類比CMOS積體電路設計 (2版)
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【中文翻譯書】
書名：類比CMOS積體電路設計 第二版
原文書名：Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2/E
作者：Razavi
翻譯：翁展翔
出版社：東華
出版日期：2017/06/00
ISBN：9789863413196
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【簡介】
本書譯自Hong Xiao(蕭宏) 原著「Introduction to Semiconductor Manufacturing Technology」(第二版)，提供最新的半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，是半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作。本書適用於大學、科大電子、電機、資工、機械系『半導體工程』、『半導體製程』、『半導體導論』課程使用。
1.本書的內容集中在最新的積體電路製程技術同時也兼顧早期的技術以便讀者對積體電路製程技術的歷史發展有更完整的瞭解。
2.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹與各種加工原理之說明與應用，使學生熟悉各種加工原理及其應用領域，以作為投入電子工業之基礎訓練課程。
3.此書委實是對半導體製程實務最為鉅細靡遺的著作，作為技術人員的工具書或有興趣了解晶圓廠的教科書，都是最適合的寶典。
【目錄】
第一章 導論
1.1 簡史
1.2 概述
1.3 本章總結
習題
參考文獻
第二章 積體電路製程介紹
2.1 IC製程簡介
2.2 IC的良率
2.3 無塵室技術
2.4 IC晶圓廠的基本結構
2.5 IC測試與封裝
2.6 近期的發展
2.7 本章總結
習題
參考文獻
第三章 半導體基礎
3.1 半導體基本概念
3.2 半導體基本元件
3.3 IC晶片
3.4 IC基本製程
3.5 互補式金屬氧化物電晶體
3.6 2000後半導體製程發展趨勢
3.7 本章總結
習題
參考文獻
第四章 晶圓製造、磊晶成長和基板工程
4.1 簡介
4.2 為什麼使用矽材料
4.3 晶體結構與缺陷
4.4 從矽砂到晶圓
4.5 磊晶矽生長技術
4.6 基板工程
4.7 未來趨勢
4.8 本章總結
習題
參考文獻
第五章 加熱製程
5.1 簡介
5.2 加熱製程的硬體設備
5.3 氧化製程
5.4 擴散
5.5 退火過程
5.6 高溫化學氣相沉積
5.7 快速加熱製程(RTP)系統
5.8 加熱製程近年發展
5.9 本章總結
習題
參考文獻
第六章 微影製程
6.1 簡介
6.2 光阻
6.3 微影製程
6.4 微影技術的發展趨勢
6.5 其他微影製程方法
6.6 極紫外光(EUV)微影技術
6.7 安全性
6.8 本章總結
習題
參考文獻
第七章 電漿製程
7.1 簡介
7.2 電漿基本概念
7.3 電漿中的碰撞
7.4 電漿參數
7.5 離子轟擊
7.6 直流偏壓
7.7 電漿製程優點
7.8 電漿增強化學氣相沉積及電漿蝕刻反應器
7.9 遠距電漿製程
7.10 高密度電漿(HDP)製程
7.11 本章總結
習題
參考文獻
第八章 離子佈植製程
8.1 簡介
8.2 離子佈植技術簡介
8.3 離子佈植技術硬體設備
8.4 離子佈植製程
8.5 安全性
8.6 近年發展及應用
8.7 本章總結
習題
參考文獻
第九章 蝕刻製程
9.1 蝕刻製程簡介
9.2 蝕刻製程基礎
9.3 濕式蝕刻製程
9.4 電漿(乾式)蝕刻製程
9.5 電漿蝕刻製程
9.6 蝕刻製程發展趨勢
9.7 蝕刻工藝的檢驗和計量
9.8 最新進展
9.9 本章總結
習題
參考文獻
第十章 化學氣相沉積與介電質薄膜
10.1 簡介
10.2 化學氣相沉積
10.3 介電質薄膜的應用於CMOS IC
10.4 介電質薄膜特性
10.5 介電質CVD製程
10.6 旋轉塗佈矽玻璃(Spin-on Glass,SOG)
10.7 高密度電漿CVD(HDP-CVD)
10.8 介電質CVD反應室清潔
10.9 新千禧年的介電質材料
10.10 本章總結
習題
參考文獻
第十一章 金屬化製程
11.1 簡介
11.2 導電薄膜
11.3 金屬薄膜特性
11.4 金屬化學氣相沉積
11.5 物理氣相沉積
11.6 銅金屬化製程
11.7 最新進展
11.8 安全性
11.9 本章總結
習題
參考文獻
第十二章 化學機械研磨製程
12.1 簡介
12.2 CMP硬體設備
12.3 CMP研磨漿
12.4 CMP基本理論
12.5 CMP製程
12.6 CMP製程近年發展
12.7 本章總結
習題
參考文獻
第十三章 半導體製程整合
13.1 簡介
13.2 晶圓準備
13.3 隔離技術
13.4 井區形成
13.5 電晶體製造
13.6 高k金屬閘極MOSFET
13.7 連線技術
13.8 鈍化
13.9 本章總結
習題
參考文獻
第十四章 IC製程技術
14.1 簡介
14.2 1980年代CMOS製程流程
14.3 1990年代CMOS製程流程
14.4 2000年代CMOS製程流程
14.5 2010年代CMOS製程流程
14.6 記憶體晶片製造製程
14.7 本章總結
習題
參考文獻
第十五章 3D IC元件的製造過程
15.1 引言
15.2 埋入式閘極字元線DRAM
15.3 3D-NAND 快閃記憶體
15.4 高介電質、金屬閘極FinFET CMOS製造
15.5 本章總結
習題
參考文獻
第十六章 總結與未來趨勢
參考文獻
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半導體元件(Streetman 7/e) (7版)
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原文書資訊
書名:SOLID STATE ELECTRONIC DEVICES 7/E 2015<Pearson Education, Inc.>
作者: STREETMAN
ISBN: 9781292060552
出版社: Pearson Education, Inc.
出版年: 2015年
中文書資訊
書名: 半導體元件(Streetman 7/e) 7/E 2017 <滄海書局>
作者: Streetman/ 龔正 鄭岫盈
ISBN: 9789862803646
出版社: 鼎隆
出版年: 2017年
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CMOS VLSI 設計原理 (3版)
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【中文翻譯書】
書名：CMOS VLSI 設計原理 電路與系統探討 第三版
原文書名：CMOS VLSI Design:A Circuits and Systems Perspective
原文作者：Weste
中文譯者： 周世傑
出版社：偉明
出版日期：2010/05/20
ISBN：9789861548272
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CMOS 數位積體電路分析與設計 (4版)
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【中文翻譯書】
書名：CMOS數位積體電路分析與設計 第四版
原文書名：CMOS Digital Integrated Circuits:Analysis and Design, 4e
作者：Kang, Leblebici, Kim
翻譯：黃崇禧、陳右罡
出版社：東華
出版日期：2015/12/28
ISBN：9789863411949
內容簡介
本書涵蓋層面甚廣，包含半導體製程、元件模型、電路設計、製造測試等相關議題。前段內容可供一般學生建立有關超大型積體電路設計的基礎入門知識，而全書不僅可以使從事數位系統設計工程師了解底層標準元件電路知識，也能作為混合訊號/類比電路設計工程師建立高速積體電路設計之參考。
有關第四版的內容，作者除改寫當代半導體製程演進介紹外，亦採用短通道電晶體模型來推導相關電路特性，並刪除原有空乏型反相器電路範例，以虛擬nMOS反相器替代，以符合現今主流的次微米／奈米製程電路設計。記憶體章節亦部分改寫，增加低電壓SRAM介紹；BiCMOS章節則改為算術運算單元電路介紹；時脈產生章節也增加鎖相迴路與延遲鎖定迴路簡介。此次內容的更新，使得本書得更趨於完整且符合時代之潮流。
本書改版特色
‧本書內容旨在強化學生對數值方法的認知，除了維持前版優點，盡可能讓內容適合大學部學生使用。
‧透過問題導向方法引起學習動機，促進良好的學習效果。
‧Visual Basic、Fortran 90與C/語言引導學生自行開發結構化且簡單的程式，以彌補現有軟體的不足。
‧更新更具挑戰的題組、題材及案例探討。
目錄
第 1 章 簡介
第 2 章 MOSFET的製造
第 3 章 MOS電晶體
第 4 章 使用SPICE的MOS電晶體模型化
第 5 章 MOS 反相器：靜態特性
第 6 章 MOS 反相器：切換特性與連接線效應
第 7 章 組合MOS邏輯電路
第 8 章 循序MOS邏輯電路
第 9 章 動態邏輯電路
第 10 章 半導體記憶體
第 11 章 低功率CMOS邏輯電路
第 12 章 算術建構區塊
第 13 章 時脈與/IO電路
第 14 章 可製造性設計
第 15 章 可測試性設計
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半導體製程與整合(THC) (1版)
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【簡介】
本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。
先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。
材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。
半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。
本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。
【目錄】
第一章 半導體積體電路發展
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
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【簡介】
【目錄】
第 1 章 元件應用基礎觀念
第 2 章 半導體基礎觀念
第 3 章 半導體載子傳導基礎觀念
第 4 章 pn接面基礎觀念
第 5 章 雙極性接面電晶體(BJT)基礎觀念
第 6 章 金半(MS)接觸基礎觀念
第 7 章 金氧半(MOS)結構基礎觀念
第 8 章 金氧半場效電晶體(MOSFET)基礎觀念
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半導體元件物理－觀念解析與實務應用 (1版)
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【簡介】
書內容足以作為一學期之半導體元件物理的課程教科書使用外，也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念，強調觀念與實務兼顧，因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學，但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋，並盡可能以共通的基本原理原則，貫通前後章節的知識概念，使讀者輕易掌握其中條理脈絡，以內化成自己紮實的知識。因此，對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識，可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題，會是很好的切入點。
相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍，本書的特色至少包括：
涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。
以直觀的「物理現象」與「電機概念」，用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。
各章節中對於基礎、重要的內容，屬於讀者必須瞭解的觀念或公式，均提供作者特別設計之經典題型的「範例」，其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。
各章節中對於容易混淆的觀念或公式，均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說，讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果，而能吸收內化成為自己的知識，歷久不忘。
各章節中基礎、重要的內容，均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型，然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 )，作者均設計補足。
【目錄】
1 導 論
2 半導體材料與晶體結構
3 半導體能帶觀念
4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度
5 導電載子的傳輸
6 非平衡狀態時的過量載子
7 PN接面
8 PN接面二極體
9 理想MOS結構
10 實際MOS元件
11 MOSFET元件
附錄A：物理常數
附錄B：轉換因數
附錄C：溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質
附錄D：溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質
附錄E：Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係
中英文索引
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新世代積體電路製程技術
作者：鄭晃忠、劉傳璽 主編；台灣電子材料與元件協會 編著
ISBN：9789574836710
版次：1
年份：2011
出版商：東華書局
頁數/規格：488頁/平裝雙色
簡介
本書自序
積體電路 (IC) 是我國的高科技明星產業，台灣近二十年來在積體電路製造技術上的成就，全世界有目共睹，可與世界先進技術並駕齊驅。就產能方面，台灣擁有全世界最密集的 IC 製造工廠，每年均需要大量的人才投入，因此不僅是電機、電子背景的人才，背景為物理、材料、化工、機電…等人才亦為 IC 廠積極網羅的對象。為因應大量的人才需求量與縮短摸索學習的時間，在 1997 年，由張俊彥教授主編、經濟部技術處發行的「積體電路製程及設備技術手冊」，匯集了當時國內半導體學術界與產業界的菁英，專門為了適合國人閱讀而寫的嘔心瀝血之作。
如今製造積體電路的元件特徵尺寸，已由早期的次微米尺寸進入到奈米範圍，許多新的製程技術與應用也與以往有所不同，因此邀集國內業界與學界的專家編撰此書，以期讓有心投入 IC 產業的後進能夠以最有效率的方式，一窺先進積體電路製程技術的全貌。特此向不計辛勞的各章作者致謝。
目錄
Chapter 1 總論
Chapter 2 擴散模組
Chapter 3 薄膜模組
Chapter 4 微影模組
Chapter 5 蝕刻模組
Chapter 6 High-k 介電層製程 (I)：材料與整合製程
Chapter 7 High-k 介電層製程 (II)：應用
Chapter 8 應變矽製程
Chapter 9 SOI 製程
Chapter 10 非揮發性記憶體製程
Chapter 11 動態隨機存取記憶體技術 (DRAM Technology)
Chapter 12 新世代邏輯製程應用
Chapter 13 三維積體電路製程
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積體電路：製程設計、佈局規劃及測試
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積體電路設計：製程設計、佈局規劃及測試
作者：葉文冠 編著
ISBN：9789574838011
版次：1
年份：2015
出版商：東華書局
頁數/規格：192頁/平裝單色
本書特色
本書以工程 師的觀點來完成架構，提供讀者進入半導體工廠實務所需之知識。本書內含十二個章節，將半導體的製造技術分為前段製程 與後段製程 ，以積體電路製程技術上之所需之製程 設計做為論述之重點，大致由光罩開模、半導體元件整合製程 結構、製程 變異控制規範與製程 設計法則驗證為基本架構，並詳述各製程 相關模組所扮演的角色以及如何做好所需之相關測試鍵設計與製程驗證，最後提供如何分析元件基本電性測試與可靠性量測，每一章節提供範例來加深讀者對課程的印象與認知，如此可符合目前半導體製程工程師在學習上的需求，並提供未來期望進入半導體製程相關產業的人士有一個基本理論認知與實務知識的教科書與實務練習的工具書。
本書編排章節與一般市面半導體相關書籍不同，主要以半導體元件設計理念與相關半導體工程觀點為內容。適合讀者包括半導體等相關高科技產業的新進人員，以及對半導體產業有興趣的學生和社會人士使用。
目 錄
第1章 半導體原件與製程簡介
第2章 晶圓下線
第3章 製程流程與布局設計
第4章 模組設計(一)隔離製程流程
第5章 模組設計(二)元件製程流程
第6章 模組設計(三)後段製程流程
第7章 製程變異與控制
第8章 製程規範規劃與光罩製作
第9章 設計法則驗證
第10章 半導體元件測試
第11章 測量元件設計
第12章 元件可靠性分析
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