FUNDAMENTALS OF SEMICONDUCTOR DEVICES (2版)
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【原文書】
書名:FUNDAMENTALS OF SEMICONDUCTOR DEVICES 2/E
作者:ANDERSON
出版社:McGraw-Hill
出版日期:2017/06/01
ISBN:9781259251351
原價:
1250
售價:
1175
現省:
75元
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半導體元件物理與製作技術(Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E) (3版)
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【中文翻譯書】
書名:半導體元件物理與製作技術第三版
原文書名:Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E
作者: 施敏、李明逵
譯者:曾俊元
出版社:國立交通大學
出版日期:2013/08
ISBN:9789866301568
內容簡介
施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年,以「非揮發性記憶體」的發明,奠定其半導體界的地位;李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材,也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。
本書與第二版的差異為,我們修正並更新了35% 的教材,增加了許多章節討論近年來較重要的題目,如互補式金氧半影像感測器(CMOS image sensors)、鰭式場效電晶體(FinFET)、第三代太陽能電池(3rd generation solar cells)與原子層沉積(atomic layer deposition)。此外,我們刪除或減少了一些較不重要的章節,以維持本書的長度。
由於金氧半場效電晶體(MOSFET)對於電子產品的應用愈來愈重要,因此,我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外,在通訊與能源材料方面,我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。
為了改善每個主題的易讀性,含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。
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類比CMOS積體電路設計 (2版)
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【中文翻譯書】
書名:類比CMOS積體電路設計 第二版
原文書名:Design of Analog CMOS Integrated Circuits 2/E
作者:Razavi
翻譯:翁展翔
出版社:東華
出版日期:2017/06/00
ISBN:9789863413196
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作(編/譯)者 : 黃加正‧張竣維 出版年份 : 2008
ISBN : 9789864125845 書號 : 0082A2
幾色 : 1 規格 : 16K
發行公司 : 培生 版權日期 : 2008/05/01
版次 : 初版一刷 頁數 : 440
分別 : 授權書
長久以來,生技產業始終缺乏同時兼具生物及工程背景之人才,本書有鑑於此,結合微生物學、生物化學、分子生物學及生化工程學,供有志於生技產業之學生研讀,希望能培育生物及化工皆精通之人才。
本書內容包括四部分,除利用實例說明相關原理外,另以例題、問題及建議深入閱讀資料等內容強化學生學習效果。本書涵蓋生物及化學工程原理,非常適合具生物背景或化工背景之學生研讀。
生物程序工程之調控規範:生技產業特別是醫藥方面,生產成本降低並非首要考量,如何在GMP規範下生產安全品質穩定之產品才是生物程序工程師之主要任務。
生物相關知識複習:內容包括微生物構造及功能、主要代謝途徑、酵素、微生物基因學、動力學及生長計量學等。
生物程序工程:包括生物反應器操作、生物反應器選擇、擴大規模及控制、產品回收與純化等,是生物程序工程師必須精通之內容。
先進生物應用系統:涵蓋動物細胞培養、植物細胞與組織培養,以及生物程序工程之醫學應用與混合培養。提供目前最先進之生物應用系統原理、操作與應用。
目錄
第一部分 緒論
第一章 何謂生物程序工程師?
第二部分 生物的基礎:一位工程師的展望
第二章 生物基礎概論
第三章 酵素
第四章 細胞如何生長
第五章 微生物生長及產物製造計量化學
第三部分 生物製程的工程原則
第六章 針對懸浮式及固定化式生物反應器的操作考量
第七章 生物反應器的選擇、放大、操作及控制
第八章 產物的回收與純化
第四部分 在非傳統生物系統之應用
第九章 生物製程-利用動物細胞培養的考量
第十章 生物製程使用植物細胞培養的考量
第十一章 生物程序工程的醫學應用
第十二章 混合培養
附錄 傳統工業化生物程序工程
英中文索引
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半導體元件(Streetman 7/e) (7版)
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原文書資訊
書名:SOLID STATE ELECTRONIC DEVICES 7/E 2015<Pearson Education, Inc.>
作者: STREETMAN
ISBN: 9781292060552
出版社: Pearson Education, Inc.
出版年: 2015年
中文書資訊
書名: 半導體元件(Streetman 7/e) 7/E 2017 <滄海書局>
作者: Streetman/ 龔正 鄭岫盈
ISBN: 9789862803646
出版社: 鼎隆
出版年: 2017年
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通訊系統(國際版)5/e (5版)
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【中文翻譯書】
書名:通訊系統 第五版 國際版
原文書名:Communication Systems 5/E
譯者: 翁萬德 江松茶 翁健二
作者:Simon Haykin , Michael Moher
出版社:全華
書號:06138
ISBN:9789572176450
內容簡介
原著是通訊系統領域的經典教本,備受學術界的推崇。新版的編排經大幅修訂,篇幅減至前版約一半,使內容更適切近年來的電機工程教育及產業需求。除了增加先驅人物的簡介專欄,也另闢專述應用面的「主題範例」小節,其他則包含如設計好的一般範例題、電腦實驗及豐富的章末習題,用來加強讀者對內容的理解
目錄
1 前言 1-1
1.1 通訊程序 1-1
1.2 分層的方式 1-2
1.3 主題範例—無線通訊 1-4
註解及參考文獻 1-8
2 傅立葉理論及通訊信號 2-1
2.1 簡介 2-1
2.2 傅立葉轉換 2-1
2.3 傅立葉轉換的性質 2-8
2.4 時間和頻率的相反關係 2-22
2.5 狄瑞克-得他函數 2-26
2.6 週期訊號的傅立葉轉換 2-33
2.7 訊號在線性系統的傳輸 2-36
2.8 濾波器 2-42
2.9 低通及帶通訊號 2-48
2.10 帶通系統 2-52
2.11 相位延遲與群體延遲 2-56
2.12 資訊源 2-58
2.13 傅立葉轉換的數值計算 2-60
2.14 主題範例—無線區域網路的通道估測 2-63
2.15 總結與討論 2-65
註解及參考文獻 2-66
本章習題 2-67
3 調幅 3-1
3.1 簡介 3-1
3.2 調幅 3-2
3.3 雙邊帶抑制載波調變 3-12
3.4 正交-載波多工 3-17
3.5 單邊帶與殘留邊帶的調變方法 3-18
3.6 主題範例—類比及數位電視的VSB 傳輸 3-21
3.7 頻率轉移 3-23
3.8 分頻多工 3-25
3.9 總結與討論 3-25
註解及參考文獻 3-26
本章習題 3-27
4 相位與頻率調變 4-1
4.1 簡介 4-1
4.2 基本定義 4-2
4.3 調頻(頻率調變) 4-9
4.4 鎖相迴路 4-29
4.5 調頻系統的非線性效應 4-36
4.6 超外差式接收器 4-38
4.7 主題範例—類比及數位調頻蜂巢式電話 4-40
4.8 總結與討論 4-42
註解及參考文獻 4-43
本章習題 4-43
5 隨機變數及程序 5-1
5.1 簡介 5-1
5.2 機率 5-2
5.3 隨機變數 5-6
5.4 統計平均 5-12
5.5 隨機程序 5-18
5.6 平均值,相關度,及共變異數函數 5-19
5.7 隨機程序經一個線性濾波器之傳輸 5-26
5.8 功率譜密度 5-27
5.9 高斯程序 5-33
5.10 雜訊 5-37
5.11 窄頻雜訊 5-47
5.12 主題範例—行動無線電通道的隨機模型 5-55
5.13 總結與討論 5-61
註解及參考文獻 5-63
本章習題 5-64
6 類比調變中之雜訊 6-1
6.1 簡介 6-1
6.2 接收器模型 6-2
6.3 雙邊帶抑制載波(DSB-SC)調變接收器中之雜訊 6-5
6.4 調幅接收器內的雜訊 6-7
6.5 調頻接收器內的雜訊 6-10
6.6 FM的預強與去強 6-24
6.7 主題範例—FM衛星通訊之通訊鍊路計算 6-28
6.8 總結與討論 6-33
註解及參考文獻 6-35
本章習題 6-36
7 類比信號之數位表示 7-1
7.1 簡介 7-1
7.2 為何要將類比信號源數位化? 7-2
7.3 取樣程序 7-3
7.4 脈波振幅調變(波幅調變) 7-9
7.5 分時多工 7-13
7.6 脈位調變 7-14
7.7 主題範例—在脈衝廣播中之PPM系統 7-22
7.8 量化過程 7-24
7.9 脈碼調變 7-28
7.10 差異調變 7-36
7.11 主題範例—影像的數位化與MPEG 7-41
7.12 總結與討論 7-43
註解及參考文獻 7-44
本章習題 7-45
8 數位信號之基頻帶傳輸 8-1
8.1 簡介 8-1
8.2 基頻帶脈波和匹配濾波器偵測 8-2
8.3 雜訊造成之錯誤機率 8-8
8.4 符間干擾 8-14
8.5 眼狀圖 8-18
8.6 無失真傳輸奈奎士準則 8-20
8.7 基頻帶M進制傳輸 8-27
8.8 跳接延遲線等化 8-28
8.9 主題範例—100BASE-TX—雙絞線上傳輸100Mbps 8-30
8.10 總結與討論 8-34
註解及參考文獻 8-34
本章習題 8-35
9 數位信號之帶通傳輸 9-1
9.1 簡介 9-1
9.2 帶通傳輸模型 9-2
9.3 二進位PSK及FSK傳輸 9-4
9.4 M進制傳輸系統 9-16
9.5 各種PSK及FSK系統之雜訊特性比較 9-22
9.6 主題範例—正交分頻多工(OFDM) 9-24
9.7 總結與討論 9-28
註解及參考文獻 9-29
本章習題 9-30
10 資訊與前向錯誤更正 10-1
10.1 簡介 10-1
10.2 不確定性、資訊和熵 10-3
10.3 訊號源編碼理論 10-7
10.4 無失真資料壓縮 10-9
10.5 主題範例—藍波立夫演算法與檔案壓縮 10-14
10.6 離散無記憶通道 10-16
10.7 通道容量 10-18
10.8 通道編碼定理 10-22
10.9 高斯通道容量 10-26
10.10 錯誤控制編碼 10-30
10.11 線性區塊碼 10-32
10.12 卷積碼 10-45
10.13 格狀編碼調變 10-51
10.14 加速碼 10-56
10.15 總結與討論 10-61
註解及參考文獻 10-62
本章習題 10-63
附錄:數學實用查表 附-1
術語表 術-1
參考書目 參-1
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無線通訊射頻晶片模組設計-射頻系統篇 修訂版
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【中文書】
書名:無線通訊射頻晶片模組設計-射頻系統篇(修訂版)
作者:張盛富、張嘉展
出版社:全華
ISBN: 9789572165454
內容簡介
本書特別注重文獻參考資料,作者於內文每章中總會有一段敘述該章電路的發展歷史,以彰顯射頻知識的傳承。另外也列舉了不同分析電路的方法,來增加思考的廣度,且大部分例題都經由實作量測,以驗證其可行性。此書適用於大學、科大電子系「射頻系統導論」之相關課程使用。
本書特色
1 . 針對無線通訊產品中之收發模組,進行詳細的介紹與分析。
2 . 列舉各種理論和方法,增加思考廣度。
3 . 重視文獻回顧,以彰顯射頻知識的沿革。
4 . 提供模擬和實作例題,以便使讀者更加了解射頻系統。
5 . 適用於大學、科大、技術學院電子、電訊系「射頻系統導論」、「射頻電路設計」課程使用。
目錄
第1章 射頻技術之發展
1.1 演變中的射頻與微波技術 2
1.2 射頻技術的新巔峰 4
1.3 射頻模組的設計循環 25
第2章 射頻收發架構分析
2.1 固定中頻超外差接收架構 32
2.2 正交超外差接收架構 42
2.3 直接降頻接收架構 45
2.4 精準的本地振盪訊號源鎖相迴路 52
2.5 低中頻接收架構 53
2.6 寬頻超外差接收架構 58
2.7 浮動中頻超外差接收機 59
2.8 次取樣接收架構 61
2.9 數位中頻接收架構 62
2.10 射頻接收效能的評估參數 63
2.11 射頻發射架構 74
2.12 射頻發射效能的評估參數 77
第3章 增 益
3.1 功率增益 84
3.2 輸入和輸出埠參考阻抗改變 91
3.3 模組間之連接線效應 96
3.4 串接模組之增益-已知各子電路散射參數的完整訊息 106
3.5 串接模組之增益-只有各子電路散射參數的大小訊息 110
第4章 雜 訊
4.1 熱雜訊 120
4.2 射彈雜訊 123
4.3 閃爍雜訊 124
4.4 背景雜訊 125
4.5 雜訊溫度之定義 126
4.6 雜訊指數之定義 129
4.7 雙埠電路之雜訊指數計算與量測 132
4.8 被動電路之雜訊指數 136
4.9 天線之雜訊指數 147
4.10 混頻電路之雜訊指數 147
4.11 串接模組之雜訊指數 152
4.12 相位雜訊 160
4.13 振盪器之相位雜訊指數 165
4.14 含本地振盪埠雜訊效應之串接模組雜訊指數 169
第5章 非線性效應與計算
5.1 射頻訊號之非線性效應 178
5.2 1-dB增益壓縮點之分析與量測 180
5.3 1-dB增益壓縮點之量測 185
5.4 二階截止點之分析 186
5.5 二階截止點之量測-單頻測試 189
5.6 二階截止點之量測-雙頻測試 192
5.7 三階截止點之分析 199
5.8 三階截止點之量測 207
5.9 串級電路之非線性效應計算 209
5.10 射頻多載波信號之非線性效應評量 214
5.11 射頻數位調變信號之非線性效應評量 218
第6章 射頻模組鏈路計算與模擬
6.1 射頻接收鏈路計算 226
6.2 射頻發射鏈路計算 236
6.3 數位調變訊號模擬 243
6.4 影響EVM效能的因素 257
6.5 子電路設計 263
6.6 射頻收發整合與測試 274
附錄一 284
附錄二 286
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微電子學題解(第八版)(上冊)(Sedra 8/e) (8版)
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書名:微電子學 中譯本 第8版(上冊)
原文書名: Microelectronic Circuits 8/e
原文作者:Adel S. Sedra、Kenneth C. Smith
中文譯者:曹恆偉、林浩雄、呂學士、郭建宏
ISBN: 9786269505067
書名:微電子學 中譯本 第8版 (下冊)
原文書名:Microelectronic Circuits 8/e
作者:Adel S. Sedra、Kenneth C. Smith
翻譯:曹恆偉、林浩雄、呂學士、郭建宏
出版日期:2023/03/00
ISBN:9786269653676
書名:微電子學題解 第七版(上冊)
原文書名:Instructor's Solutions Manual for Microelectronic Circuits, 7th IE
作者:Adel S. Sedra
翻譯:江昭暟
出版社:滄海
出版日期:2017/01/00
ISBN:9789865647605
書名:微電子學題解 第七版(下冊)
原文書名:Instructor's Solutions Manual for Microelectronic Circuits, 7th IE
作者:Sedra Smith
翻譯:江昭暟
出版社:滄海
出版日期:2017/10/00
ISBN:9789865647872
上冊目錄
第一部分 元件及基本電路
第1章 電子學與半導體
第2章 運算放大器
第3章 二極體
第4章 雙載子接面電晶體(BJTs)
第5章 金氧半場效電晶體(MOSFETs)
第6章 電晶體放大器
第二部分 積體電路放大器
第7章 積體電路放大器的建構模塊
第8章 差動與多級放大器
下冊目錄
第9章 頻率響應
第10章 回授
第三部分 類比積體電路
第11章 輸出級與功率放大器
第12章 運算放大器電路
第13章 濾波器及調諧放大器
第14章 信號產生器和波形成形電路
第四部分 數位積體電路
第15章 CMOS數位邏輯電路
第16章 進階之數位積體電路設計
第17章 記憶體電路
附錄 G MOSFET與BJT的比較
附錄 J 標準電阻值以及單位前置因子
附錄 K CMOS及雙載子製程之IC元件典型參數表
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CMOS VLSI 設計原理 (3版)
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【中文翻譯書】
書名:CMOS VLSI 設計原理 電路與系統探討 第三版
原文書名:CMOS VLSI Design:A Circuits and Systems Perspective
原文作者:Weste
中文譯者: 周世傑
出版社:偉明
出版日期:2010/05/20
ISBN:9789861548272
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【中文翻譯書】
書名 :半導體製造技術
原文書名:Semiconductor Manufacturing Technology
原文作者:Michael Quirk
中文譯者:羅文雄
初版日期:2016
出版社:滄海
ISBN:9789867727701
本書特色
●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面
皆做完整詳盡的介紹。
●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。
●對大專在學學生及實際線上工程師而言,皆是一本優良的課程
教材及技術入門手冊。
校閱者簡介
劉文超
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
許渭州
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長
國立成功大學電機工程系教授
國立成功大學微電子研究所教授
譯者簡介
羅文雄
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授
蔡榮輝
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 國立高雄師範大學物理系副教授
鄭岫盈
學歷 國立成功大學電機工程研究所博士
現職 亞東技術學院電機工程系助理教授
本書目錄
第1章
半導體工業簡介
第2章
半導體材料特性
第3章
元件技術
第4章
矽與晶圓準備
第5章
半導體製造之化學特性
第6章
半導體製造廠之污染控制
第7章
量測與缺陷
第8章
製程反應室之氣體控制
第9章
IC製造概述
第10章
氧化
第11章
沈積
第12章
金屬化
第13章
微影:氣相塗底至軟烤
第14章
微影:對準與曝光
第15章
微影:光阻顯影與先進雕像
第16章
蝕刻
第17章
離子植入
第18章
化學機械平坦化
第19章
晶圓測試
第20章
裝配與封裝
附錄A
化學品及其安全性
附錄B
無塵室中的污染控制
附錄C
單位
附錄D
以氧化物厚度為函數的顏色
附錄E
光阻化學品概論
附錄F
蝕刻化學品
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【簡介】
生活中各種電子產品,都有半導體晶片的存在,舉凡手機、筆記型電腦、電腦螢幕、電視、機器人、智慧手錶等等,半導體技術已成為現代科技之石。本書從最基礎的電學知識介紹,進而針對半導體原理、半導體製程、半導體在生活中的應用有一番認識,接下來對電路設計、半導體產業現況及未來發展,有完整的介紹。本書適合高中職「半導體原理與製程概論」、「半導體概論與應用」課程及對半導體領域有興趣者使用。
1.本書作者為所屬領域專業人士。
2.內容簡潔,必備知識圖文並茂。
3.書內提供半導體製程相關加工技術之介紹,對加工原理及其應用領域,有初步的認識。
4.半導體產業現況及未來發展,有完整的探討。
【目錄】
第1章 電的科學知識
1-1電學概論
1-2電子元件介紹
1-3常用儀器與設備介紹
第2章 半導體原理
2-1半導體種類
2-2二極體介紹與工作原理
2-3電晶體介紹與工作原理
2-4積體電路介紹
第3章 半導體製程
3-1半導體產業介紹
3-2無塵室與晶圓尺寸介紹
3-3重要製程介紹
3-4晶片製作流程
3-5研究發展介紹
第4章 半導體在生活中的應用
4-1生活中的晶片
4-2晶中片各種應用與功能
4-3晶片訊號的傳輸與處理
第5章 電路設計
5-1類比電路數位電路
5-2基本還輯閘
5-3布林代數與邏輯電路設計
5-4組合邏輯電路
5-5循序邏輯電路
第6章 半導體產業的社會面向議題
6-1半導體與臺灣
6-2 臺灣半導體產業生態系
6-3世界半導體產業的代表性廠商
6-4臺灣半導體面臨的各種議題
附錄
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半導體元件物理與製程:理論與實務 (4版)
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Semiconductor Device Physics and Process Integration:Theory & Practice
作 者:劉傳璽 、陳進來
出版社別:五南
出版日期:2022/09/01(4版2刷)
ISBN:978-626-317-514-3
E I S B N:9786263175280
書 號:5D75
頁 數:560
開 數:20K
內容簡介
以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸:第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重,因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學;但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。
本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why;並在此基礎上,進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考
本書特色
●包含實務上極為重要,但在坊間書籍幾乎不提及的WAT,與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程,以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。
●大幅增修習題與內容,以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。
●以最直觀的物理現象與電機概念,清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。
●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
目錄
第一章 半導體元件物理的基礎
1.1 半導體能帶觀念與載子濃度
1.2 載子的傳輸現象
1.3 支配元件運作的基本方程式
第二章 P-N 接面
2.1 P-N接面的基本結構與特性
2.2 零偏壓
2.3 逆向偏壓
2.4 空乏層電容
2.5 單側陡接面
2.6 理想的電流-電壓特性
2.7 實際的電流-電壓特性
2.8 接面崩潰現象與機制
第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎
3.1 MOS電容的結構與特性
3.2 理想的MOS(金氧半)元件
3.3 實際的MOS(金氧半)元件
第四章 長通道MOSFET元件
4.1 MOSFET的基本結構與類型
4.2 基本操作特性之觀念
4.3 電流-電壓特性之推導
4.4 其他重要元件參數與特性
第五章 短通道MOSFET元件
5.1 短通道元件的輸出特性
5.2 短通道元件的漏電流現象
第六章 CMOS製造技術與製程介紹
6.1 CMOS製造技術
6.2 CMOS製造流程介紹
第七章 製程整合
7.1 元件發展需求
7.2 基板工程(substrate engineering)
7.3 閘極工程
7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering)
7.5 內連線工程(inter-connection)
第八章 先進元件製程
8.1 先進元件製程需求
8.2 SOI
8.3 應變矽Strain Si
8.4 非平面元件 3D device
8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric)
8.6 金屬閘極Metal gate
第九章 邏輯元件
9.1 邏輯元件的要求—速度、功率
9.2 反向器(Inverter)
9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic)
9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF
9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA
第十章 邏輯/類比混合訊號
10.1 混合訊號特性
10.2 混合訊號電路
10.3 混合訊號的主動元件( Active device)
10.4 混合訊號被動元件(Passive device)
10.5 混合訊號電路特別需求
第十一章 記憶體
11.1 CMOS記憶體特性與分類
11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM
11.3 動態隨機存取記憶體DRAM
11.4 快閃記憶體Flash
11.5 發展中的先進記憶體
第十二章 分離元件
12.1 功率二極體
12.2 功率金氧半場效電晶體
12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體
12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET
12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor
12.6 碳化矽(SiC)功率半導體SiC
12.7 氮化鎵(GaN) 功率半導體
第十三章 元件電性量測WAT 413
13.1 直流(DC)電性量測
13.2 C-V(capacitance-voltage)電性量測
13.3 RF 電性量測
13.4 元件模型
第十四章 SOC 與半導體應用
14.1 IC 功能分類
14.2 SOC
14.3 半導體應用
14.4 資訊電子Computer
14.5 通訊電子Communication
14.6 消費性電子Consumer
14.7 汽車電子Car
14.8 網際網路
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半導體元件物理-觀念解析與實務應用 2版 (2版)
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【簡介】
本書內容可以作為一學期或一學年兩學期之半導體元件物理的課程教材使用,也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念,強調觀念與實務兼顧,因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學,但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋,並盡可能以共通的基本原理原則,貫通前後章節的知識概念,使讀者輕易掌握其中條理脈絡,以內化成自己紮實的知識。因此,對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識,可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題,會是很好的切入點。
相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍,本書的特色至少包括:
涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。
以直觀的「物理現象」與「電機概念」,用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。
各章節中對於基礎、重要的內容,屬於讀者必須瞭解的觀念或公式,均提供作者特別設計之經典題型的「範例」,其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。
各章節中對於容易混淆的觀念或公式,均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說,讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果,而能吸收內化成為自己的知識,歷久不忘。
各章節中基礎、重要的內容,均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型,然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 ),作者均設計補足。
【目錄】
1 導 論
2 半導體材料與晶體結構
3 半導體能帶觀念
4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度
5 導電載子的傳輸
6 非平衡狀態時的過量載子
7 PN接面
8 PN接面二極體
9 理想MOS結構
10 實際MOS元件
11 MOSFET元件
附錄A 物理常數
附錄B 轉換因數
附錄C 溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質
附錄D 溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質
附錄E Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係
中英文索引
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【簡介】
【目錄】
第 1 章 元件應用基礎觀念
第 2 章 半導體基礎觀念
第 3 章 半導體載子傳導基礎觀念
第 4 章 pn接面基礎觀念
第 5 章 雙極性接面電晶體(BJT)基礎觀念
第 6 章 金半(MS)接觸基礎觀念
第 7 章 金氧半(MOS)結構基礎觀念
第 8 章 金氧半場效電晶體(MOSFET)基礎觀念
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半導體元件物理-觀念解析與實務應用 (1版)
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【簡介】
書內容足以作為一學期之半導體元件物理的課程教科書使用外,也非常適合作為半導體相關工程師自我充實成長或公司內部教育訓練的教材。內容之編寫抱持書名副標題「觀念解析與實務應用」的理念,強調觀念與實務兼顧,因此盡量避免深奧的物理與繁瑣的數學,但對於重要的觀念與技術都會清楚的解釋,並盡可能以共通的基本原理原則,貫通前後章節的知識概念,使讀者輕易掌握其中條理脈絡,以內化成自己紮實的知識。因此,對於讀者欲研讀更高階的半導體元件物理知識,可以本書的內容為基礎再進一步研讀相關的課題,會是很好的切入點。
相較於坊間其他相關的半導體元件物理書籍,本書的特色至少包括:
涵蓋並詳細說明現代產業界先進元件技術之相關元件物理觀念。包括高介電係數介電層 (high-k dielectrics)、應變矽 (strained-Si)、鰭式電晶體 (Fin-FET) 等先進元件技術。
以直觀的「物理現象」與「電機概念」,用淺顯易懂的方式清楚闡釋深奧的元件物理觀念與在實務上相關的重要應用。
各章節中對於基礎、重要的內容,屬於讀者必須瞭解的觀念或公式,均提供作者特別設計之經典題型的「範例」,其包含促進讀者有效學習的「解答」與觀念釐清的「評論」。
各章節中對於容易混淆的觀念或公式,均提供作者精心整理設計的「圖表」與解說,讓讀者不需特別耗費時間死背公式或結果,而能吸收內化成為自己的知識,歷久不忘。
各章節中基礎、重要的內容,均依文本順序附有足夠的對應「習題」。習題主要選取自近二十年國家考試與研究所入學考試之經典題型,然對於未出現於前述之重要題型 ( 包含實務應用題 ),作者均設計補足。
【目錄】
1 導 論
2 半導體材料與晶體結構
3 半導體能帶觀念
4 熱平衡時的半導體能帶與載子濃度
5 導電載子的傳輸
6 非平衡狀態時的過量載子
7 PN接面
8 PN接面二極體
9 理想MOS結構
10 實際MOS元件
11 MOSFET元件
附錄A:物理常數
附錄B:轉換因數
附錄C:溫度300 K時常用之Si、Ge與GaAs的性質
附錄D:溫度300 K時常用之SiO2與Si3N4的性質
附錄E:Si、Ge與GaAs常用性質隨絕對溫度 (T ) 變化關係
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