半導體製造技術 (1版)

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【中文翻譯書】 書名 ：半導體製造技術 原文書名：Semiconductor Manufacturing Technology 原文作者：Michael Quirk 中文譯者：羅文雄 初版日期：2016 出版社：滄海 ISBN：9789867727701 本書特色 　 ●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面 　皆做完整詳盡的介紹。 ●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。 ●對大專在學學生及實際線上工程師而言，皆是一本優良的課程 　教材及技術入門手冊。 校閱者簡介 劉文超 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 許渭州 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 譯者簡介 羅文雄 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授 蔡榮輝 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立高雄師範大學物理系副教授 鄭岫盈 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 亞東技術學院電機工程系助理教授 本書目錄 　 第1章 半導體工業簡介 第2章 半導體材料特性 第3章 元件技術 第4章 矽與晶圓準備 第5章 半導體製造之化學特性 第6章 半導體製造廠之污染控制 第7章 量測與缺陷 第8章 製程反應室之氣體控制 第9章 IC製造概述 第10章 氧化 第11章 沈積 第12章 金屬化 第13章 微影：氣相塗底至軟烤 第14章 微影：對準與曝光 第15章 微影：光阻顯影與先進雕像 第16章 蝕刻 第17章 離子植入 第18章 化學機械平坦化 第19章 晶圓測試 第20章 裝配與封裝 附錄A 化學品及其安全性 附錄B 無塵室中的污染控制 附錄C 單位 附錄D 以氧化物厚度為函數的顏色 附錄E 光阻化學品概論 附錄F 蝕刻化學品

半導體製程與整合（THC） (1版)

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【簡介】 本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。 先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。 材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。 半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。 本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。 【目錄】 第一章 半導體積體電路發展 第二章 基礎半導體材料 第三章 基礎半導體元件 第四章 氧化與加熱製程 第五章 微影製程 第六章 擴散與離子佈植製程 第七章 蝕刻製程 第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積 第九章 半導體金屬化製程 第十章 CMOSFET製程整合 第十一章 先進元件製程 第十二章 FinFET製程整合 第十三章 半導體材料分析技術 第十四章 半導體元件製程發展趨勢

精密機械加工原理

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書名：精密機械加工原理 作者：唐文聰 出版社：全華 出版日期：2004/12/00 ISBN：9789572146347 內容簡介 　　本書針對切割、研磨、研光、拋光、能量束加工的基本精密加工技術及各種加工法的作用原理，為什麼採用該加工法的加工原則，進一步，能加工到何種程度的加工技術水準，儘可能避免細部專門論，或公式展開。基本上，敘述易懂的基本重點，是編集的宗旨在。如果利用本書而可以體驗到精密加工技術真髓的話，則在面對加工技術現場時，對於了解各個專門技術，應該可以很順利的展開。本書可做為欲學到精密加工技術之人員的參考書，更可做為機械工程學系之大學及研究所教科用書。 本書特色 　　1.本書為目前政府推動高科技尖端工業不可或缺的工具書。 　　2.本書內容涵蓋現今所有高科技領域，包含切割、研磨、研光、拋 光、能量束加工等基本精密加工技術，並以深入淺出及豐富的圖表圖片來闡述超精密加工技術及未來發展趨勢。 　　3.本書適合大學、科大機械科系及相關產業之技術人員使用。 目錄 第1章 產生精密度原理 1.1機械加工的歷史與精密度的變遷 1.2機械加工的種類與特徵 1.3產生精密度的基本原理 1.3.1與工作物有關的原理 1.3.2與刀具有關的原理 1.3.3工作母機原理 1.3.4與力、熱有關的原理 1.3.5整體化原理 1.4精密機械加工的量測、評價 1.4.1量測尺寸精度 1.4.2量測形狀精度 1.4.3觀察表面微細形狀 1.4.4量測表面粗糙度 1.4.5量測表面狀態 1.4.6量測加工變質層 第2章　切削加工原理 2.1切削加工的特徵 2.2切削加工用工作母機與刀具 2.2.1車床 2.2.2搪床 2.2.3牛頭鉋床、龍門鉋床 2.2.4銑床 2.2.5鑽床 2.2.6其他切削加工用工作母機及刀具 2.2.7自動化工作母機 2.2.8複合化、彈性化工作母機 2.3切削刀具用材質 2.4切削加工的準備工作 2.4.1選擇切削刀具 2.4.2夾持工作物的方法 2.4.3切削液 2.5切削加工原理 2.5.1二維切削與實際切削(三維切削) 2.5.2切屑形態 2.5.3影響切屑形態的因素 2.6切削機構(產生切屑的原理) 2.6.1二維切削的剪斷角與剪斷變形 2.6.2二維切削的切削阻力 2.6.3三維切削(一般切削)的切削阻力 2.6.4剪斷角的理論與實際 2.7切削加工產生的各種現象 2.7.1切削熱與切削溫度 2.7.2刀具的磨耗、損傷與壽命 2.7.3刀瘤 2.7.4切削造成的振動 2.7.5加工變質層 2.7.6毛邊與微崩 2.8切削加工表面的造形原理 2.9影響切削加工表面精密度的因素 2.9.1工作母機的運動精度 2.9.2工作物及刀具的夾持狀態 2.9.3切削阻力造成的變形及振動 2.9.4熱變形及變位 2.9.5刀具磨損 2.9.6刀瘤 2.9.7殘留應力造成的工作物變形 2.10各種工作母機的精密機械加工原理 2.10.1車削加工 2.10.2搪孔加工 2.10.3銑削加工 2.10.4鑽孔加工 第3章　研磨加工原理 3.1磨粒加工與磨粒 3.1.1磨粒加工的特徵 3.1.2磨粒的種類 3.1.3磨粒的大小(粒度)與破脆性 3.2研磨加工的特徵 3.3磨輪 3.4研磨加工用工作母機 3.4.1平面磨床 3.4.2圓筒磨床 3.4.3內孔磨床 3.4.4無心磨床 3.4.5限制加工目的的磨床 3.5研磨加工原理 3.5.1研磨加工的準備 3.5.2磨輪切刃的去除作用 3.5.3研磨幾何學(研磨加工面的造形原理) 3.5.4研磨阻力與比研磨能量 3.5.5研磨熱與熱損傷(研磨燒焦、熱膨脹) 3.6磨輪損耗(磨粒脫落、磨粒不脫落、填塞)與壽命 3.6.1研磨進行中，研磨工作面的變化 3.6.2影響刀刃再生作用的因素 3.6.3研磨比( ratio) 3.6.4磨輪的壽命(修整壽命) 3.7影響研磨加工面精密度的因素 3.7.1磨床的剛性與運動精度 3.7.2磨輪及工作物的夾持狀態 3.7.3磨輪工作面的狀態 3.7.4研磨阻力造成的彈性變位 3.7.5熱造成的變形與變位 3.7.6殘留應力造成的工作物變形 3.8各種磨床的精密機械加工原理 3.8.1平面磨床 3.8.2圓筒研磨 3.8.3內孔研磨 3.8.4無心研磨 第4章　研光原理 4.1切削、研磨加工與研光、拋光加工的不同 4.2研光加工原理與加工方式 4.2.1研光加工原理 4.2.2研光用磨粒、工具、加工設備 4.3金屬材料的研光 4.4非金屬材料(硬脆材料)的研光 4.4.1加工機構 4.4.2加工特性 第5章　拋光原理 5.1拋光加工原理 5.1.1拋光機構概要 5.1.2決定拋光加工效率的因素 5.2拋光加工方式概要 5.2.1游離磨粒方式 5.2.2固定磨粒方式 5.2.3無磨粒方式 5.3金屬材料的拋光 5.3.1利用固定磨粒方式的拋光 5.3.2利用游離磨粒方式的拋光 5.4非金屬材料的拋光 5.4.1利用超精密研磨的鏡面加工 5.4.2利用游離磨粒方式的拋光 5.4.3利用無磨粒方式的拋光 5.5最近的超精密拋光 5.5.1超精密拋光的特徵與需求 5.5.2機械式拋光 5.5.3機械式、化學式拋光 5.5.4化機式拋光 5.5.5機化式拋光 5.5.6化學式拋光 5.5.7拋光的化學反應特異性 第6章　高能量束加工原理 6.1高能量束加工的分類與特徵 6.2雷射加工 6.2.1雷射振盪原理 6.2.2雷射加工原理 6.2.3雷射加工實例 6.3電子束加工 6.3.1電子束加工原理與特徵 6.3.2電子束加工設備 6.3.3電子束加工實例 6.4離子束加工 6.4.1離子束加工原理與特徵 6.4.2離子源 6.4.3離子束加工實例 6.5放電加工 6.5.1放電加工原理與特徵 6.5.2彫刻形狀放電加工 6.5.3線切割放電加工

通訊系統：類比與數位 (2版)

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通訊系統：類比與數位 ISBN13：9789863782384 出版社：高立 作者：Haykin(繆紹綱) 裝訂／頁數：平裝／592頁 版次：2 出版日：2020/06/00 內容簡介 通訊系統課程是各國多數大學電機、電子工程相關學系必修或選修的基礎課程。此課程通常會安排在大學三年級，建議讀者最好先具備微積分、電子學、訊號與系統以及機率論等課程的基礎。 　　由於此課程的重要性與學習上的門檻，因此原文作者有特別留意課程的安排與架構的規劃。在課程的敘述上儘量以簡明、準確為原則，並依照教學經驗與以往讀者們的反應，在二版安排有助於學習的大量範例、習題和實驗；並搭配精心設計的 Matlab 實驗習題，讓讀者以更快、更清楚的方式學會本書課程內容。此書中文編譯也遵循此一方向全書完整編譯，並配合中文讀者的學習背景與中文描述上的特性，適度潤飾與勘誤部分原著內容，讓中文版讀者能獲得最大的學習成果。 　　數學是解釋通訊原理非常重要的精準語言，它與一般文字的表達相輔相成，兩者在本書已呈現極適當的平衡，此回中文版本新書更是通訊系統入門教材中難得的佳作，想要學好此門課程的讀者千萬不可錯過。 目錄 Chapter 1 簡 介 Chapter 2 信號和系統的傅立葉表示 Chapter 3 振幅調制 Chapter 4 角度調制 Chapter 5 脈波調制：從類比到數位的過渡 Chapter 6 基帶資料傳輸 Chapter 7 數位帶通調制技術 Chapter 8 隨機信號與雜訊 Chapter 9 類比通訊中的雜訊 Chapter 10 數位通訊中的雜訊 Chapter 11 系統與雜訊計算 Appendix 1 功率比和分貝 Appendix 2 傅立葉級數 Appendix 3 貝索函數 Appendix 4 Q 函數及其與誤差函數的關係 Appendix 5 舒瓦茲不等式 Appendix 6 數學表 Appendix 7 第7~10 章中針對計算機實驗習題的MATLAB腳本 Appendix 8 練習題的答案 詞彙表 中英文索引

半導體製程設備技術 (3版)

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【簡介】 　　半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。 　　在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。 【目錄】 序 致謝 第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇 0.1 設備維修該有的認知及態度 0.2 設備安全標示的認識 0.2.1 設備安全標示的認識 0.2.2 個人防護裝備的認識 0.3 設備機電系統的定義及分類 類比控制系統 數位控制系統 0.4 設備控制系統 0.5 常見電路圖圖示認識 0.6 半導體導論 參考資料 第一章 擴散設備（Diffusion）篇 1.1 爐管（Furnace） 1.1.1 爐管設備系統架構 1.1.2 爐管製程介紹 1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹 1.1.4 經驗分享 1.2 離子植入（Ion Implant） 1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介 1.2.4 離子植入製程後的監控與量測 1.2.5 離子植入機操作注意事項 1.2.6 離子植入製程問題討論與分析 參考文獻 101 第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法 2.1.1 濕式清洗的目的 2.1.2 濕式蝕刻的目的 2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響 2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術 2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨 2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除 2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術 2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術 2.3 化學品供應系統 2.3.1 化學品分類 2.3.2 化學品供應系統 2.4 wet bench結構與循環系統 2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構 2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統 2.4.3 循環系統與乾燥系統 參考文獻 第三章 薄膜設備（Thin Films）篇 3.1 電漿（Plasma） 3.1.1 電漿產生的原理 3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器 3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD） 3.2.0 簡介 3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD） 3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD） 3.3.1 熱蒸鍍 3.3.2 電子束蒸鍍 3.3.3 濺鍍 參考文獻 第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇 4.0 前言 4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher） 4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors） 4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹 4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE） 4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE） 4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE） 4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors） 4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC） 4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP） 4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR） 4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP） 4.2 晶圓固定與控溫設備 4.3 終點偵測裝置（End point detectors） 4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes） 4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較 4.4.2 乾式蝕刻機制 4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象 4.4.4 各式製程蝕刻說明 4.5 總結 參考文獻 第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇 5.1 前言 256 5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer） 5.2.1 光阻塗佈系統（Coater） 5.2.2 顯影系統（Developer） 5.3 曝光系統（Exposure System） 5.3.1 光學微影（Optical Lithography） 5.3.2 電子束微影（E-beam Lithography） 5.4 現在與未來 5.4.1 浸潤式微影（Immersion Lithography） 5.4.2 極紫外光微影（Extreme Ultraviolet Lithography） 5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography） 5.5 工作安全提醒 參考文獻 第六章 研磨設備（Polishing）篇 6.1 前言 6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP） 6.2.1 研磨頭 6.2.2 研磨平臺 6.2.3 研磨漿料控制系統 6.2.4 清洗／其他 6.3 研磨漿料 6.4 化學機械研磨製程中常見的現象 6.5 化學機械研磨常用的化學品 參考文獻 第七章 IC製造概述篇 7.1 互補式金氧半電晶體製造流程（CMOS Process Flow） 前段製程（FEOL） 後段製程（BEOL） 7.2 CMOS閘極氧化層陷阱電荷介紹 四種基本及重要的電荷 高頻的電容對電壓特性曲線（C-V curve） 7.3 鰭式電晶體元件製造流程（FinFET Device Process Flow） PMOS鰭式場效應電晶體（PMOS bulk FinFET）製造流程 7.4 碳化矽高功率元件（SiC Power Device）—接面位障蕭特基二極體（Junction Barrier Schottky Diode, JBSD）製造流程 7.5 氮化鎵功率元件製造流程（GaN-on-Si HEMT Power device Process Flow） 參考文獻 第八章 控制元件檢測及維修篇 8.1 簡介 8.2 維修工具的使用 8.2.1 一般性維修工具組 8.2.2 三用電表的使用 8.2.3 示波器 （oscilloscope）的使用 8.2.4 數位邏輯筆的使用 8.3 設備機台常見的控制元件與儀表控制器 8.3.1 電源供應器（Power Supply） 8.3.2 溫度控制器（Temperature Controller） 8.3.3 伺服與步進馬達（Servo and Stepping motor） 8.3.4 質流控制器（Mass Flow Controller, MFC） 8.3.5 電磁閥（Solenoid Valve） 8.3.6 感測器（Sensor） 8.3.7 可程式邏輯控制器（PLC） 參考文獻 索引

半導體製程設備技術 (2版)

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半導體製程設備技術 Semiconductor Technology-Process and Equipment 作 者：楊子明 、鍾昌貴 、沈志彥 、李美儀 、吳鴻佑 、詹家瑋 總校閱：吳耀銓 出版社別：五南 出版日期：2022/09/02(2版6刷) ＩＳＢＮ：978-957-11-9513-1 書 號：5DE0 頁 數：424 開 數：16K ‧深入淺出的專業知識 ‧製程程序步驟詳細介紹及圖說 ‧培養扎實基礎與實際應用能力 　　半導體(Semiconductor)是介於導體(Conductor)與絕緣體(Insulator)之間的材料。我們可以輕易的藉由摻質(Dopant)的摻雜(Doping)去提高導電度(Conductivity)。其中二六族及三五族是為化合物半導體(Compound Semiconductor)材料，大部分是應用於光電領域，如發光二極體(Light Emitting Diode, LED)、太陽能電池(Solar cell)等。而目前的積體電路(Integrated Circuit, IC)領域，主要還是以第四族的矽(Si)為主的元素半導體，也就是目前的矽晶圓(Silicon Wafer)基底材料(Substrate) 。 　　在未來的日子，我們可預見晶圓廠裡將有可能全面改為自動化的運作，到那時將不再需要大量的操作人員。而主要的人力將會是工程師(含)以上的職務，所以希望能以此書與各位以及想轉職的朋友們提供一個分享，讓大家都能對於常見的機台設備及其製程技術，有一個全觀的認識，以提升職場的競爭力。 目錄 序 致謝 第○章 設備維修需具備的知識技能以及半導體導論篇 0.1 設備維修該有的認知及態度 0.2 設備安全標示的認識 0.2.1 設備安全標示的認識 0.2.2 個人防護裝備的認識 0.3 設備機電系統的定義及分類 類比控制系統 數位控制系統 0.4 設備控制系統 0.5 常見電路圖圖示認識 0.6 半導體導論 參考資料 第一章 擴散設備（Diffusion）篇 1.1 爐管（Furnace） 1.1.1 爐管設備系統架構 1.1.2 爐管製程介紹 1.1.3 製程程序步驟（Recipe）介紹 1.1.4 經驗分享 1.2 離子植入（Ion Implant） 1.2.1 離子植入製程基礎原理 1.2.2 離子植入機設備系統簡介 1.2.3 離子植入製程在積體電路製程的簡介 1.2.4 離子植入製程後的監控與量測 1.2.5 離子植入機操作注意事項 1.2.6 離子植入製程問題討論與分析 參考文獻 101 第二章 濕式蝕刻與清潔設備（wet bench）篇 2.1 濕式清洗與蝕刻的目的及方法 2.1.1 濕式清洗的目的 2.1.2 濕式蝕刻的目的 2.1.3 污染物對半導體元件電性的影響 2.2 晶圓表面清潔與蝕刻技術 2.2.1 晶圓表面有機汙染（organic contamination）洗淨 2.2.2 晶圓表面原生氧化層的移除 2.2.3 晶圓表面洗淨清潔技術 2.2.4 晶圓表面濕式蝕刻技術 2.3 化學品供應系統 2.3.1 化學品分類 2.3.2 化學品供應系統 2.4 wet bench結構與循環系統 2.4.1 濕式蝕刻及清潔設備（wet bench）結構 2.4.2 濕式蝕刻及清洗設備（wet bench）傳動系統 2.4.3 循環系統與乾燥系統 參考文獻 第三章 薄膜設備（Thin Films）篇 3.1 電漿（Plasma） 3.1.1 電漿產生的原理 3.1.2 射頻電漿電源（RF Generator）的功率量測儀器 3.2 化學氣相沉積設備系統（Chemical Vapor Deposition, CVD） 3.2.0 簡介 3.2.1 電漿輔助化學氣相沉積（PECVD） 3.2.2 新穎化學氣相沉積系統與磊晶系統（ALD、MBE、MOCVD） 3.3 物理氣相沉積設備系統（Physical Vapor Deposition, PVD） 3.3.1 熱蒸鍍 3.3.2 電子束蒸鍍 3.3.3 濺鍍 參考文獻 第四章 乾式蝕刻設備（Dry Etcher）篇 4.0 前言 4.0.1 乾式蝕刻機（Dry Etcher） 4.0.2 蝕刻腔體設計概念（Design Factors） 4.1 各種乾式蝕刻腔體設備介紹 4.1.1 反應式離子蝕刻機（Reactive Ion Etcher, RIE） 4.1.2 三極式電容偶合蝕刻系統（Triode RIE） 4.1.3 磁場增進式平行板電極（Magnetically Enhance RIE, MERIE） 4.1.4 高密度電漿蝕刻腔體（High Density Plasma Reactors） 4.1.5 多極式磁場侷限式電漿（Magnetic Multipole Confinement, MMC） 4.1.6 電感應偶合電漿（Inductive Couple Plasma, ICP） 4.1.7 電子迴旋共振式電漿（Electron Cyclotron Resonance, ECR） 4.1.8 螺旋微波電漿源（Helicon Wave Plasma Source, HWP） 4.2 晶圓固定與控溫設備 4.3 終點偵測裝置（End point detectors） 4.4 乾式蝕刻製程（Dry Etching Processes） 4.4.1 乾式蝕刻與濕式蝕刻的比較 4.4.2 乾式蝕刻機制 4.4.3 活性離子蝕刻的微觀現象 4.4.4 各式製程蝕刻說明 4.5 總結 參考文獻 第五章 黃光微影設備（Photolithography）篇 5.1 前言 256 5.2 光阻塗佈及顯影系統（Track system : Coater / Developer） 5.2.1 光阻塗佈系統（Coater） 5.2.2 顯影系統（Developer） 5.3 曝光系統（Exposure System） 5.3.1 光學微影（Optical Lithography） 5.3.2 光學曝光機世代演進 5.3.3 電子束系統（E-beam system） 5.4 現在與未來 5.4.1 浸潤式曝光系統（Immersion Exposure System） 5.4.2 極紫外光系統（Extreme Ultraviolet System） 5.4.3 多電子束微影（Multi-Beam Lithography） 5.5 工作安全提醒 參考文獻 第六章 研磨設備（Polishing）篇 6.1 前言 6.2 化學機械研磨系統（Chemical Mechanical Polishing, CMP） 6.2.1 研磨頭 6.2.2 研磨平臺 6.2.3 研磨漿料控制系統 6.2.4 清洗／其他 6.3 研磨漿料 6.4 化學機械研磨製程中常見的現象 6.5 化學機械研磨常用的化學品 參考文獻 ...