風城：電子研究所的奠基 風馳電掣的開場 我們的電子年 研究與課程藍圖 第三章  桃李燦漫：電子所與研究生教育 覓良師煞費苦心 得英才而教育之 往事並不如煙 第四章 廣傳新知：引領臺灣跨入新紀元 錢公南與他眼中的未來 電信電子訓練研究中心 啟電腦教育之先河 第五章 曙光初綻：交大電子所領航科技創新 小發明與大貢獻 開啟臺灣電視新紀元 打造護國神山 改變世界那道光 尾聲 餘波意猶未盡 交大工學院重生 電子產業的磐石 附錄 附錄一：交通大學校史與電子研究所年表 附錄二：人物專訪節選 附錄三：交大復校籌備委員會委員生平 參考書目

半導體積體電路製程技術入門 (1版)

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【簡介】 　　本書依據作者多年授課經驗與講義內容，經過有系統的整理與編撰，是一本具基礎且淺顯易懂、適合作為入門的書籍。透過清晰流暢的敘述，詳盡解析半導體積體電路的應用知識，從基礎概念逐步拓展，使讀者能夠穩健踏入此領域，並建立扎實的專業基礎。 　　全書共分為十一章，涵蓋半導體積體電路技術的基礎、相關產業概論、半導體晶圓製造廠、洗淨製程、熱氧化製程、物理式薄膜製程、化學式薄膜製程、離子佈植製程、光微影製程、化學機械研磨製程、封裝製程等主題。 本書特色 　　1.循序漸進、深入淺出：以條理分明的方式講解半導體積體電路技術，幫助讀者輕鬆入門，並逐步建立扎實的專業知識。 　　2.涵蓋新製程技術：內容緊跟產業發展，介紹當前半導體積體電路產業中的最新技術與趨勢，使讀者掌握前沿知識。 　　3.專有名詞雙語標示：書中專業術語附有中英文對照，便於查閱與進一步理解相關文獻，提升學習效率。 　　4.章節習題強化理解：各章節搭配習題演練，幫助讀者檢視學習成效，鞏固對關鍵概念的掌握。 【目錄】 第零章 半導體積體電路技術的基礎 第一章 半導體積體電路產業及其相關技術的基本概念 第二章 半導體晶圓製造廠 第三章 洗淨製程技術 第四章 熱氧化製程技術 第五章 物理式薄膜製程技術 第六章 化學式薄膜製程技術 第七章 離子佈植製程技術 第八章 光微影製程技術 第九章 化學機械研磨製程技術 第十章 封裝製程技術 附錄一 通用性物理常數 附錄二 參考性實驗數據 附錄三 價值性市場圖表 附錄四 元素週期表 英中文索引

半導體產業概論 (1版)

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【簡介】 　　本書內容涵蓋基礎半導體知識到產業應用，幫助讀者了解最新知識與技術，全書共七章，第一章將回顧半導體的發展歷程與產業概況。第二章至第五章則依序探討半導體的核心領域，包括IC設計、製程技術、半導體記憶體與封裝技術。在第六章中，將介紹當前最受矚目的第三類半導體材料與新興技術，例如氮化鎵(GaN)與碳化矽(SiC)。最後，第七章將分析半導體產業的未來發展趨勢，並探討臺灣在全球半導體供應鏈中的角色與競爭優勢。作為全球半導體產業的重要樞紐，臺灣憑藉先進製程技術與完整供應鏈，在全球市場占據關鍵地位。 本書特色 　　1.深入探討半導體製程技術：詳細介紹半導體晶圓製造流程，包括氧化、擴散、薄膜、微影及蝕刻製程，讓讀者深入理解製程技術的核心概念。 　　2.涵蓋先進材料與元件技術：專章介紹第三類半導體寬能隙材料與元件，以及功率半導體元件的應用，提供新興技術的最新資訊。 　　3.展望產業未來發展趨勢：分析半導體產業的未來展望，探討新興技術的發展方向，幫助讀者掌握產業脈動，預測未來趨勢。 【目錄】 CH1 簡介及概述 1-1 積體電路技術導論 1-2 半導體產業概述 CH2 IC設計 2-1 IC設計歷史背景 2-2 IC設計方法介紹(methodology) 2-3 IC設計與元件模型 2-4 各類IC積體電路應用 CH3 晶圓代工 3-1 作業環境 3-2 半導體製程 CH4 記憶體 4-1 半導體記憶體介紹 4-2 動態隨機存取記憶體(DRAM) 4-3 快閃記憶體(Flash memory) 4-4 前瞻式非揮發性記憶體(Emergy memory) CH5 封裝測試 5-1 封裝前言 5-2 封裝製程 5-3 IC封裝技術 5-4 IC封裝的未來與挑戰 CH6 第三類半導體及新興技術 6-1 第三類寬能隙半導體概論 6-2 功率半導體元件介紹 6-3 氮化鎵功率半導體元件 6-4 碳化矽功率半導體元件 6-5 第三類半導體產業未來發展趨勢 CH7 結語與展望 習題演練

半導體元件物理-觀念解析與實務應用 2版 (2版)

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【簡介】 本書內容可以作為一學期或一學年兩學期之半導體元件物理的課程教材使用，也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念，強調觀念與實務兼顧，因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學，但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋，並盡可能以共通的基本原理原則，貫通前後章節的知識概念，使讀者輕易掌握其中條理脈絡，以內化成自己紮實的知識。因此，對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識，可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題，會是很好的切入點。 　　相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍，本書的特色至少包括： 涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。 以直觀的「物理現象」與「電機概念」，用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。 各章節中對於基礎、重要的內容，屬於讀者必須瞭解的觀念或公式，均提供作者特別設計之經典題型的「範例」，其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。 各章節中對於容易混淆的觀念或公式，均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說，讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果，而能吸收內化成為自己的知識，歷久不忘。 各章節中基礎、重要的內容，均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型，然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 )，作者均設計補足。 【目錄】 1 導　論 2 半導體材料與晶體結構 3 半導體能帶觀念 4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度 5 導電載子的傳輸 6 非平衡狀態時的過量載子 7 PN接面 8 PN接面二極體 9 理想MOS結構 10 實際MOS元件 11 MOSFET元件 附錄A 物理常數 附錄B 轉換因數 附錄C 溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質 附錄D 溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質 附錄E Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係 中英文索引