半導體元件物理與製程：理論與實務 (4版)

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半導體元件物理與製程─理論與實務 Semiconductor Device Physics and Process Integration：Theory & Practice 作 者：劉傳璽 、陳進來 出版社別：五南 出版日期：2022/09/01(4版2刷) ＩＳＢＮ：978-626-317-514-3 E I S B N：9786263175280 書 號：5D75 頁 數：560 開 數：20K 內容簡介 　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-why；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。 目錄 第一章 半導體元件物理的基礎 1.1 半導體能帶觀念與載子濃度 1.2 載子的傳輸現象 1.3 支配元件運作的基本方程式 第二章 P-N 接面 2.1 P-N接面的基本結構與特性 2.2 零偏壓 2.3 逆向偏壓 2.4 空乏層電容 2.5 單側陡接面 2.6 理想的電流－電壓特性 2.7 實際的電流－電壓特性 2.8 接面崩潰現象與機制 第三章 金氧半場效電晶體(MOSFET)的基礎 3.1 MOS電容的結構與特性 3.2 理想的MOS(金氧半)元件 3.3 實際的MOS(金氧半)元件 第四章 長通道MOSFET元件 4.1 MOSFET的基本結構與類型 4.2 基本操作特性之觀念 4.3 電流－電壓特性之推導 4.4 其他重要元件參數與特性 第五章 短通道MOSFET元件 5.1 短通道元件的輸出特性 5.2 短通道元件的漏電流現象 第六章 CMOS製造技術與製程介紹 6.1 CMOS製造技術 6.2 CMOS製造流程介紹 第七章 製程整合 7.1 元件發展需求 7.2 基板工程(substrate engineering) 7.3 閘極工程 7.4 源/汲極工程(Source/Drain engineering) 7.5 內連線工程(inter-connection) 第八章 先進元件製程 8.1 先進元件製程需求 8.2 SOI 8.3 應變矽Strain Si 8.4 非平面元件 3D device 8.5 高介電閘極氧化層(High K gate dielectric) 8.6 金屬閘極Metal gate 第九章 邏輯元件 9.1 邏輯元件的要求—速度、功率 9.2 反向器(Inverter) 9.3 組合邏輯(Cmbinational Logic) 9.4 時序邏輯Sequential Logic —Latch, DFF 9.5 邏輯元件應用Standard Cell、Gate Array、CPLD、FPGA 第十章 邏輯/類比混合訊號 10.1 混合訊號特性 10.2 混合訊號電路 10.3 混合訊號的主動元件( Active device) 10.4 混合訊號被動元件(Passive device) 10.5 混合訊號電路特別需求 第十一章 記憶體 11.1 CMOS記憶體特性與分類 11.2 靜態隨機存取記憶體SRAM 11.3 動態隨機存取記憶體DRAM 11.4 快閃記憶體Flash 11.5 發展中的先進記憶體 第十二章 分離元件 12.1 功率二極體 12.2 功率金氧半場效電晶體 12.3 溝槽式閘極功率金氧半電晶體 12.4 超接面金氧半電晶體Super Junction MOSFET 12.5 絕緣閘雙極型電晶體Insulated Gate Bipolar Transistor 12.6 碳化矽（SiC）功率半導體SiC 12.7 氮化鎵（GaN） 功率半導體 第十三章 元件電性量測WAT 413 13.1 直流（DC）電性量測 13.2 C-V（capacitance-voltage）電性量測 13.3 RF 電性量測 13.4 元件模型 第十四章 SOC 與半導體應用 14.1 IC 功能分類 14.2 SOC 14.3 半導體應用 14.4 資訊電子Computer 14.5 通訊電子Communication 14.6 消費性電子Consumer 14.7 汽車電子Car 14.8 網際網路

半導體元件物理與製作技術 (3版)

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【中文翻譯書】 書名：半導體元件物理與製作技術第三版 原文書名：Semiconductor Devices: Physics & Technology 3/E 作者:　施敏、李明逵 譯者：曾俊元 出版社：國立交通大學 出版日期：2013/08 ISBN：9789866301568 內容簡介 　　施敏教授從事元件及製程之研究與發展迄今五十餘年，以「非揮發性記憶體」的發明，奠定其半導體界的地位；李明逵教授從事半導體物理元件教學多年。本書是學生學習應用物理、電機電子及材料科學等領域的必備基礎教材，也是工程師及科學界需要知道最新元件和技術發展的最佳參考。 　　本書與第二版的差異為，我們修正並更新了35% 的教材，增加了許多章節討論近年來較重要的題目，如互補式金氧半影像感測器（CMOS image sensors）、鰭式場效電晶體（FinFET）、第三代太陽能電池（3rd generation solar cells）與原子層沉積（atomic layer deposition）。此外，我們刪除或減少了一些較不重要的章節，以維持本書的長度。 　　由於金氧半場效電晶體（MOSFET）對於電子產品的應用愈來愈重要，因此，我們對金氧半場效電晶體與其相關元件的論述增加了兩個章節。此外，在通訊與能源材料方面，我們對光元件的論述亦增加了兩個章節。 　　為了改善每個主題的易讀性，含有研究所程度之數學或物理觀念的章節被移到本書最後的附錄之中。