半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)
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【中文翻譯書】
書名：半導體元件物理與製作技術第三版
原文書名：Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E
作者: 施敏、李明逵
譯者：曾俊元
出版社：國立交通大學
出版日期：2013/08
ISBN：9789866301568
內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
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書名：氣液壓學(第五版)
作者：呂淮熏 黃勝銘
出版社：高立
ISBN：9789864127030
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半導體元件物理與製程：理論與實務 (4版)
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半導體元件物理與製程─理論與實務
Semiconductor Device Physics and Process Integration：Theory & Practice
作 者：劉傳璽 、陳進來
出版社別：五南
出版日期：2022/09/01(4版2刷)
ＩＳＢＮ：978-626-317-514-3
E I S B N：9786263175280
書 號：5D75
頁 數：560
開 數：20K
內容簡介
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。
本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考
本書特色
●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。
●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。
●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。
●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
目錄
第一章 半導體元件物理的基礎
1.1 半導體能帶觀念與載子濃度
1.2 載子的傳輸現象
1.3 支配元件運作的基本方程式
第二章 P-N 接面
2.1 P-N接面的基本結構與特性
2.2 零偏壓
2.3 逆向偏壓
2.4 空乏層電容
2.5 單側陡接面
2.6 理想的電流－電壓特性
2.7 實際的電流－電壓特性
2.8 接面崩潰現象與機制
第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎
3.1 MOS電容的結構與特性
3.2 理想的MOS(金氧半)元件
3.3 實際的MOS(金氧半)元件
第四章 長通道MOSFET元件
4.1 MOSFET的基本結構與類型
4.2 基本操作特性之觀念
4.3 電流－電壓特性之推導
4.4 其他重要元件參數與特性
第五章 短通道MOSFET元件
5.1 短通道元件的輸出特性
5.2 短通道元件的漏電流現象
第六章 CMOS製造技術與製程介紹
6.1 CMOS製造技術
6.2 CMOS製造流程介紹
第七章 製程整合
7.1 元件發展需求
7.2 基板工程(substrate engineering)
7.3 閘極工程
7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering)
7.5 內連線工程(inter-connection)
第八章 先進元件製程
8.1 先進元件製程需求
8.2 SOI
8.3 應變矽Strain Si
8.4 非平面元件 3D device
8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric)
8.6 金屬閘極Metal gate
第九章 邏輯元件
9.1 邏輯元件的要求—速度、功率
9.2 反向器(Inverter)
9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic)
9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF
9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA
第十章 邏輯/類比混合訊號
10.1 混合訊號特性
10.2 混合訊號電路
10.3 混合訊號的主動元件( Active device)
10.4 混合訊號被動元件(Passive device)
10.5 混合訊號電路特別需求
第十一章 記憶體
11.1 CMOS記憶體特性與分類
11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM
11.3 動態隨機存取記憶體DRAM
11.4 快閃記憶體Flash
11.5 發展中的先進記憶體
第十二章 分離元件
12.1 功率二極體
12.2 功率金氧半場效電晶體
12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體
12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET
12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor
12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC
12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體
第十三章 元件電性量測WAT 413
13.1 直流（DC）電性量測
13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測
13.3 RF 電性量測
13.4 元件模型
第十四章 SOC 與半導體應用
14.1 IC 功能分類
14.2 SOC
14.3 半導體應用
14.4 資訊電子Computer
14.5 通訊電子Communication
14.6 消費性電子Consumer
14.7 汽車電子Car
14.8 網際網路
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微電子系統封裝基礎理論與應用技術 (1版)
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微電子系統封裝基礎理論與應用技術
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作者：
江國寧著
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年份：
2006 年1 版
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ISBN：
9867287657
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書號：
EE0301
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規格：
16開/平裝/單色
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頁數：
248
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出版商：
滄海
封裝技術在半導體、光電與微機電相關產業上扮演著關鍵性的角色。本書以較深入與實用的角度介紹封裝技術的製程、電訊、材料、機械及力學可靠度行為，讀者應能藉由本書的基礎理論及應用內容而對封裝技術有更深一層的了解。本書內容難易適中，適合做為大專院校之教科書，亦適合為半導體與封裝相關產業工程人員的參考書籍。
第1章 簡介
第2章 封裝系統電性設計概論
第3章 I/O接合技術
第4章 熱傳與應力分析基礎理論
第5章 濕度效應
第6章 金屬界層之擴散成長
第7章 錫鉛凸塊熔融外形預估方法
第8章 微應力感測元件基礎理論
第9章 晶圓級封裝之結構參數化設計與可靠度改良分析
附錄 常用半導體與封裝術語
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類比CMOS積體電路設計 (2版)
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書名：類比CMOS積體電路設計 第二版
原文書名：Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2/E
作者：Razavi
翻譯：翁展翔
出版社：東華
出版日期：2017/06/00
ISBN：9789863413196
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無線通訊射頻晶片模組設計 ~ 射頻晶片篇2/e (2版)
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書名 : 無線通訊射頻晶片模組設計－射頻晶片篇(第二版)
作者 : 張盛富、張嘉展
出版社 : 全華
ISBN : 9789572197790
內容簡介
本書內容包含微波半導體元件與模型、射頻放大器、功率放大器與線性化技術、振盪器及混頻器。且特別注重文獻參考資料，以彰顯射頻知識的傳承。另外為增加思考廣度，列舉了不同的電路分析方法。本書適用於私立大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程。
本書特色
1.針對無線通訊產品中之射頻晶片(含混成晶片、CMOS、PHEMT晶片)作詳盡之介紹。
2.列舉各種設計理論和分析方法，以增加思考廣度。
3.重視文獻回顧，以彰顯射頻知識的沿革。
4.提供模擬和實作例題，以便使讀者更加了解射頻晶片。
目錄
第7章 半導體元件與模型
7.1 半導體物理概述 2
7.2 二極體元件 17
7.3 雙極性電晶體(Bipolar Junction Transistor , BJT) 26
7.4 異質接面雙極性電晶體(Hetrojunction Bipolar Transistor, HBT) 32
7.5 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET) 35
7.6 金氧半場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor , MOSFET) 37
7.7 金半場效電晶體(Metal- Semiconductor Field Effect Transistor , MESFET) 42
7.8 高速電子移動電晶體(High Electron Mobility Transistor , HEMT) 43
7.9 半導體參數測試及元件特性分析 47
7.10 微波元件特性及模型 49
第8章 射頻放大器
8.1 混成射頻放大器與單晶射頻放大器 66
8.2 輸出與輸入功率的比值-增益 69
8.3 訊號波流理論(Signal Flow Theory) 73
8.4 穩定度分析 83
8.5 消除不穩定的方法 91
8.6 直流偏壓電路 103
8.7 單向增益匹配 108
8.8 雙向增益匹配 111
8.9 功率匹配 115
8.10 雜訊匹配 119
8.11 設計實例 125
第9章 功率放大器與線性化技術
9.1 功率放大器特性之概述 148
9.2 功率放大器之類別 150
9.3 克里普斯(Cripps)負載線法 166
9.4 負載拉挽方法(Load-Pulling Method) 175
9.5 回饋線性化技術 177
9.6 前饋線性化(Feedforward Linearization)技術 184
9.7 前置失真技術(Pre-Distortion) 186
9.8 封包消弭與回復技術(Envelope Elimination and Restoration) 188
9.9 功率放大器設計實例 189
第10章 振盪器
10.1 簡介 200
10.2 形成振盪的必要條件-小訊號負電阻分析法 202
10.3 形成振盪的必要條件-小訊號迴授分析法 206
10.4 形成振盪的必要條件-小訊號S參數分析法 211
10.5 形成振盪的充份且必要條件-根軌跡法 215
10.6 形成振盪的充份且必要條件-阻抗軌跡法 219
10.7 穩定振盪功率-大訊號Y參數分析法 226
10.8 穩定振盪功率-大訊號S參數分析法 230
10.9 負載拉挽效應 233
10.10 注入鎖定效應 236
10.11 評估振盪器效能之各項參數 238
10.12 設計實例 241
第11章 混頻器
11.1 混頻器之發展與效能參數 260
11.2 單端二極體混頻器 264
11.3 單平衡二極體混頻器 275
11.4 雙平衡二極體混頻器 294
11.5 單閘極MESFET混頻器 302
11.6 雙閘極MESFET混頻器 306
11.7 平衡型MESFET混頻器 308
11.8 電阻型MESFET混頻器 312
11.9 單端MOSFET混頻器 316
11.10 平衡型MOSFET混頻器 318
11.11 電阻型MOSFET混頻器 330
11.12 平衡型BJT混頻器 332
11.13 次諧波驅動混頻器 333
11.14 鏡像拒斥降頻器 336
11.15 單邊帶升頻器 339
A 索引
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無線通訊射頻晶片模組設計－射頻系統篇 修訂版
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書名：無線通訊射頻晶片模組設計－射頻系統篇(修訂版)
作者：張盛富、張嘉展
出版社：全華
ISBN： 9789572165454
內容簡介
本書特別注重文獻參考資料，作者於內文每章中總會有一段敘述該章電路的發展歷史，以彰顯射頻知識的傳承。另外也列舉了不同分析電路的方法，來增加思考的廣度，且大部分例題都經由實作量測，以驗證其可行性。此書適用於大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程使用。
本書特色
1 . 針對無線通訊產品中之收發模組，進行詳細的介紹與分析。
2 . 列舉各種理論和方法，增加思考廣度。
3 . 重視文獻回顧，以彰顯射頻知識的沿革。
4 . 提供模擬和實作例題，以便使讀者更加了解射頻系統。
5 . 適用於大學、科大、技術學院電子、電訊系「射頻系統導論」、「射頻電路設計」課程使用。
目錄
第1章 射頻技術之發展
1.1 演變中的射頻與微波技術 2
1.2 射頻技術的新巔峰 4
1.3 射頻模組的設計循環 25
第2章 射頻收發架構分析
2.1 固定中頻超外差接收架構 32
2.2 正交超外差接收架構 42
2.3 直接降頻接收架構 45
2.4 精準的本地振盪訊號源鎖相迴路 52
2.5 低中頻接收架構 53
2.6 寬頻超外差接收架構 58
2.7 浮動中頻超外差接收機 59
2.8 次取樣接收架構 61
2.9 數位中頻接收架構 62
2.10 射頻接收效能的評估參數 63
2.11 射頻發射架構 74
2.12 射頻發射效能的評估參數 77
第3章 增 益
3.1 功率增益 84
3.2 輸入和輸出埠參考阻抗改變 91
3.3 模組間之連接線效應 96
3.4 串接模組之增益-已知各子電路散射參數的完整訊息 106
3.5 串接模組之增益-只有各子電路散射參數的大小訊息 110
第4章 雜 訊
4.1 熱雜訊 120
4.2 射彈雜訊 123
4.3 閃爍雜訊 124
4.4 背景雜訊 125
4.5 雜訊溫度之定義 126
4.6 雜訊指數之定義 129
4.7 雙埠電路之雜訊指數計算與量測 132
4.8 被動電路之雜訊指數 136
4.9 天線之雜訊指數 147
4.10 混頻電路之雜訊指數 147
4.11 串接模組之雜訊指數 152
4.12 相位雜訊 160
4.13 振盪器之相位雜訊指數 165
4.14 含本地振盪埠雜訊效應之串接模組雜訊指數 169
第5章 非線性效應與計算
5.1 射頻訊號之非線性效應 178
5.2 1-dB增益壓縮點之分析與量測 180
5.3 1-dB增益壓縮點之量測 185
5.4 二階截止點之分析 186
5.5 二階截止點之量測-單頻測試 189
5.6 二階截止點之量測-雙頻測試 192
5.7 三階截止點之分析 199
5.8 三階截止點之量測 207
5.9 串級電路之非線性效應計算 209
5.10 射頻多載波信號之非線性效應評量 214
5.11 射頻數位調變信號之非線性效應評量 218
第6章 射頻模組鏈路計算與模擬
6.1 射頻接收鏈路計算 226
6.2 射頻發射鏈路計算 236
6.3 數位調變訊號模擬 243
6.4 影響EVM效能的因素 257
6.5 子電路設計 263
6.6 射頻收發整合與測試 274
附錄一 284
附錄二 286
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原文書名：CMOS VLSI Design:A Circuits and Systems Perspective
原文作者：Weste
中文譯者： 周世傑
出版社：偉明
出版日期：2010/05/20
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射頻鎖相迴路IC設計 (2版)
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書名：射頻鎖相迴路IC設計(第二版)
作者：高曜煌
出版社：滄海
出版日期：2017/07/00
ISBN：9789865647766
內容簡介
頻率合成器是各種通信IC的心臟，是近代無線通信系統必備電路，本書系統應用面及積體電路設計兩者兼顧，同時類比與數位積體電路兼顧，提供多種CMOS製程的電路，並詳細闡述各種電路的由來，使讀者瞭解電路演進過程，包含MATLAB程式例提供快速的模擬學習。
目錄
第一部分 基礎部分
第1章 緒論
第2章 鎖相迴路基本原理
第3章 相位雜訊
第4章 頻率合成器
第二部分 積體電路設計部分
第5章 CMOS壓控振盪器
第6章 數位電路
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Introduction to VLSI Design Flow
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