Semiconductor Physics & Devices Basic Principles (4版)

其他會員也一起購買

原文書資訊 書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE) 作者: NEAMEN ISBN: 9780071089029 出版社: Mc Graw Hill 出版年: 2012年 中文書資訊 書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles) 作者: NEAMEN/ 楊賜麟 ISBN: 9789861578255 出版社: 東華 出版年: 2012年

Fundamentals of Microelectronics (3版)

其他會員也一起購買

Fundamentals of Microelectronics 3/e +作者：Razavi +年份：2021 年3 版 +ISBN：9781119695141 +書號：EE0499P +規格：平裝/單色 +頁數：960 +出版商：John Wiley 書名：微電子學(上3版/下2版) 作者：黃崇禧/李泰成(Razavi) 出版社：滄海/高立 ISBN： 9786269602193 / 9789863783077

半導體元件物理學第四版（下冊） (4版)

其他會員也一起購買

半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 上冊目錄 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引   半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／592頁 規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初 出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程 下冊目錄 序言 譯者序一 譯者序二 導論 第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體 第四部分 負電阻以及功率元件 第九章 穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體 第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件 第十一章 閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件 第五部分 光子元件和感應器 第十二章 發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射 第十三章 光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池 第十四章 感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引

半導體元件物理學第四版（上冊） (4版)

其他會員也一起購買

半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引  

Solid State Physics (1版)

其他會員也一起購買

書名： SOLID STATE PHYSICS 作者：ASHCROFT 出版社：Cengage ISBN：9780357670811 內容簡介 1. The Drude Theory of Metals 2. The Sommerfeld Theory of Metals 3. Failures of the Free Electron Model 4. Crystal Lattices 5. The Reciprocal Lattice 6. Determination of Crystal Structures by X-Ray Diffraction 7. Classification of Bravais Lattices and Crystal Structures 8. Electron Levels in a Periodic Potential: General Properties 9. Electrons in a Weak Periodic Potential 10. The Tight-Binding Method 11. Other Methods for Calculating Band Structure 12. The Semiclassical Model of Electron Dynamics 13. The Semiclassical Theory of Conduction in Metals 14. Measuring the Fermi Surface 15. Band Structure of Selected Metals 16. Beyond the Relaxation-Time Approximation 17. Beyond the Independent Electron Approximation 18. Surface Effects 19. Classification of Solids 20. Cohesive Energy 395 21. Failures of the Static Lattice Model 415 22. Classical Theory of the Harmonic Crystal 23. Quantum Theory of the Harmonic Crystal 24. Measuring Phonon Dispersion Relations 25. Anharmonic Effects in Crystals 26. Phonons in Metals 27. Dielectric Properties of Insulators 28. Homogeneous Semiconductors 29. Inhomogeneous Semiconductors 30. Defects in Crystals 31. Diamagnetism and Paramagnetism 32. Electron Interactions and Magnetic Structure 33. Magnetic Ordering 34. Superconductivity APPENDICES A. Summary of Important Numerical Relations in the Free Electron Theory of Metals B. The Chemical Potential C. The Sommerfeld Expansion D. Plane-Wave Expansions of Periodic Functions in More Than One Dimension E. The Velocity and Effective Mass of Bloch Electrons F. Some Identities Related to Fourier Analysis of Periodic Systems G. The Variational Principle for Schrodinger's Equation H. Hamiltonian Formulation of the Semiclassical Equations of Motion, and Liouville' s Theorem I. Green's Theorem for Periodic Functions J. Conditions for the Absence of Interband Transitions in Uniform Electric or Magnetic Fields K. Optical Properties of Solids L. Quantum Theory of the Harmonic Crystal M. Conservation of Crystal Momentum N. Theory of the Scattering of Neutrons by a Crystal O. Anharmonic Terms and n-Phonon Processes P. Evaluation of the Lande g-Factor

Fundamentals of Modern VLSI Devices (2版)

其他會員也一起購買

【原文書】 書名：Fundamentals of Modern VLSI Devices 2/E(IE) 2009 作者:Yuan Taur、Tak H. Ning 出版社：Cambridge 書號：0816-1 ISBN碼：9780521180245 目錄 1. Introduction 2. Basic Device Physics 3. MOSFET Devices 4. CMOS Device Design 5. CMOS Performance Factors 6. Bipoloar Devices 7. Bipolar Device Design 8. Bipolar Performance Factors 9. Memory Devices 10. Silicon-on-Insulator Devices P.656

Financial Institutions Management: A Risk Management Approach (11版)

其他會員也一起購買

Financial Institutions Management: A Risk Management Approach 作 / 譯 者 ： Anthony Saunders,Marcia Millon Cornett,Otgontsetseg (Otgo) Erhemjamts I S B N - 13 ： 9781266138225 I S B N - 10 ： 1266138226 類 別： 金融機構管理 版 次： 11 版 年 份： 2024 規 格： 931 頁 出 版 商： McGraw Hill Education 內容簡介 Saunders and Cornett's Financial Institutions Management: A Risk Management Approach provides an innovative approach that focuses on managing return and risk in modern financial institutions. The central theme is that the risks faced by financial institutions managers and the methods and markets through which these risks are managed are becoming increasingly similar whether an institution is chartered as a commercial bank, a savings bank, an investment bank, or an insurance company. Although the traditional nature of each sector's product activity is analyzed, a greater emphasis is placed on new areas of activities such as asset securitization, off-balance-sheet banking, and international banking. 目錄 PART I: INTRODUCTION Ch 1 Why Are Financial Institutions Special? Ch 2 Financial Services: Depository Institutions Ch 3 Financial Services: Finance Companies Ch 4 Financial Services: Securities Firms and Investment Banks Ch 5 Financial Services: Mutual Fund and Hedge Fund Companies Ch 6 Financial Services: Insurance Companies Ch 7 Risks of Financial Institutions PART II: MEASURING RISK Ch 8 Interest Rate Risk I Ch 9 Interest Rate Risk II Ch10 Credit Risk: Individual Loan Risk Ch11 Credit Risk: Loan Portfolio and Concentration Risk Ch12 Liquidity Risk Ch13 Foreign Exchange Risk Ch14 Sovereign Risk Ch15 Market Risk Ch16 Off-Balance-Sheet Risk Ch17 Technology and Other Operational Risks Ch18 Risk of Digital Disruption and Fintech PART III: MANAGING RISK Ch19 Liability and Liquidity Management Ch20 Deposit Insurance and Other Liability Guarantees Ch21 Capital Adequacy Ch22 Product and Geographic Expansion Ch23 Futures and Forwards Ch24 Options, Caps, Floors, and Collars Ch25 Swaps Ch26 Loan Sales Ch27 Securitization

Fundamentals of Futures and Options Markets (9版)

其他會員也一起購買

Fundamentals of Futures and Options Markets 9/E 2023 (Global Edition) 作/ 譯者：Hull ISBN：9781292422114 年份：2022 書號：00107555 開數：25*20 頁數：616

Engineering Circuit Analysis (12版)

其他會員也一起購買

Engineering Circuit Analysis 12/e IA +作者：Irwin +年份：2022 年12 版 +ISBN：9781119667964 +書號：EE0503PC +規格：平裝/彩色 +頁數：830 +出版商：John Wiley 簡介 Basic Engineering Circuit Analysis has long been regarded as the most dependable textbook for computer and electrical engineering majors. In this new edition, Irwin and Nelms continue to develop the most complete set of pedagogical tools available and provide the highest level of support for students entering into this complex subject. Irwin and Nelms trademark student-centered learning design focuses on helping students complete the connection between theory and practice. Key concepts are explained clearly and illustrated by detailed, worked examples. These are then followed by Learning Assessments, which allow students to work similar problems and check their results against the answers provided. 目錄 1 Basic Concepts 2 Resistive Circuits 3 Network Theorems 4 Operational Amplifiers 5 Capacitance and Inductance 6 First- and Second-Order Transient Circuits 7 Sinusoidal Steady-State Analysis 8 Steady-State Power Analysis 9 Magnetically Coupled Networks 10 Three-Phase Circuits 11 Variable-Frequency Network Performance 12 The Laplace Transform 13 Application of the Laplace Transform to Circuit Analysis 14 Fourier Analysis Techniques 15 Two-Port Networks 16 Diodes APPENDIX A Complex Numbers APPENDIX B Fundamental of Engineering (FE) Exam Problems (available online)

半導體製造技術 (1版)

相關熱銷的書籍推薦給您

【中文翻譯書】 書名 ：半導體製造技術 原文書名：Semiconductor Manufacturing Technology 原文作者：Michael Quirk 中文譯者：羅文雄 初版日期：2016 出版社：滄海 ISBN：9789867727701 本書特色 　 ●對於半導體製造技術從晶圓準備、次微米製程及封裝測試方面 　皆做完整詳盡的介紹。 ●最淺顯易懂的字詞揭示出原文書之精湛內容。 ●對大專在學學生及實際線上工程師而言，皆是一本優良的課程 　教材及技術入門手冊。 校閱者簡介 劉文超 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 許渭州 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立成功大學電機工程系微電子所所長 國立成功大學電機工程系教授 國立成功大學微電子研究所教授 譯者簡介 羅文雄 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立臺灣海洋大學電機工程系教授 蔡榮輝 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 國立高雄師範大學物理系副教授 鄭岫盈 學歷 國立成功大學電機工程研究所博士 現職 亞東技術學院電機工程系助理教授 本書目錄 　 第1章 半導體工業簡介 第2章 半導體材料特性 第3章 元件技術 第4章 矽與晶圓準備 第5章 半導體製造之化學特性 第6章 半導體製造廠之污染控制 第7章 量測與缺陷 第8章 製程反應室之氣體控制 第9章 IC製造概述 第10章 氧化 第11章 沈積 第12章 金屬化 第13章 微影：氣相塗底至軟烤 第14章 微影：對準與曝光 第15章 微影：光阻顯影與先進雕像 第16章 蝕刻 第17章 離子植入 第18章 化學機械平坦化 第19章 晶圓測試 第20章 裝配與封裝 附錄A 化學品及其安全性 附錄B 無塵室中的污染控制 附錄C 單位 附錄D 以氧化物厚度為函數的顏色 附錄E 光阻化學品概論 附錄F 蝕刻化學品