原文書資訊
書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE)
作者: NEAMEN
ISBN: 9780071089029
出版社: Mc Graw Hill
出版年: 2012年
中文書資訊
書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles)
作者: NEAMEN/ 楊賜麟
ISBN: 9789861578255
出版社: 東華
出版年: 2012年
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半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)
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【中文翻譯書】
書名：半導體元件物理與製作技術第三版
原文書名：Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E
作者: 施敏、李明逵
譯者：曾俊元
出版社：國立交通大學
出版日期：2013/08
ISBN：9789866301568
內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
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半導體元件物理與製程：理論與實務 (4版)
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半導體元件物理與製程─理論與實務
Semiconductor Device Physics and Process Integration：Theory & Practice
作 者：劉傳璽 、陳進來
出版社別：五南
出版日期：2022/09/01(4版2刷)
ＩＳＢＮ：978-626-317-514-3
E I S B N：9786263175280
書 號：5D75
頁 數：560
開 數：20K
內容簡介
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。
本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考
本書特色
●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。
●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。
●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。
●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
目錄
第一章 半導體元件物理的基礎
1.1 半導體能帶觀念與載子濃度
1.2 載子的傳輸現象
1.3 支配元件運作的基本方程式
第二章 P-N 接面
2.1 P-N接面的基本結構與特性
2.2 零偏壓
2.3 逆向偏壓
2.4 空乏層電容
2.5 單側陡接面
2.6 理想的電流－電壓特性
2.7 實際的電流－電壓特性
2.8 接面崩潰現象與機制
第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎
3.1 MOS電容的結構與特性
3.2 理想的MOS(金氧半)元件
3.3 實際的MOS(金氧半)元件
第四章 長通道MOSFET元件
4.1 MOSFET的基本結構與類型
4.2 基本操作特性之觀念
4.3 電流－電壓特性之推導
4.4 其他重要元件參數與特性
第五章 短通道MOSFET元件
5.1 短通道元件的輸出特性
5.2 短通道元件的漏電流現象
第六章 CMOS製造技術與製程介紹
6.1 CMOS製造技術
6.2 CMOS製造流程介紹
第七章 製程整合
7.1 元件發展需求
7.2 基板工程(substrate engineering)
7.3 閘極工程
7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering)
7.5 內連線工程(inter-connection)
第八章 先進元件製程
8.1 先進元件製程需求
8.2 SOI
8.3 應變矽Strain Si
8.4 非平面元件 3D device
8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric)
8.6 金屬閘極Metal gate
第九章 邏輯元件
9.1 邏輯元件的要求—速度、功率
9.2 反向器(Inverter)
9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic)
9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF
9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA
第十章 邏輯/類比混合訊號
10.1 混合訊號特性
10.2 混合訊號電路
10.3 混合訊號的主動元件( Active device)
10.4 混合訊號被動元件(Passive device)
10.5 混合訊號電路特別需求
第十一章 記憶體
11.1 CMOS記憶體特性與分類
11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM
11.3 動態隨機存取記憶體DRAM
11.4 快閃記憶體Flash
11.5 發展中的先進記憶體
第十二章 分離元件
12.1 功率二極體
12.2 功率金氧半場效電晶體
12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體
12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET
12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor
12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC
12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體
第十三章 元件電性量測WAT 413
13.1 直流（DC）電性量測
13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測
13.3 RF 電性量測
13.4 元件模型
第十四章 SOC 與半導體應用
14.1 IC 功能分類
14.2 SOC
14.3 半導體應用
14.4 資訊電子Computer
14.5 通訊電子Communication
14.6 消費性電子Consumer
14.7 汽車電子Car
14.8 網際網路
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半導體製程與整合(THC) (1版)
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【簡介】
本書詳述了西元2010年後的實際量產之半導體技術，首先介紹基礎半導體知識，以及基礎的模組製程。此外，本書更以四百張以上圖例，詳細說明二維平面式電晶體之製程整合技術，以及三維鰭式電晶體之製程整合技術。
先進的半導體製程技術，如受應力之矽通道、高介電閘極氧化層、金屬閘極、元件閘極設計考量、MOSFET 遷移率、先進的源極與汲極工程，都有詳細的說明與探討。
材料分析技術，如掃描式電子顯微鏡、穿透式電子顯微鏡、X光光譜分析、拉曼光譜儀等，都涵蓋實例應用說明。
半導體製程未來發展趨勢，包含有鰭式場效電晶體的微縮極限、環繞式閘極場效電晶體(GAAFET)、互補式場效電晶體 (CFET)、垂直傳輸場效電晶體、三維積體電路技術 (3D IC)，皆有詳細說明。
本書為半導體製程與整合相關知識內容之教科書，適合大專院校相關理工科系，也適合給從事半導體產業相關人員與相關領域專家參考。
【目錄】
第一章 半導體積體電路發展
第二章 基礎半導體材料
第三章 基礎半導體元件
第四章 氧化與加熱製程
第五章 微影製程
第六章 擴散與離子佈植製程
第七章 蝕刻製程
第八章 介電質薄膜與化學氣相沉積
第九章 半導體金屬化製程
第十章 CMOSFET製程整合
第十一章 先進元件製程
第十二章 FinFET製程整合
第十三章 半導體材料分析技術
第十四章 半導體元件製程發展趨勢
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簡介
一、適用對象：本書為提供技術高中電機與電子群學生（包括資訊科、電子科）升學輔導之用。
二、依 據：本書主要依據107年12月公布之技術高中電機電子群「微處理機」課程標準編輯而成。
三、內 容：
(一)第一章 微處理機基本概念：介紹微處理機之發展、應用與基本結構以及指令之提取、解碼和執行。
(二)第二章 微處理機硬體架構：介紹微處理機之系統方塊圖、匯流排與記憶體和I／O裝置。
(三)第三章 微處理機軟體發展流程：介紹微處理機內部軟體之控制與與處理程序，以及高、低階語言之轉換。
(四)第四章 資料串／並列傳輸：介紹資料的I／O方式與資料之串／並列傳輸原理並介面標準以及介面控制晶片。
(五)第五章 中斷：介紹中斷控制的原理、優先順序，以中斷資料的傳輸方式和控制晶片。
(六)第六章 記憶體資料存取：介紹記憶體之種類與資料存取之基本原理，以及控制晶片。
(七)第七章 多核心處理機：對多核心處理機的認識與應用實例的介紹。
(八)第八章 微電腦系統架構與應用：介紹微電腦之系統架構與應用。
四、本書特色：
(一)以精緻清晰的圖形、微觀細節
(二)採獨特創意的表格、統整重點
(三)用簡潔平易的解說、迅速理解
(四)附精心編寫的詳解、輕鬆自學
(五)確實掌握考題、易於融會貫通
目錄
第一章 微處理機基本概念
重點整理１ 微處理機之發展與應用、方塊圖及基本結構
重點整理２ 微處理機指令之提取、解碼及執行
重點整理３ 指令管線化架構
本章綜合評量
歷屆試題
第二章 微處理機硬體架構
重點整理１ 微處理機之系統方塊圖
重點整理２ 匯流排（BUS）（或稱公共線）
重點整理３ 記憶體及輸入／輸出裝置（簡稱I/O裝置）
重點整理４ 位址的擴展
本章綜合評量
歷屆試題
第三章 微處理機軟體發展流程
重點整理１ 微處理機內部軟體之控制
重點整理２ 高階語言與低階語言之轉換
重點整理３ 微處理機軟體處理程序
重點整理４ x86組合語言簡介
重點整理５ x86組合語言定址模式介紹
本章綜合評量
歷屆試題
第四章 資料串／並列傳輸
重點整理１ 資料輸入／輸出方法
重點整理２ 資料串列傳輸原理
重點整理３ 資料串列傳輸標準介面
重點整理４ 通用序列匯流排介面原理
重點整理５ 資料並列傳輸原理
重點整理６ 並列傳輸介面晶片
本章綜合評量
歷屆試題
第五章 中斷
重點整理１ 中斷的認識
重點整理２ 中斷控制原理及優先次序
重點整理３ 中斷式資料傳輸原理
重點整理４ 常用中斷控制晶片
本章綜合評量
歷屆試題
第六章 記憶體資料存取
重點整理１ 資料存取之種類及原理
重點整理２ 半導體記憶體資料存取之基本原理
重點整理３ 高容量資料儲存裝置資料存取之基本原理
重點整理４ 直接記憶體存取之基本原理
重點整理５ 常用直接記憶體存取控制晶片
本章綜合評量
歷屆試題
第七章 多核心微處理機
重點整理１ 多核心微處理機的認識
重點整理２ 多核心微處理機應用實例
本章綜合評量
歷屆試題
第八章 微電腦系統架構與應用
重點整理１ 微電腦系統架構
重點整理２ 微電腦系統應用
本章綜合評量
歷屆試題
解析篇
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電子學(上)【附電子書及程式檔光碟】 (3版)
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電子學（上）【附電子書及程式檔光碟】
ISBN13：9789864307418
出版社：新文京開發出版
作者：葉倍宏
裝訂／頁數：平裝／394頁
附件：CD
規格：26cm*19cm*1.8cm (高/寬/厚)
重量：768克
版次：3
出版日：2021/07/10
中國圖書分類：電子工程
內容簡介
本書作者以多年的教學經驗，將複雜的電子學課程以簡單的方式呈現，全書中儘量避免使用艱深難解的數學，易讀易懂，因此，即使未曾修過基本電學課程，透過研讀本書，同樣可以輕鬆學習。
全書分為十章，書中包含基本電路概念、半導體物理與pn接面、二極體電路、特殊二極體、電晶體、電晶體偏壓、共射放大器、共集與共基放大器、場效電晶體等九章及其習題詳解答，第十章功率放大器則以電子書方式收錄在隨書光碟中以降低篇幅。不同於一般市面上之電子學，本書採取引導式教學，範例練習皆為一步步引導解題，使學生面對艱難的電路將更容易理解。
本書所附隨書光碟中，除了收錄第十章的電子書外，還包含了MATLAB與Pspice兩套功能強大的模擬軟體教學電子書以及MATLAB程式檔，以此光碟來輔助學習電子學，內容更為充實，非常適合大專以上理工學院以及電子電機科系主修電子學的學生研習與入門導讀所需。
目錄
Chapter 01 基本電路概念
1-1 戴維寧定理※＊
1-2 諾頓定理
1-3 放大器模型
1-4 頻率響應概念
Chapter 02 半導體物理與pn接面
2-1 原子結構與能帶
2-2 半導體導電性與n型、p型
2-3 電荷傳輸
2-4 pn接面
2-5 加偏壓的pn二極體
2-6 二極體I-V特性圖※
2-7 二極體※＊
2-8 二極體的電阻
Chapter 03 二極體電路
3-1 半波整流器※＊
3-2 中間抽頭式全波整流器※＊
3-3 橋式全波整流器※＊
3-4 濾波器※＊
3-5 截波器※＊
3-6 定位器※＊
3-7 倍壓器※
Chapter 04 特殊二極體
4-1 稽納二極體※＊
4-2 稽納電壓調整器※＊
4-3 負載電阻漣波※
4-4 特殊二極體※
Chapter 05 電晶體
5-1基本觀念
5-2 電晶體特性※
5-3 直流負載線＊
5-4 電晶體開關
5-5 電晶體電流源＊
Chapter 06 電晶體偏壓
6-1 基極偏壓※＊
6-2 射極回授偏壓分析※＊
6-3 集極回授偏壓分析※＊
6-4 分壓偏壓分析※＊
6-5 射極偏壓分析※＊
6-6 PNP電晶體電路
Chapter 07 共射放大器
7-1 小信號放大器
7-2 放大器的重疊原理
7-3 交流射極電阻＊
7-4 共射放大器※＊
7-5 淹沒共射放大器※＊
7-6 共射串級放大器※＊
Chapter 08 共集與共基放大器
8-1 共集放大器※＊
8-2 達靈頓放大器※＊
8-3 共基放大器※＊
8-4 串級放大器※＊
8-5 疊接放大器
Chapter 09 場效電晶體
9-1場效電晶體※＊
9-2 閘極偏壓
9-3自給偏壓分析※＊
9-4 分壓偏壓分析※＊
9-5 源極偏壓分析※＊
9-6 電流源偏壓分析※
第1~9章習題解答
Chapter 10 功率放大器（收錄於隨書學習光碟）
10-1 最大交流輸出範圍
10-2 共射放大器的最大交流輸出範圍※＊
10-3 其他類放大器的最大交流輸出範圍※＊
10-4 A類放大器＊
10-5 B類放大器※＊
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書名：現代工業電子學 5/e
作者：Maloney(顏晴榮)
出版社：東華書局
出版日期：2012/01/00
ISBN：9789574832750
內容簡介
第五版的現代工業電子學，提供了電機與電子科學生一個製造與自動化產品整體系統的視野，同時亦保留自第一版以來的重要課題，揭示先進的電子元件如何使用於實際的工業應用上。
在本修訂版中，增加下列各節內容：
第 7 章 運算放大器
．電壓訊號的衰減原因是由於：（1）IR 電位下降：（20）電容耦合雜訊，包括瞬時交換現象；和（3）電磁耦合雜訊
．電與磁屏蔽
．適當接地
．電流迴路訊號的傳輸
目錄
第一章 作為邏輯控制的電晶體開關
第二章 電晶體開關在記憶和計數方面的應用
第三章 矽控整流器（SCRs）
第四章 UJTs
第五章 Triacs 和其他閘流體
第六章 以數位電路控制之工業自動焊接系統
第七章 運算放大器
第八章 回授系統和伺服機構
第九章 輸入換能器－測量裝置
第十章 最終矯正裝置和放大器
第十一章 非傳統式直流電動機
第十二章 九個閉迴路工業系統實測
第十三章 馬達轉速控制系統
第十四章 工業機器人
第十五章 工業安全
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![初等考試2026試題大補帖【電子學大意】(107~114年試題)(測驗題型)[適用五等考試] (1版)](https://d1zva6hgripypz.cloudfront.net/book/thumbnail/38/1090538/80bb3311af0c99fd37523fe633a1c66a.webp)
初等考試2026試題大補帖【電子學大意】(107~114年試題)(測驗題型)[適用五等考試] (1版)
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【簡介】
本書由作者以多年教學經驗為基礎，透過淺顯易懂的文字與圖示編撰而成，幫助讀者輕鬆掌握電子學的重要觀念與公式。書中善用問答方式陳述，讓學習更具互動性，提升理解與記憶效果，並於每章設計學習流程圖與生活化短文，啟發學習興趣及確立學習目標。
內容精選重要定理與核心觀念，採用中、英語對照方式呈現，打造課堂雙語互動的基礎。此外，書中收錄豐富且經典的題型及各校入學考題，幫助讀者有效驗證學習成果。
【目錄】
Chapter1 微電子簡介
1.1 電子與微電子
1.2 微電子系統
1.3 類比與數位
1.4 基本定理回顧
重點回顧
Chapter2 半導體的基本特性
2.1 半導體物質與其特性
2.2 pn接面
2.3 逆向崩潰
2.4 實例挑戰
重點回顧
Chapter3 二極體模型與其電路的介紹
3.1 理想模型
3.2 二極體的其他模型
3.3 大訊號和小訊號的操作
3.4 二極體的應用電路
3.5 實例挑戰
重點回顧
Chapter4 雙極性接面電晶體的基本特性
4.1 BJT的結構
4.2 主動區──BJT做為放大器的操作區域
4.3 BJT的模型與特性
4.4 BJT操作在飽和區
4.5 pnp電晶體
4.6 實例挑戰
重點回顧
Chapter5 金氧半場效電晶體的基本特性
5.1 MOSFET的結構
5.2 n MOSFET的操作
5.3 MOS元件的模型
5.4 p MOS電晶體
5.5 互補式金氧半場效電晶體技術
5.6 BJT元件和MOS元件的比較
5.7 實例挑戰
重點回顧
Chapter6 雙極性電晶體放大器
6.1 一般性的考量
6.2 操作點的分析
6.3 BJT的放大組態
6.4 具偏壓的放大器組態
6.5 實例挑戰
重點回顧
Chapter7 金氧半場效電晶體放大器
7.1 一般性的考量
7.2 共源極組態(CS組態)
7.3 共閘極組態(CG組態)
7.4 共汲極組態(CD組態)
7.5 具偏壓的放大器組態
7.6 實例挑戰
重點回顧
Chapter8 運算放大器——當成一個元件使用
8.1 一般性的觀念
8.2 線性的運算放大器電路
8.3 非線性的運算放大器電路
8.4 運算放大器的非理想型
8.5 實例挑戰
重點回顧
ChapterA SPICE概論
A.1 電子元件的描述
A.2 模擬的步驟與程序
A.3 分析的型態
索引
習題演練
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新一代 科大四技電機與電子群電子學決戰統測20回 - 附MOSME行動學習一點通：詳解．評量 (2版)
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【簡介】
1.設計20回電子學模擬統測試題，從小範圍、中範圍到全範圍，循序漸進複習。
2.MOSME行動學習一點通功能：
使用「MOSME 行動學習一點通」，登入會員與書籍密碼後，可線上閱讀、自我練習，增強記憶力，反覆測驗提升應考戰鬥力，即學即測即評，強化試題熟練度。
‧ 評量：可在線上反覆練習書內各種題目；亦可連結至「歷屆試題」、「名師分享」（試題與影音）練習其他試題。
‧ 詳解：在線上即時取得各單元的試題解析，方便快速核對答案，並可隨時查閱詳細解析。
【目錄】
第01回 第1章～第2章
第02回 第3章 雙極性接面電晶體
第03回 第2章～第3章
第04回 第4章 雙極性接面電晶體放大電路
第05回 第5章 雙極性接面電晶體多級放大電路
第06回 第4章～第5章
第07回 第6章 金氧半場效應電晶體
第08回 複習測驗（一）範圍：第1章∼第6章
第09回 第7章 金氧半場效應電晶體放大電路
第10回 第8章 MOSFET多級放大電路
第11回 第7章～第8章
第12回 第9章 MOSFET數位電路
第13回 第10章 運算放大器
第14回 第9章～第10章
第15回 第11章 基本振盪電路運用
第16回 複習測驗（二）範圍：第7章～第11章
第17回 複習測驗（三）範圍：全冊
第18回 複習測驗（四）範圍：全冊
第19回 複習測驗（五）範圍：全冊
第20回 複習測驗（六）範圍：全冊
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