| 書名: | Fundamentals of Modern VLSI Devices (2版) | |||
| 作者: | Taur、 Ning | |||
| 版次: | 2 | |||
| ISBN: | 9780521180245 | |||
| 出版社: | Cambridge | |||
| 出版日期: | 2010/06 | |||
| 重量: | 0.51 Kg | |||
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#工程
#電子與電機 #微電子技術與積體電路 |
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| 定價: | ||||
| 售價: | 1323元 | |||
| 庫存: | 庫存: 3 | |||
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Fundamentals of Modern VLSI Devices (2版)
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【原文書】 書名：Fundamentals of Modern VLSI Devices 2/E(IE) 2009 作者:Yuan Taur、Tak H. Ning 出版社：Cambridge 書號：0816-1 ISBN碼：9780521180245 目錄 1. Introduction 2. Basic Device Physics 3. MOSFET Devices 4. CMOS Device Design 5. CMOS Performance Factors 6. Bipoloar Devices 7. Bipolar Device Design 8. Bipolar Performance Factors 9. Memory Devices 10. Silicon-on-Insulator Devices P.656
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半導體元件物理學第四版（上冊） ISBN13：9789865470289 替代書名：Physics of Semiconductor Devices Fourth edition 出版社：國立陽明交通大學出版社 作者：施敏;李義明;伍國珏 譯者：顧鴻壽;陳密 裝訂／頁數：平裝／688頁 規格：23cm*17cm (高/寬) 版次：初 出版日：2022/06/29 中國圖書分類：電子工程 內容簡介 最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍 《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。 Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。 全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版） 第四版特色 1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。 2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。 3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。 4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。 目錄 【第一部分 半導體物理】 第一章 半導體物理及特性──回顧篇 1.1 簡介 1.2 晶體結構 1.3 能帶與能隙 1.4 熱平衡狀態下的載子濃度 1.5 載子傳輸現象 1.6 聲子、光和熱特性 1.7 異質接面與奈米結構 1.8 基本方程式與範例 【第二部分 元件建構區塊】 第二章 p-n接面 2.1 簡介 2.2 空乏區 2.3 電流—電壓特性 2.4 接面崩潰 2.5 暫態行為與雜訊 2.6 終端功能 2.7 異質接面 第三章 金屬—半導體接觸 3.1 簡介 3.2 位障的形成 3.3 電流傳輸過程 3.4 位障高度的量測 3.5 元件結構 3.6 歐姆接觸 第四章 金屬-絕緣體—半導體電容器 4.1 簡介 4.2 理想MIS電容器 4.3 矽MOS電容器 4.4 MOS電容器的載子傳輸 【第三部分 電晶體】 第五章 雙極性電晶體 (BJT) 5.1 簡介 5.2 靜態特性 5.3 雙極性電晶體的緊密模型 5.4 微波特性 5.5 相關元件結構 5.6 異質接面雙極性電晶體 5.7 自熱效應 第六章 金氧半場效電晶體 (MOSFET) 6.1 簡介 6.2 基本元件特性 6.3 非均勻摻雜與埋入式通道元件 6.4 元件微縮與短通道效應 6.5 MOSFET結構 6.6 電路應用 6.7 負電容場效電晶體與穿隧場效電晶體 6.8 單電子電晶體 第七章 非揮發性記憶體元件 7.1 簡介 7.2 浮動閘極概念 7.3 元件結構 7.4 浮動閘極記憶單元的緊密模型 7.5 多層單元與三維結構 7.6 應用與尺寸微縮挑戰 7.7 替代性結構 附錄 A. 符號表 B. 國際單位系統(SI Units) C. 國際單位前置字 D. 希臘字母 E. 物理常數 F. 重要半導體的特性 G. 倒置晶格的布洛赫理論與週期性能量 H. Si與GaAs的特性 I. 波茲曼傳輸方程式與氫動態模型 J. SiO2 與Si3N4 的特性 K .雙極性電晶體的緊密模型 L. 浮動閘極記憶體效應的發現 索引
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