Semiconductor Physics & Devices Basic Principles (4版)

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原文書資訊 書名:Semiconductor Physics & Devices Basic Principles 4/E(IE) 作者: NEAMEN ISBN: 9780071089029 出版社: Mc Graw Hill 出版年: 2012年 中文書資訊 書名: 半導體物理與元件 (Semiconductor Physics & Devices Basic Principles) 作者: NEAMEN/ 楊賜麟 ISBN: 9789861578255 出版社: 東華 出版年: 2012年

Physics of Semiconductor Devices (4版)

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Physics of Semiconductor Devices 4/e +作者：Sze +年份：2021 年4 版 +ISBN：9781119429111 +書號：EE0500H +規格：精裝/單色 +頁數：944 +出版商：John Wiley 目錄 Part I Semiconductor Physics Chapter 1 Physics and Properties of Semiconductors—A Review Part II Device Building Blocks Chapter 2 p-n Junctions Chapter 3 Metal-Semiconductor Contacts Chapter 4 Metal-Insulator-Semiconductor Capacitors Part III Transistors Chapter 5 Bipolar Transistors Chapter 6 MOSFETs Chapter 7 Nonvolatile Memory Devices Chapter 8 JFETs, MESFETs, and MODFETs Part IV Negative-Resistance and Power Devices Chapter 9 Tunnel Devices Chapter 10 IMPATT Diodes, TED and RST Devices Chapter 11 Thyristors and Power Devices Part V Photonic Devices and Sensors Chapter 12 LEDs and Lasers Chapter 13 Photodetectors and Solar Cells Chapter 14 Sensors Appendixes A. List of Symbols B. International System of Units C. Unit Prefixes D. Greek Alphabet E. Physical Constants F. Properties of Important Semiconductors G. The Bloch Theorem and the Periodic Energy in the Reciprocal Lattice H. Properties of Si and GaAs I. The Derivations of Boltzmann Transport Equation and Hydrodynamic Model J. Properties of SiO2 and Si3N4 K. Compact Models of Bipolar Transistors L. Discovery of the Floating-Gate Memory Effect

半導體元件物理學第四版（上冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引  

半導體元件物理學第四版（下冊） (4版)

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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 上冊目錄 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇  1.1 簡介  1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙  1.4 熱平衡狀態下的載子濃度  1.5 載子傳輸現象  1.6 聲子、光和熱特性  1.7 異質接面與奈米結構  1.8 基本方程式與範例    【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面  2.1 簡介  2.2 空乏區  2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰  2.5 暫態行為與雜訊  2.6 終端功能  2.7 異質接面    第三章 金屬—半導體接觸  3.1 簡介 3.2 位障的形成  3.3 電流傳輸過程  3.4 位障高度的量測  3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸   第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸    【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性  5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應   第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體   第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構   附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units)  C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性  K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現   索引   半導體元件物理學第四版（下冊） ISBN13：9789865470562 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／592頁 規格：23cm*17cm*2.5cm (高/寬/厚) 版次：初 出版日：2022/12/30 中文圖書分類：電子工程 下冊目錄 序言 譯者序一 譯者序二 導論 第八章 接面場效電晶體、金屬半導體場效電晶體以及調變摻雜場效電晶體 8.1 簡介 8.2 JFET 和MESFET 8.3 調變摻雜場效電晶體 第四部分 負電阻以及功率元件 第九章 穿隧元件 9.1 簡介 9.2 穿隧二極體 9.3 相關穿隧元件 9.4 共振穿隧二極體 第十章 衝擊離子化累增渡時二極體、電子轉移與實空間轉移元件 10.1 簡介 10.2 衝擊離子化累增渡時二極體 10.3 電子轉移元件 10.4 實空間轉移元件 第十一章 閘流體和功率元件 11.1 簡介 11.2 閘流體基本特性 11.3 閘流體的種類 11.4 其他功率元件 第五部分 光子元件和感應器 第十二章 發光二極體和雷射 12.1 簡介 12.2 輻射躍遷 12.3 發光二極體 12.4 雷射物理 12.5 雷射操作特性 12.6 特殊雷射 第十三章 光偵測器和太陽能電池 13.1 簡介 13.2 光導體 13.3 光二極體 13.4 累增光二極體 13.5 光電晶體 13.6 電荷耦合元件 13.7 金屬－半導體－金屬光偵測器 13.8 量子井近紅外光光偵測器 13.9 太陽能電池 第十四章 感測器 14.1 簡介 14.2 熱感測器 14.3 機械感測器 14.4 磁感測器 14.5 化學感測器 14.6 生物感測器 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統 ( SI Units ) C. 國際單位字首 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 布拉區理論與在倒置晶格中的週期性能量 H. Si 與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式的推導與流體力學模型 J. 氧化矽與氮化矽的特性 K. 雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引

CMOS VLSI 設計原理 (3版)

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【中文翻譯書】 書名：CMOS VLSI 設計原理 電路與系統探討 第三版 原文書名：CMOS VLSI Design:A Circuits and Systems Perspective 原文作者：Weste 中文譯者： 周世傑 出版社：偉明 出版日期：2010/05/20 ISBN：9789861548272

Fundamentals of Modern VLSI Devices (3版)

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【簡介】 A thoroughly updated third edition of an classic and widely adopted text, perfect for practical transistor design and in the classroom. Covering a variety of recent developments, the internationally renowned authors discuss in detail the basic properties and designs of modern VLSI devices, as well as factors affecting performance. Containing around 25% new material, coverage has been expanded to include high-k gate dielectrics, metal gate technology, strained silicon mobility, non-GCA (Gradual Channel Approximation) modelling of MOSFETs, short-channel FinFETS, and symmetric lateral bipolar transistors on SOI. Chapters have been reorganized to integrate the appendices into the main text to enable a smoother learning experience, and numerous additional end-of-chapter homework exercises (+30%) are included to engage students with real-world problems and test their understanding. A perfect text for senior undergraduate and graduate students taking advanced semiconductor devices courses, and for practicing silicon device professionals in the semiconductor industry.

Fundamentals of Modern Manufacturing (7版)

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Fundamentals of Modern Manufacturing SI 7/e +作者：Groover +年份：2021 年7 版 +ISBN：9781119706427 +書號：ME0429P +規格：平裝/單色 +頁數：1008 +出版商：John Wiley ●Revised and expanded coverage of topics- Hardness, Tolerances, Measurement of Surfaces, Casting Technology, Powder Metallurgy, Rolling, Forging, Extrusion, Additive Manufacturing, , Machining Economics, and more ●Sections on topics including Plastic Extrusion and Injection Molding Processes, Equipment, and Economics of Sheet-Metal Pressworking, Micro and Nano Composites, Forming Limit Diagram, Hybrid Machining Systems, DFMA Guide , Protocols used in Integrated manufacturing, Agile Production and others ●Historical notes on integrated circuit technology, measurement systems, polymers, natural and synthetic rubbers, machine tool technology, and many others ●New and updated examples and practice problems in all chapters in SI units ●Completely updated as SI version ●New and updated references, illustrations, and tables of thermal and volumetric properties of common engineering materials. 目錄 1 INTRODUCTION AND OVERVIEW OF MANUFACTURING Part I Materials Properties and Product Attributes 2 THE NATURE OF MATERIALS 3 MECHANICAL PROPERTIES OF MATERIALS 4 PHYSICAL PROPERTIES OF MATERIALS 5 ENGINEERING MATERIALS 6 DIMENSIONS, SURFACES, AND THEIR MEASUREMENT Part II Solidification Processes 7 FUNDAMENTALS OF METAL CASTING 8 METAL CASTING PROCESSES 9 GLASSWORKING 10 SHAPING PROCESSES FOR PLASTICS 11 PROCESSING OF POLYMER MATRIX COMPOSITES AND RUBBER Part III Particulate Processing of Metals and Ceramics 12 POWDER METALLURGY 13 PROCESSING OF CERAMICS AND CERMETS Part IV Metal Forming and Sheet Metalworking 14 FUNDAMENTALS OF METAL FORMING 15 BULK DEFORMATION PROCESSES IN METAL WORKING 16 SHEET METALWORKING Part V Material Removal Processes 17 THEORY OF METAL MACHINING 18 MACHINING OPERATIONS AND MACHINE TOOLS 19 CUTTING-TOOL TECHNOLOGY 20 ECONOMIC AND PRODUCT DESIGN CONSIDERATIONS IN MACHINING 21 GRINDING AND OTHER ABRASIVE PROCESSES 22 NONTRADITIONAL MACHINING AND THERMAL CUTTING PROCESSES Part VI Property Enhancing and Surface Processing Operations 23 HEAT TREATMENT OF METALS 24 SURFACE PROCESSING OPERATIONS Part VII Joining and Assembly Processes 25 FUNDAMENTALS OF WELDING AND WELDING PROCESSES 26 BRAZING, SOLDERING, AND ADHESIVE BONDING 27 MECHANICAL ASSEMBLY Part VIII Special Processing and Assembly Technologies 28 ADDITIVE MANUFACTURING 29 PROCESSING OF INTEGRATED CIRCUITS 30 ELECTRONICS ASSEMBLY AND PACKAGING 31 MICROFABRICATION TECHNOLOGIES 32 NANOFABRICATION TECHNOLOGIES Part IX Manufacturing Systems 33 AUTOMATION TECHNOLOGIES FOR MANUFACTURING SYSTEMS 34 INTEGRATED MANUFACTURING SYSTEMS Part X Manufacturing Support Systems 35 PROCESS PLANNING AND PRODUCTION CONTROL 36 QUALITY CONTROL AND INSPECTION